SU993477A1 - Buffer logic ttl-device - Google Patents

Buffer logic ttl-device Download PDF

Info

Publication number
SU993477A1
SU993477A1 SU813312331A SU3312331A SU993477A1 SU 993477 A1 SU993477 A1 SU 993477A1 SU 813312331 A SU813312331 A SU 813312331A SU 3312331 A SU3312331 A SU 3312331A SU 993477 A1 SU993477 A1 SU 993477A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
bus
resistor
diode
Prior art date
Application number
SU813312331A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Иванович Эннс
Александр Михайлович Авдеев
Юрий Владимирович Кружанов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6429
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6429 filed Critical Предприятие П/Я Р-6429
Priority to SU813312331A priority Critical patent/SU993477A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU993477A1 publication Critical patent/SU993477A1/en

Links

Description

(54) БУФЕРНОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ ТТЛ-УСТРОЙСТВО(54) BUFFER LOGICAL TTL DEVICE

Изобретение относитс  к импульс .ной и вычислительной технике и авто .матике, а именно к буферным ТТЛ-устройствам , реализующим функцию инверсий и тавтологии и предназначенным дл  использовани  в счетных и управл ющих ЭВМ, в системах сбора и обработки информации, в различных системах контрол  и управлени , в сх&лах пам ти и т.дThe invention relates to pulse and computer engineering and automatics, namely, buffer TTL devices that implement the function of inversions and tautology and are intended for use in counting and control computers, in data acquisition and processing systems, in various control systems management, in c & lah memory, etc

. Известны логические буферные ТТЛ-устройства, осуществл ющие функ-ции инверсии и тавтологии l.. Logic buffer TTL devices are known that perform the functions of inversion and tautology l.

Такие устройства обычно выполн ют в виде двух последовательно включенных ТТЛ-инверторов, обладают небольшим быстродействием и посто нно потребл ют мощность.Such devices are usually implemented as two series-connected TTL inverters, have low speed and constantly consume power.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  буферное устройство, отключающеес  в пассивном режиме при помощи ключа от шины Земл  , содержащее ключ, отключающий устройство от шины Земл  , входного и выходного каскадов, последний содержит блок инверсии и блок тавтологии, причем блок тавтологии содержит первый транзистор, база которого подключена к выходу входного каскада, коллектор подключен к базе второго транзистора и через резистор к источнику напр жени  2.The closest to the proposed technical entity is a buffer device that is disconnected in passive mode using a key from the Earth bus, which contains a key that disconnects the device from the Earth bus, the input and output stages, the latter contains an inversion unit and a tautology unit, and the tautology unit contains the first the transistor, the base of which is connected to the output of the input stage, the collector is connected to the base of the second transistor and through a resistor to the source 2.

Однако устройство обладает низ- , КИМ быстродействием и помехоустойчивостью .However, the device has a low, KIM speed and noise immunity.

Цель изобретени  - повышение помехоустойчивости буферного логического ТТЛ-устройства.The purpose of the invention is to improve the noise immunity of the buffer logic TTL device.

10ten

Поставленна  цель достигаетс  тем, что буферное логическое ТТЛустройство , содержащее ключ, B5foднoй транзистор, эмиттер которого соединен с входной шиной, база через, зистйр - с шиной питани , коллектор с базой промежуточного транзистора, коллектор которого соединен с базами первого и второго транзисторов и через резистор с шиной питани , The goal is achieved by the fact that a buffer logic TTL device containing a key, a B5fo ddney transistor, the emitter of which is connected to the input bus, a base through, a signal system with the power line, a collector with an intermediate transistor base, the collector of which is connected to the bases of the first and second transistors and through a resistor with food bus,

20 коллектор первого транзистора соединен с первой выходной шиной, коллектор второго транзистора соединен с базой третьего транзистора и через резистор - с шиной питани , 20, the collector of the first transistor is connected to the first output bus, the collector of the second transistor is connected to the base of the third transistor and through a resistor to the power supply bus,

25 коллектор третьего транзистора соединен с второй выходной шиной, эмиттеры первого, второго и третьего транзисторов подключены к аноду диода, катод которого соединен че30 рез ключ с общей шиной и.через ре ,эистор - с шиной питани , дополнительно содержит диод и ключ, причем эмиттер промежуточного транзистора соединен с анодом дополнительного диода, катод которого соединен через параллельно подключенные резистор и дополнительный KJ|ro4 с общей шиной.25, the collector of the third transistor is connected to the second output bus, the emitters of the first, second and third transistors are connected to the anode of the diode, the cathode of which is connected via a switch to a common bus and through the eistor to a power bus, additionally contains a diode and a switch, the emitter the intermediate transistor is connected to the anode of an additional diode, the cathode of which is connected through a parallel-connected resistor and an additional KJ | ro4 with a common bus.

На чертеже изображена электрическа  схема предлагаемого логического устройства.The drawing shows the electrical circuit of the proposed logical device.

Эмиттер транзистора 1  вл етс  входом логического устройства. Ваза транзистора 1 через резистор 2 соединена с шиной 3 питани . База транзистора 1 соединена также с анодом диода 4, катод которого соединен с анодом диода 5. Катод диода 5 сое .динен с анодом диода 6, катод которого соединен с анодом диода 7, катод которого соединен с общей шиной . Коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 9, а также через резистор 10 соединен с общей шиной. Эмиттер транзистора 9 соединен с анодом диода И, катод которого соединен с ключом 12, а также через резистор 13 - с общей шиной 8. Второй конец ключа 12 соединен с общей шиной8. Коллектор транзистора 9 соединен через резистор 14 с шиной 3 питани , а также соединен с базами транзисторов 15 и 16. Коллектор транзистора 16  вл етс  выходом устройства, реализующим функцию тавтологии . Эмиттер транзистора 16 соединен с анодом диода 17. Коллектор транзистора 15 соединен через резистор 18 с шиной 3 питани  и через резистор 19 - с общей шинсай 8, а также с базой транзистора 20, Эмиттер транзистора 15 и эмиттер транзистора 20 соединены с эмиттером транзистора 16, Коллектор транзистора 20  вл етс  выходом устройства, реализующим функцию инверсии. Катод диода 17 соединен с ключом 21, а также соединен с базой двухэмиттерного транзистора 22 и через резистор 23 - с шиной 3 питани . Второй конец ключа 21 соединен с общей ши- . ной 8. Первый эмиттер транзистора 22 соединен о коллектором транзистора 16, второй - с коллектором транзистора 20, коллектор транзистора 22 соединен с шиной 3 питани .Коллек- тор транзистора 20 соединен через резистор 24 с шиной 3 питани , Коллектор транзистора 16 соединен через резистор 25 с шиной 3 питани .The emitter of transistor 1 is the input to a logic device. The vase of transistor 1 is connected via resistor 2 to power supply bus 3. The base of transistor 1 is also connected to the anode of diode 4, the cathode of which is connected to the anode of diode 5. The cathode of diode 5 is connected to the anode of diode 6, the cathode of which is connected to the anode of diode 7, the cathode of which is connected to a common bus. The collector of the transistor 1 is connected to the base of the transistor 9, and through the resistor 10 is connected to the common bus. The emitter of the transistor 9 is connected to the anode of the diode I, the cathode of which is connected to the key 12, and also through a resistor 13 to the common bus 8. The second end of the key 12 is connected to the common bus8. The collector of the transistor 9 is connected via a resistor 14 to the power supply bus 3, and is also connected to the bases of the transistors 15 and 16. The collector of the transistor 16 is an output of the device that implements the function of tautology. The emitter of transistor 16 is connected to the anode of diode 17. The collector of transistor 15 is connected through a resistor 18 to the power supply bus 3 and through a resistor 19 to a common bus 8, as well as to the base of transistor 20, the emitter of transistor 15 and the emitter of transistor 20 are connected to the emitter of transistor 16, The collector of the transistor 20 is a device output implementing the inversion function. The cathode of the diode 17 is connected to the key 21, and also connected to the base of the two emitter transistor 22 and through a resistor 23 to the power supply bus 3. The second end of the key 21 is connected to a common bus. 8. The first emitter of transistor 22 is connected to the collector of transistor 16, the second to the collector of transistor 20, the collector of transistor 22 is connected to power supply bus 3. The collector of transistor 20 is connected via resistor 24 to power supply bus 3, the collector of transistor 16 is connected through resistor 25 with bus 3 power.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

Потенциал катода диода 11 близок к потенциалу общей шины S при разомкнутых ключах 12 и 21 и при единичном сигнале на входе устройства определ етс  потенциалом на базе транзистора 1, который ограниченThe cathode potential of diode 11 is close to the potential of the common bus S with open keys 12 and 21 and with a single signal at the input of the device is determined by the potential at the base of transistor 1, which is limited

диодной цепью (диоды 4 - 7). Транзистор 9 при разомкнутых ключах 12 и 21 и единичном сигнале на входе устройства находитс  на границе провод щего состо ни  и состо ни diode circuit (diodes 4 - 7). The transistor 9, with open-ended switches 12 and 21 and a single signal at the input of the device, is located at the boundary of the conducting state and

отсечки и пропускает незначительный ток.ограниченный.резистором 13 большой величины поэтому после включени  ключей 12 и 21 транзистор 9 сразу переходит в провод щее состо ние,cutoff and transmits a small current limited by a large resistor 13, therefore, after switching on the keys 12 and 21, the transistor 9 immediately goes into the conducting state,

o в отличие от транзисторов 15 и 16, к оторые при разомкнутых ключах 12 и 21 наход тс  в состо нии отсечки, так как потенциал на.катоде диода 17 равен потенциалу шины 3 питани ,o in contrast to transistors 15 and 16, which, with open keys 12 and 21, are in the cut-off state, since the potential on the diode 17 cathode is equal to the potential of the power supply bus 3,

5 Потенциал на коллекторе транзистора 9 и соответственно потенциалы на ба- . зах транзисторов .15 и 16 начинают уменьшатьс . Вследствие этого транзисторы 15 и 16 остаютс  в состо НИИ отсечки, несмотр  на уменьшение5 Potential at the collector of the transistor 9 and, accordingly, the potentials at the ba-. The Z15 and 16 transistors begin to decrease. Because of this, transistors 15 and 16 remain in the state of the cutoff research institute, despite the reduction in

потенциала на их эмиттерах, а транзистор 20 переходит в провод щее состо ние. Резисторы 18 и 19 представл ют из себ  делитель напр жени  и при разомкнутых ключах 12 и 21 обеспечивают потенциал на базе транзистора 20 меньший, чем потенциал на базе транзистора 15. Поэтому при нулевом сигнале на входе устройства после замыкани  ключей 12 и 21 тран0 зистор 9 остаетс  в состо нии отсечки , а в nepBSTO очередь в провод щее состо ние переход т транзисторы .15 и 16. Вследствие этого потенциал на коллекторе транзистора 15 и соот5 ветственно на базе транзистора 20 уменьшаетс -и транзистор 20 остаетс  в состо нии отсечки, несмотр  на уменьшение потенциала .на его эмиттере . Резисторы 24 и 25 обеспечиваютthe potential of their emitters, and the transistor 20 transitions to the conducting state. Resistors 18 and 19 are out of itself a voltage divider and with open keys 12 and 21 provide a potential based on transistor 20 less than the potential based on transistor 15. Therefore, when the input signal of the device is zero, after the keys 12 and 21 are closed, transistor 9 remains in the cutoff state, and in nepBSTO, the transistors .15 and 16 turn into conductive state. As a result, the potential at the collector of transistor 15 and respectively at the base of transistor 20 decreases - and the transistor 20 remains in cutoff state, despite the decrease in e potential. on its emitter. Resistors 24 and 25 provide

0 выходной ток единичного выходного сигналу. Транзистор 22 обеспечивает большой выходной ток после выключе ,ни  ключей 12 и 21, необходимый дл  зар дки большой емкости нагрузки.0 output current unit output. The transistor 22 provides a large output current after it is turned off, nor the switches 12 and 21 needed to charge a large capacity load.

5 Резистор 10 уменьшает потенциал базы транзистора 9 при единичном входном сигнале, повышение которого обусловлено емкостными токами после выклю . чени  ключей 12 и 21.5 Resistor 10 reduces the potential of the base transistor 9 with a single input signal, the increase of which is due to capacitive currents after switching off. The keys are 12 and 21.

Claims (2)

1.Валиев К.д., Орликовскйй А.А. Полупроводниковые интегральные схемы пам ти на бипол рных транзисторных структурах, м., Советское раШ дио, 1979, с. 229, рис.7.21.1.Valiev KD, Orlikovsky A.A. Semiconductor memory integrated circuits on bipolar transistor structures, M., Sovetskoy raSh, 1979, p. 229, ris.7.21. 2.Патент Франции 2373124, кл. G 11 С 17/06, 1979. ,2. The patent of France 2373124, cl. G 11 C 17/06, 1979.,
SU813312331A 1981-07-06 1981-07-06 Buffer logic ttl-device SU993477A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813312331A SU993477A1 (en) 1981-07-06 1981-07-06 Buffer logic ttl-device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813312331A SU993477A1 (en) 1981-07-06 1981-07-06 Buffer logic ttl-device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU993477A1 true SU993477A1 (en) 1983-01-30

Family

ID=20967237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813312331A SU993477A1 (en) 1981-07-06 1981-07-06 Buffer logic ttl-device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU993477A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1201491A (en) Input buffer circuit for receiving multiple level input voltages
GB1358193A (en) Integrated control circuit
GB2156614A (en) A switching circuit
EP0372087B1 (en) Driver circuit
JPH05343980A (en) High speed level shift circuit
US4289978A (en) Complementary transistor inverting emitter follower circuit
GB1063003A (en) Improvements in bistable device
KR100194904B1 (en) Composite circuit of bipolar transistor and MOS transistor and semiconductor integrated circuit device using same
US4039867A (en) Current switch circuit having an active load
RU2689198C1 (en) Triggering asynchronous d-trigger
SU993477A1 (en) Buffer logic ttl-device
JPH0736507B2 (en) Semiconductor logic circuit
US3358154A (en) High speed, low dissipation logic gates
RU2721386C1 (en) Trigger two-stage rs flip-flop
GB1570666A (en) Logic circuits
US4697108A (en) Complementary input circuit with nonlinear front end and partially coupled latch
RU2726848C1 (en) Triggering asynchronous t flip-flop
CN210867554U (en) Power PMOS tube driving circuit and driving circuit for three-phase motor
RU2783403C1 (en) Trigger gate and-not/or-not
RU2760206C1 (en) Trigger logic element is not/or/and/or-not/and-not
SU1378049A1 (en) Majority element
RU2692041C1 (en) Trigger synchronous r-s trigger
RU2731438C2 (en) Trigger synchronous r-s flip-flop
SU1767695A2 (en) Bipolar pulse former
SU1023634A1 (en) T flip-flop