SU960680A1 - Способ измерени Э.Д.С.Холла - Google Patents

Способ измерени Э.Д.С.Холла Download PDF

Info

Publication number
SU960680A1
SU960680A1 SU813249011A SU3249011A SU960680A1 SU 960680 A1 SU960680 A1 SU 960680A1 SU 813249011 A SU813249011 A SU 813249011A SU 3249011 A SU3249011 A SU 3249011A SU 960680 A1 SU960680 A1 SU 960680A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hall
probes
measured
emf
current
Prior art date
Application number
SU813249011A
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Александрович Марасанов
Айк Рубенович Манкулов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2892
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2892 filed Critical Предприятие П/Я В-2892
Priority to SU813249011A priority Critical patent/SU960680A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU960680A1 publication Critical patent/SU960680A1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

, -1 . Изобретение относитс  к полупроводниковой электронике и предназначено дл  контрол  электрофизических параметров полупроводниковых материалов.
Известен способ измерени  ЭДС Холда , состо щий в том, что полупроводникова  пластина подвергаетс  воздействию магнитного пол , а четыре зонда устанавливаютс  по кра м пластин 1 J.
., .
Недостатком этого способа  вл етс  невозможность измерени  ЭДС Холла в произвольных част х полупроводниковой пластины.,5
Наиболее близким по технической сущйости к предлагаемому способу  вг л етс  способ измерени  ЭДС Холла, заключающийс  в том, что зонды располагают по кра м или на равных рас- 20 сто них от краев однородной пластины и между двум  противоположными зондами пропускают ток, а на двух других измер ют напр жение, воздейству  на
пластину однородным магнитным полем 2.
Однако известный способ измерени  ЭДС Холла характеризуетс  низкой локальностью в св зи с тем, что рассто ние от краев пластины до зондов не может быть слишком большим, так как с увеличением этого рассто ни  измер ема  ЭДС Холла уменьшаетс , стрем сь к нулю.
Целью изобретени   вл етс  увеличение точности измерени  путем обеспечени  возможности локального измерени  ЭДС Холла в прои вольных участках пластины, размеры которых значительно меньше размеров пластины.

Claims (2)

  1. Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу измерени  ЭДС Холла в полупроводниковой пластине , включающем операции воздействи  магнитного пол  на полупроводниковую пластину с четырьм  электрическими зондами, через два из которых пропускают ток, а на двух других измер ют напр жение, пластину подвергают воздействию магнитного пол , индукци  которого скачкообраз но уменьшаетс  до нул  на границе участка, в котором измер етс  ЭДС Холла. Способ основан на использовании краевого эффекта Хблла. Резкое изменение индукции магнит ного пол  ёыдел ет в полупроводни ковой пластине границы - кра  измер емого участка. Это позвол ет измер ть ЭДС Холла независимо от размеров измер емого участка. На чертеже приведено устройство реализующее предлагаемый способ. Устройство содержит два соосных магнитных зонда 1 и 2, которые  вл ютс  составной частью магнитопровода электромагнита 3 причем размеры поперечных сечений магнитных зондов 1 и 2 равны. Магнитный зонд 2 укреплен на измерительном столе k на котором расположена полупроводникова  пластина 5, таким образом , что участок 6, в котором измер етс  ЭДС Холла находитс  в зазо ре между магнитными зондами 1 и 2, По границе 6 участка 7 установлены четыре электрических зонда: два ток вых 8, 9 и два холловских - 10 и 11 Предлагаемое устройство позвол ет обеспечить резкий перепад индукц магнитного пол  до нул  на границе 6 измер емого участка 7. При протекании тока между токовы ми зондами 8 и 9 под воздействием магнитного пол , созданного с помощью электромагнита 3 магнитными зон дами 1 и 2, на участке 7 возникает ЭДС Холла, котора  измер етс  на хо ловских зондах 10 и 11. ЭДС Холла максимальна, когда токовые зонды 8, 9 и холловские зонды 10 и 11 установлены на границе 6 участка 7 т.е. на границе резкого перепада индукции магнитного пол . Если токовые зонды 9 и 8 удал ть от границы 6, то это приводит к уменьшению измер емой ЭДС Холла. Сближение токовых зондов 9 и 8 приВОДИТ к увеличению шунтировани  ЭДС Холла сопротивлением пластины и к уменьшению измер емого на холловских зондах 11 и 10 напр жени  от границы 6. Сближение холловских зондов 11 и 10 также приводит к уменьшению измер емого напр жени , так как в этом случае измер етс  часть ЭДС Холла. Таким образом, величина ЭДС Холла, измеренна  предлагаемым способом, не зависит от величины и расположени  участка, в котором измер етс  ЭДС Холла. Предлагаемый способ  вл етс  абсолютно неразрушающим и позвол ет без предварительной подготовки на рабочих пластинах оперативно с высокой степенью локальности измер ть ЭДС Холла, а по ней и электрофизические параметры полупроводников. Это приводит к значительному сокращению затрат времени, упрощению систем технологического контрол  и повышению их технико экономической эффективности . Формула изобретени  Способ измерени  ЭДС Холла в полупроводниковой пластине, включающий операции воздействи  магнитного пол  на полупроводниковую пластину с четырьм  электрическими зондами, через два из которых пропускают тОк, а наДвух других измер ют напр жение , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  точности измерений , ее подвергают воздействию магнитного пол , индукци  которого скачкообразно уменьшаетс  до нул  на границе участка, в котором измер етс  ЭДС Холла. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР If 658507, кл. G 01 R 31/26, 1379.
  2. 2.Ланг Ю. Journal of Applied Physics. 196i, 35, № 9. pp. 26592664 .
    /
SU813249011A 1981-02-13 1981-02-13 Способ измерени Э.Д.С.Холла SU960680A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813249011A SU960680A1 (ru) 1981-02-13 1981-02-13 Способ измерени Э.Д.С.Холла

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813249011A SU960680A1 (ru) 1981-02-13 1981-02-13 Способ измерени Э.Д.С.Холла

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU960680A1 true SU960680A1 (ru) 1982-09-23

Family

ID=20943443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813249011A SU960680A1 (ru) 1981-02-13 1981-02-13 Способ измерени Э.Д.С.Холла

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU960680A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111289928A (zh) * 2020-03-10 2020-06-16 无锡力芯微电子股份有限公司 霍尔器件测试系统和测试方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111289928A (zh) * 2020-03-10 2020-06-16 无锡力芯微电子股份有限公司 霍尔器件测试系统和测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2149847A (en) Apparatus for measuring fluid flow
US10073151B2 (en) Fast hall effect measurement system
US2607223A (en) Apparatus for measuring rate of fluid flow
JPH08304466A (ja) 電流計
US4290016A (en) Method and apparatus for establishing magnetization levels for magnetic particle testing or the like
SU960680A1 (ru) Способ измерени Э.Д.С.Холла
EP3940396B1 (en) Current sensor and method
US3365665A (en) Hall current measuring apparatus having a series resistor for temperature compensation
Eisenstein et al. High precision de Haas-van Alphen measurements on a two-dimensional electron gas
SU1041941A1 (ru) Способ измерени вихревого тока в ферромагнитном теле
SU788053A1 (ru) Устройство дл измерени температурной зависимости холловской подвижности носителей зар да в полупроводниковых материалах
SU366424A1 (ru) Способ измерения температурной производной
US1615648A (en) Measuring instrument
Persico Optimum conditions for a beta-ray solenoid spectrometer
US3240939A (en) Measurement of electric and magnetic fields by backscattering of nuclear radiation particles
JPS63235852A (ja) 電極の汚れ検出機能付き導電率測定方法及び装置
JPS6447960A (en) Method and apparatus for measuring resistivity
SU901953A1 (ru) Устройство дл измерени магнитной индукции посто нных магнитов
Lehner Probing technique for measuring the potential distribution in semiconductors
SU917071A1 (ru) Способ обнаружени дефекта в ферромагнитных издели х
PL66193B1 (ru)
Mulady A 0.001 per cent Hall-effect probe
SU966797A1 (ru) Магниточувствительный прибор
SU552577A1 (ru) Устройство дл измерени потока насыщени ферромагнитных пленок
SU960630A1 (ru) Электромагнитный первичный измерительный преобразователь скорости