SU963123A1 - Тонкопленочный переключательный элемент - Google Patents

Тонкопленочный переключательный элемент Download PDF

Info

Publication number
SU963123A1
SU963123A1 SU802965750A SU2965750A SU963123A1 SU 963123 A1 SU963123 A1 SU 963123A1 SU 802965750 A SU802965750 A SU 802965750A SU 2965750 A SU2965750 A SU 2965750A SU 963123 A1 SU963123 A1 SU 963123A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electrodes
cus
film
carrier concentration
metal
Prior art date
Application number
SU802965750A
Other languages
English (en)
Inventor
Шаргия Мухтар Алекперова
Нигяр Наги Кызы Абдул-Заде
Меджнун Ислам Оглы Агаев
Иса Алиага Оглы Ахмедов
Рагим Гулам Оглы Ахмед-Заде
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Азсср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Азсср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Азсср
Priority to SU802965750A priority Critical patent/SU963123A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU963123A1 publication Critical patent/SU963123A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

1
Изобретение огносигс  к полупроводниковой элекгроьшке, в часгносги к созданию и применению приборов с отрицательной проводимостью и может быть использовано в вычислительной технике, телефонной св зи и средствах автоматики в качестве коммутаторов, распределителей , а также многофункциональных логических устройств.
Известен тонкопленочный переключающий элемент на структуре металл-диэле- ктршс-металл (МДМ) с трем  и более устойчивыми состо ни ми, причем пленка диэлектрика (аморфного селена) выполнена в виде пленки мен ющейс  тол ,щины. Действие элемента основано на том, что аморфный селен различной толщины имеет разное сопротивление. При приложении напр жени  сначала включаетс  область с меньшей толщиной, а затем включаютс  последовательно области больших толщин 1.
Недостатком элемента  вл етс  то, что дл  получени  трехстабильного перекдючател  с пам тью следует приготовить трехступенчатое устойство и требуетс  многократное напыление селена через различные трафареты. Получение устройства в едином технологическом цикле невозможно . Другим недостатком  вл етс  температурна  нестабильность этого элемента , обусловленна  тем, что при небольщом повышении то пературы начинаетс  кристаллизаци  селена и изменение
10 сопротивлени  толщины селена, что приводит к температурной нестабильности параметров переключени .

Claims (2)

  1. Более близким к предлагаемому  в л етс  тснкопленочный трехстабильный переключатель с электрической пам тью, представл ющий собой гетеропереход, полученный последовательным напылением на подогретую подложку двух полупровод20 никовых материалов (ZnTe) :i (CdSe), вз тых в соотношении 1:4. Металлические электроды выполнены из золота. Толщина каждого сло  О,7-1,Р мк. После 39 напьшени  необходима гермобработка течение 1,5-2,0 ч при Недостатками известного устройства  вл ютс  наличие гистерезиса в вольтамперной характеристике (ВАХ), вызванный большой емкостью структуры, кроме того активна  область двухслойна, а также необходимость в золотых электродах и термообр або тке, Цель изобретени  - упрощение конструкцик трехстабильного переключател , обладающего безгистерезисной симметрией . Указанна  цель достигаетс  тем, что область полупроводника вьшолнена на основе полукристаллического сплава Л (f SСиБв соотношении (ЗО-4О)Л(2 и {7О6О )% CuS с концентрацией носителей (lO9 to1) см-. На чертеже представлена структура устройства, Элек гроды выполнены или из серебра, или меди, вольфрама и могут располагатьс  планарно или компланарно. Устрой- ство представл ет собой, полученный термическим напылением на ситалловую подлож 8;У|/мегаллические электроды I и 2 и полупроводниковую плешсу 3, то.лщиной 0,9-1,0 мкм.. Концентраци  носителей в сульфидах серебра и меди Сначала образец находитс  в высокоомном состо нии. При достижении напр жением пороговой величины наблюдаетс  первый участок отрицательного сопротивлени  и элемент переходит на первое провод щее состо ние, падение напр жени  на нем уменьшаетс  скачком. Дальнейшее увеличение тока через элемент переводит его 234 во второе, более ниэкоомное состчэ ние. Оба провод щих состо ни  при соответствующих токах и напр жени х запоминаютс  элементом. Действие предлагаемого трехстабильного переключател  обусловлено тем, что 3 запрещенной зоне активного материала сильнолегированного и компенсированного имеетс  глубоколежашнй уровень, при ионизации которого возникаат первое провод щее состо ние Второе более высокопровод щее состо ние обусловлено ударной ионизацией и лавинным умножением носителей. Предлагаемое устройство более просто в изготовлении, активна  область однослойна , возможна микроминиатюризаци , может быть использованно в автоматике в качестве многофункдионного элемента пам ти. Формула изобретени  Тонкопленочный переключательный элемент , содержащий области металл-пслупроводник-металл , отличающийс   тем, что, с целью повышени  термической стабильности, область попупроводНика вьгаолнена на основе поликристаллического сплава/li Q.-CuS в соотношении (ЗО-4О)% (7O-60)%CuS с концентрацией носителей (1О9-109) см . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе I, Авторское свидетельство СССР № 288152, кл. G 11 С 11/34, 1969.
  2. 2. Дэнси иусин гаккай ромбунси. Trans Dnst Eeeotroh and Commun Japan. 1973, 5-6, № 9, c. 553-554 (прототип).
SU802965750A 1980-12-31 1980-12-31 Тонкопленочный переключательный элемент SU963123A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802965750A SU963123A1 (ru) 1980-12-31 1980-12-31 Тонкопленочный переключательный элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802965750A SU963123A1 (ru) 1980-12-31 1980-12-31 Тонкопленочный переключательный элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU963123A1 true SU963123A1 (ru) 1982-09-30

Family

ID=20911709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802965750A SU963123A1 (ru) 1980-12-31 1980-12-31 Тонкопленочный переключательный элемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU963123A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5315131A (en) Electrically reprogrammable nonvolatile memory device
US9985076B2 (en) Diode/superionic conductor/polymer memory structure
US3385731A (en) Method of fabricating thin film device having close spaced electrodes
US3829743A (en) Variable capacitance device
US3290569A (en) Tellurium thin film field effect solid state electrical devices
KR960002292B1 (ko) 초전도 전계-효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법
US5140299A (en) Article comprising a high value resistor
SU963123A1 (ru) Тонкопленочный переключательный элемент
US3654531A (en) Electronic switch utilizing a semiconductor with deep impurity levels
JP3030285B2 (ja) ナノスケールのモット転移分子電界効果トランジスタ
Egerton Measurements of the Field Effect in Amorphous Switching Materials
US3358192A (en) Unitary multiple solid state switch assembly
JP2001024244A (ja) 積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタ
Kim et al. High-performance resistive random access memory using two-dimensional electron gas electrode and its switching mechanism analysis
NO150439B (no) Mellomprodukter for fremstilling av antibakterielt aktive oleandomycin-derivater
RU170735U1 (ru) Свч конденсатор для цепей согласования радиофотонных элементов
SU1585834A1 (ru) Элемент пам ти
JPS6231167A (ja) バイポ−ラのオン状態を有する双方向性電力fet
TW201310660A (zh) 具有電阻或電容的電路結構
SE7904141L (sv) Plan transmissionsledningsdempare och -omkopplare
SU1005223A1 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
JP4234216B2 (ja) シリコン制御整流器及び高電圧scrスイッチ
Wang et al. A Study on the Interfacial Structure Design of Self‐Compliance Ni/HfOx/Ni Bipolar Selectors and Trap‐to‐Trap Tunneling Mechanism Caused by Redox Reaction
Abdullayev et al. Memory switching effects in locally grown polycrystalline silicon films
CN118610292A (zh) 一种光探测器件及其制备方法、感光芯片和电子设备