SU970668A1 - Амплитудный селектор - Google Patents

Description

(54) АМПЛИТУДНЫЙ СЕЛЕКТОР

1

Изобретение относитс  к импульсной технике и телевидению, в частности к устройствам отделени  синхронизирующих импульсов от видеосигнала , и предназначено дл  использовани  в телевизионных системах различного. назначени .

Известны е1мплитудные селекторам, в которые дл  исключени  вли ний разбросов элементов схемы на уровень отсечки селектора, ввод тс  цепи, обеспечивающие отдельное выделение нужного уровн  отсечки, и затем сравнивающие с ним входной сигнал I .

Однако эти цепи требуют управлени  синхронными сигналами, что ухудшает такие парамет1 л схекы как врем  вхождени  в синхронизм, устой|чивость к воздействию помех. Кроме того , схема содержит значительное количество конденсаторов, что затрудн ет ее выполнение в виде интегральной микросхемы.

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  селектор, котор лй содержит транзистор отделени  синхроимпульсов. База транзистора подключена к генератору тока и через переходной конденсатор св зана с входной шиной 2.

В этой схеме ток базы транзистора во врем  синхроимпульса, зар жающий переходной конденсатор,  вл етс  величиной посто нной, так как ток разр да этого конденсатора между импульсами- стабилизирован генератором тока, и тем самым устран етс  вли ние разброса параметров входной (базовой ) цепи на стабильность работы селектора.

Недостатком известного устро1йства

10  вл етс  зависимость качества селектировани  от параметров коллекторной цепи и усилени  транзистора, разброс которах вли ет на величину тока базы (Ig), при которой происходит

15 отсечка части синхроимпульса за счет насыщени  в коллекторной цепи, т.е. вли ет на уровень отделени  (отсечки ) синхроимпульсов в селекторе

20 а в режиме насьпцени  V Е. Отсюда

Е I -- , где Е - напр жение пиD 0ТС Ллг |Ь

тани , R - сопротивление коллекторной нагрузки; - напр жение на

25 К коэффициент усилени  транзистора по току; 1к.АаС Б-ОТС ° коллектора в режиме насыщени .

В кристалле интегральной cxevsa с высокой точностью выдерживаетс 

30 соотношение сопротивлений и равенство коэффициентов усилени  транзисторов одинакового типа проводимоти , но от кристалла к кристаллу эти параметры мен ютс  с разбросом до ±50%. Поэтому в известном селекторе .величина уровень отделени  синхроимпульсов могут измен тьс  в значительных пределах.

Цель изобретени  - повышение стабильности селектора и, следрва-. тельно, качества синхронизации, за счет исключени  вли ни  разбросов параметров элементов на уровень отделени  синхроимпульсов.

Поставленна  цель достигаетс  те что в амплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока и через переходной конденсатор соединена с входной шиной, введены второй транзистор, к базе которого под ключей второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно , а коллектор подключен к вы ходной шине, причем первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип прводимости .

На чертеже представлена принципиальна  схема предлагаемого устройства .

Устройство содержит первый транзистор 1, первый генератор 2 тока, переходной конденсатор 3, второй транзистор 4, второй генератор 5 то ка, коллекторные резисто лл б и 7 первого и второго транзисторов, третий транзистор 8 с коллекторным резистором 9.

Устройство работает следующим . образом.

При воздействии cинxpoи пyльcoв на коллекторном резисторе б первого транзистора 1 возникает напр жение Ч IF, 6 тае Ig - ток базы транзистора 1; jb, - коэффициент усилени  транзистора 1; R сопротивление коллекторного резистора 6.

Этот потенциал подаетс  на баЗУ транзистора 8, при этом на его эмиттер заведено запирающее; напр жение , создаваемое током транзистора 4 на резисторе 7 V7 1 R, где 1 генератора 5 тока; коэффициент усилени  транзистора 4; R- -сопротивление коллекторного резистора 7.

При равенстве потенциалов на резисторах б и 7 транзистор 8 откроетс , и на его выходе по витс  сигнал Условие по влени  выходного напр жени  (независимо от параметров транзистора 8) имеет вид (, или

IEOTC (Ь,- Нб 1б Р4 7 Iae Ipore значение тока базы транзистора 1,

соответствующее по влению импульса на выходе схемы. Отсюда

J Ig j , RT

-Е-ОТС

6

,6

.Так как внутри кристалла коэффициенты усилени  одинакового типа проводимости транзисторов равны, а соотношени  номиналов резисторов выдерживаютс  с высокой точностью, то

R

%отс

5- Rg

R7

IP и посто нные величины.

н

Отсюда IP отс const.

Следовательно, уровень отсечки . не зависит от разбросов элементов схемы и определ етс  только посто нными величинами - соотношением номиналов коллекторных резисторов б и 7 и величиной тока генератора 5 тока.

Таким образом, введение второго транзистора, к базе которого подключен второй генератор тока, и третьего транзистора, база и эмиттер которого св заны с коллекторами первого и второго транзисторов, а коллектор св зан с выходом устройства , при этом первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип проводимости , отличает предлагаекый амплитудный селектор от прототипа тем что стабилизаци  уровн  отсечки происходит не только за счет исключени вли ни  на него разброса параметров входной цепи, но и за счет исключени  вли ни  на него разброса параметров транзисторов и элементов выходной цепи.

Достигаема  при этом стабилизаци уровн  отсечки синхроимпульсов позвол ет повысить качество селектировани  и синхронизации при упрощении требований к технологии изготовлени  схем, повысить процент выхода годных микросхем, а также исключить необходимость установки внешних устройств селектировани .

Применение предлагаемого устройсва повышает стабильность уровн  отсечки .

Claims (2)

1.Патент ФРГ 2726493, кл. Н 04 N 5/16, 1977.

2.Патент Франции 2179130, кл. Н 04 N 5/08, 1973.