SU963123A1

SU963123A1 - Тонкопленочный переключательный элемент

Info

Publication number: SU963123A1
Application number: SU802965750A
Authority: SU
Inventors: Шаргия Мухтар Алекперова; Нигяр Наги Кызы Абдул-Заде; Меджнун Ислам Оглы Агаев; Иса Алиага Оглы Ахмедов; Рагим Гулам Оглы Ахмед-Заде
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Азсср
Priority date: 1980-12-31
Filing date: 1980-12-31
Publication date: 1982-09-30

Description

1

Изобретение огносигс к полупроводниковой элекгроьшке, в часгносги к созданию и применению приборов с отрицательной проводимостью и может быть использовано в вычислительной технике, телефонной св зи и средствах автоматики в качестве коммутаторов, распределителей , а также многофункциональных логических устройств.

Известен тонкопленочный переключающий элемент на структуре металл-диэле- ктршс-металл (МДМ) с трем и более устойчивыми состо ни ми, причем пленка диэлектрика (аморфного селена) выполнена в виде пленки мен ющейс тол ,щины. Действие элемента основано на том, что аморфный селен различной толщины имеет разное сопротивление. При приложении напр жени сначала включаетс область с меньшей толщиной, а затем включаютс последовательно области больших толщин 1.

Недостатком элемента вл етс то, что дл получени трехстабильного перекдючател с пам тью следует приготовить трехступенчатое устойство и требуетс многократное напыление селена через различные трафареты. Получение устройства в едином технологическом цикле невозможно . Другим недостатком вл етс температурна нестабильность этого элемента , обусловленна тем, что при небольщом повышении то пературы начинаетс кристаллизаци селена и изменение

10 сопротивлени толщины селена, что приводит к температурной нестабильности параметров переключени .

Claims

Более близким к предлагаемому в л етс тснкопленочный трехстабильный переключатель с электрической пам тью, представл ющий собой гетеропереход, полученный последовательным напылением на подогретую подложку двух полупровод20 никовых материалов (ZnTe) :i (CdSe), вз тых в соотношении 1:4. Металлические электроды выполнены из золота. Толщина каждого сло О,7-1,Р мк. После 39 напьшени необходима гермобработка течение 1,5-2,0 ч при Недостатками известного устройства вл ютс наличие гистерезиса в вольтамперной характеристике (ВАХ), вызванный большой емкостью структуры, кроме того активна область двухслойна, а также необходимость в золотых электродах и термообр або тке, Цель изобретени - упрощение конструкцик трехстабильного переключател , обладающего безгистерезисной симметрией . Указанна цель достигаетс тем, что область полупроводника вьшолнена на основе полукристаллического сплава Л (f SСиБв соотношении (ЗО-4О)Л(2 и {7О6О )% CuS с концентрацией носителей (lO9 to1) см-. На чертеже представлена структура устройства, Элек гроды выполнены или из серебра, или меди, вольфрама и могут располагатьс планарно или компланарно. Устрой- ство представл ет собой, полученный термическим напылением на ситалловую подлож 8;У|/мегаллические электроды I и 2 и полупроводниковую плешсу 3, то.лщиной 0,9-1,0 мкм.. Концентраци носителей в сульфидах серебра и меди Сначала образец находитс в высокоомном состо нии. При достижении напр жением пороговой величины наблюдаетс первый участок отрицательного сопротивлени и элемент переходит на первое провод щее состо ние, падение напр жени на нем уменьшаетс скачком. Дальнейшее увеличение тока через элемент переводит его 234 во второе, более ниэкоомное состчэ ние. Оба провод щих состо ни при соответствующих токах и напр жени х запоминаютс элементом. Действие предлагаемого трехстабильного переключател обусловлено тем, что 3 запрещенной зоне активного материала сильнолегированного и компенсированного имеетс глубоколежашнй уровень, при ионизации которого возникаат первое провод щее состо ние Второе более высокопровод щее состо ние обусловлено ударной ионизацией и лавинным умножением носителей. Предлагаемое устройство более просто в изготовлении, активна область однослойна , возможна микроминиатюризаци , может быть использованно в автоматике в качестве многофункдионного элемента пам ти. Формула изобретени Тонкопленочный переключательный элемент , содержащий области металл-пслупроводник-металл , отличающийс тем, что, с целью повышени термической стабильности, область попупроводНика вьгаолнена на основе поликристаллического сплава/li Q.-CuS в соотношении (ЗО-4О)% (7O-60)%CuS с концентрацией носителей (1О9-109) см . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе I, Авторское свидетельство СССР № 288152, кл. G 11 С 11/34, 1969.
2. Дэнси иусин гаккай ромбунси. Trans Dnst Eeeotroh and Commun Japan. 1973, 5-6, № 9, c. 553-554 (прототип).