SU970483A1 - Method of producing cast microwire - Google Patents

Method of producing cast microwire Download PDF

Info

Publication number
SU970483A1
SU970483A1 SU803009219A SU3009219A SU970483A1 SU 970483 A1 SU970483 A1 SU 970483A1 SU 803009219 A SU803009219 A SU 803009219A SU 3009219 A SU3009219 A SU 3009219A SU 970483 A1 SU970483 A1 SU 970483A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
glass
vein
core
forming material
microwire
Prior art date
Application number
SU803009219A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виталий Ипполитович Заборовский
Анатолий Матусович Иойшер
Борис Павлович Котрубенко
Original Assignee
Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Научно-Производственного Объединения "Микропровод"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Научно-Производственного Объединения "Микропровод" filed Critical Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Научно-Производственного Объединения "Микропровод"
Priority to SU803009219A priority Critical patent/SU970483A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU970483A1 publication Critical patent/SU970483A1/en

Links

Description

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛИТОГО МИКРОПРОВОДА(54) METHOD OF MANUFACTURING CAST MICROPRODUCT

1one

Изобретение относитс  к кабельной технике , в частности к технологии изготовлени  литого микропровода в стекл нной изол ции .The invention relates to cable technology, in particular, to the technology of manufacturing molded microwires in glass insulation.

Известен способ изготовлени  литого микропровода в стекл нной изол ции, включающий размещение навески жилообразующего материала, внутри стекл нной трубки, расплавленные трубки с навеской в поле высокочастотного индуктора, создание внутри трубки давлени , воздействующего на цоверхность микрованны, формирование микрованны, выт гивание из нее капилл ра . До начала расплавлени  осуществл ют нагрев навески в зоне высокочастотного индуктора до температуры, при котором глубина навески становитс  равной ее поперечным размерам, указанный нагрев прекращают после начала плавлени  навески, одновременно производ т обдув стекл нной трубки инертным газом изнутри и снаружи , причем давление на поверхность микрованны создают путем упом нутого внутреннего обдува и выт гивают стекл нный капил р, заполненный жилообразующим материалом 1.A known method of making cast microwires in glass insulation includes placing a sample of a vein-forming material inside a glass tube, melted tubes with a suspension in a high-frequency inductor field, creating pressure inside the tube acting on the microdynamic surface, forming a micron tube, drawing a capillary from it . Before the melting begins, the sample is heated in the zone of the high-frequency inductor to a temperature at which the depth of the sample becomes equal to its transverse dimensions, this heating is stopped when the sample begins to melt, and the glass tube is blown with an inert gas from the inside and outside, creating by means of the said internal blowing; and drawing out a glass capillary filled with a vein-forming material 1.

Однако, при использовании литых микропроводов , полученных известным способом, дл  производства различных изделий на его основе например, гальваномагнитных элементов, терморезисторов, тензодатчиковHowever, when using cast microwires obtained by a known method, for the production of various products based on it, for example, galvanomagnetic elements, thermistors, strain gauges

5 и др., возникает необходимость прецизионной шлифовки и травлени  указанного микропровода дл  получени  из его жилы полупроводникового кристалла плоского профил , при котором качество изделий и их на ,Q дежность значительно выше, в частности из-за упрощени  технологии контактировани , чем при использовании микропровода с жилой круглого сечени . Необходимость выщеописанной обработки микропровода усложн ет технологию производства изде15 ЛИЙ на его основе, снижает коэффициент использовани  микропровода и приводит к повышению технологических расходов дорогосто щего полупроводникового материала .5 and others, there is a need for precision grinding and etching of the specified microwire to obtain a flat profile from a semiconductor crystal from its core, in which the quality of the products and their Q quality is much higher, in particular, due to the simplification of the contact technology than when using the microwire with Residential round section. The need for the above described processing of microwires complicates the technology for the production of products based on it, reduces the utilization rate of the microwires and leads to an increase in the technological costs of expensive semiconductor material.

Цель изобретени  - расщирение функ20 циональных возможностей, повыщение технологичности микропровода путем выполнени  его жилы плоской.The purpose of the invention is to extend the functional capabilities of the 20s, increasing the microwire's processability by making its core flat.

Поставленна  цель достигаетс  созданием межфазного нат жени  различнымThe goal is achieved by creating interfacial tension with various

по величине в двух взаимно перпендикул рных радиальных -направлени х.largest in two mutually perpendicular radial directions.

Обеспечение этой разницы достигаетс  несколькими приемами: измен ют направление выт гивани  капилл ра в зоне его раст жени , включающей фронт кристаллизации жилы, например, путем огибани  капилл ром горизонтальной опоры, которую охлаждают, поддерживают объемный расход жилообразующего материала германи , висмута и антимонида инди , по крайней мере в 4 раза больший, чем объемный расход стекла.Ensuring this difference is achieved in several ways: they change the direction of the capillary draw in the zone of its extension, including the crystallization front, for example, by bending the horizontal support with a capillary, which is cooled, maintain the volume flow rate of indium antimonide, at least 4 times greater than the volume flow of glass.

В указаннь1х вариантах предлагаемого способа различие значений поверхностного нат жени  на границе стекло - жилообразующий материал возникает либо благодар  дополнительному силовому воздействию в одном из направлений, лежащих в поперечном сечении микропровода, либо благодар  уменьшению изотронного силового воздействи  разм гченного стекл нного капилл ра на жилообразующий материал и про влени  при этом собственной анизотропии свойств этого материала.In the indicated variants of the proposed method, the difference in the surface tension values at the glass-vein-forming material boundary arises either due to the additional force effect in one of the directions lying in the cross section of the microwire, or due to the reduction of the isotronic force effect of the tempered glass material and at the same time, the intrinsic anisotropy of the properties of this material.

Claims (5)

Как показали эксперименты, в процессе изготовлени  литого микропровода с жилой из полупроводниковых материалов при обеспечении на границе стекло - жилообразующий материал различных значений поверхностного нат жени  в двух взаимно перпендикул рных направлени х происходит формирование и кристаллизаци  жилы в виде плоского кристалла, сечение которого и.меет форму параллелепипеда и в частности пр моугольника. Наибольшие поперечные размеры жилы формируютс  в направлении, вдоль которого поверхностное нат жение на границе стекло - жилообразующий материал имеет наименьшее значение. Формула изобретени  1. Способ изготовлени  литого микропровода в стекл нной изол ции с жилой изExperiments have shown that in the process of manufacturing a cast microwire with a core of semiconductor materials, while providing glass-core-forming material at the interface with different values of surface tension in two mutually perpendicular directions, the core forms and crystallizes in the form of a flat crystal, whose cross section and shape parallelepiped and in particular a rectangle. The largest transverse dimensions of the cores are formed in the direction along which the surface tension at the glass-to-vein-forming material has the smallest value. Claim 1. A method of manufacturing a cast microwire in glass insulation with a core of полупроводниковых или полуметаллических материалов, включающий расплавление жилообразующего материала внутри стекл нной трубки с формированием микрованны , выт гивание из стекл нной оболочки микрованны капилл ра, заполн емого расплавом упом нутого жилообразующего материала , путем создани  между ними межфазного нат жени , с последующей кристаллизацией упом нутого материала внутри каQ пилл ра, отличающийс  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей повышени  технологичности микропровода путем выполнени  его жилы плоской, межфазное нат жение создают различным по величине в двух взаимно перпендикул рныхsemiconductor or semimetallic materials, including melting of a vein-forming material inside a glass tube to form a micanna, drawing a capillary filled with a melt of the aforementioned vein-forming material from the glass shell, with subsequent crystallization of the said material inside kaq pill, characterized in that, in order to expand the functionality of improving the microwire processability by performing its lived flat, interfacial tension created in two different mutually perpendicular largest радиальных направлени х.radial directions. 2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что различие межфазного нат жени  обеспечивают соотношением между объемными2. A method according to claim 1, characterized in that the difference in interfacial tension provides a ratio between the volume расходами стекла и жилообразующего материала .expenses of glass and vein-forming material. 3.Способ по п. 2, отличающийс  тем, что дл  микропровода с жилой из германи , висмута и антимонида инди , объемный расход жилообразующего материала поддерживают по крайней мере в 4 раза больщим, чем объемный расход стекла.3. A method according to claim 2, characterized in that for a microwire with a vein of germanium, bismuth and indium antimonide, the volume flow of the vein-forming material is maintained at least 4 times as large as the volume flow of glass. 4.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что различие межфазного нат жени  обес печивают изменением направлени  выт гивани  капилл ра на его участке от микрованны до точки, лежащей за фронтом кристаллизации жилы.4. A method according to claim 1, characterized in that the difference in the interfacial tension is ensured by changing the direction of drawing the capillary in its area from the microscopic to the point behind the crystallization front of the core. 5.Способ по п. 4, отличающийс  тем, что изменение направлени  выт гивани  осуществл ют в точке кристаллизации жилы , например, путем огибани  охлаждаемой горизонтальной опоры. № Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 765888, кл. Н 01 В 13/06, 1980.5. A method according to claim 4, characterized in that the change in the direction of drawing is carried out at the point of crystallization of the core, for example, by bending around a cooled horizontal support. № Sources of information taken into account during the examination 1. USSR author's certificate 765888, cl. H 01 H 13/06, 1980.
SU803009219A 1980-12-01 1980-12-01 Method of producing cast microwire SU970483A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803009219A SU970483A1 (en) 1980-12-01 1980-12-01 Method of producing cast microwire

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803009219A SU970483A1 (en) 1980-12-01 1980-12-01 Method of producing cast microwire

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU970483A1 true SU970483A1 (en) 1982-10-30

Family

ID=20927928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803009219A SU970483A1 (en) 1980-12-01 1980-12-01 Method of producing cast microwire

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU970483A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3261676A (en) Method for forming silica articles
KR101485273B1 (en) Method of making a glass sheet using controlled cooling
KR101326978B1 (en) Glass substrate production method
CA1101216A (en) Process for the manufacture of optical fibers with a radial refractive index
EP0141534A2 (en) Optical fibre fabrication
SU970483A1 (en) Method of producing cast microwire
KR20170070014A (en) Apparatus and method for preform or tube drawing based on its viscosity
KR101929497B1 (en) Method for producing silicon single crystal
US3880634A (en) Method and apparatus for producing tubing from short glasses
JPS6044149A (en) Glass mold for vacuum suction casting
EP3705461B9 (en) Method for elongating glass optical fiber preform
JP2005104751A (en) Single crystal growing apparatus
KR101575176B1 (en) Method for growing high-quality sappier single crystal
CN206396354U (en) A kind of Crucible component for polycrystalline silicon ingot furnace
JP2556569B2 (en) Method for manufacturing base material for fluoride glass fiber
SU763115A1 (en) Method of making large-size products from polyethylene
SU659398A1 (en) Method of making large articles from polyethylene
JPH0930825A (en) Production of preform for optical fiber
JP2000335923A (en) Apparatus and method for producing cylindrical lens
SU1049577A1 (en) Method for preparing spherical single crystals of metals
JPS5852293Y2 (en) Ferrite single crystal production equipment
JP4081713B2 (en) Manufacturing method of glass base material and drawing method of glass base material
RU2164267C1 (en) Method of growing shaped crystals of refractory compounds
SU1475893A1 (en) Method of producing sheet glass from glass composition
JP6402471B2 (en) Optical fiber manufacturing method