SU960680A1 - Способ измерени Э.Д.С.Холла - Google Patents

Description

, -1 . Изобретение относитс  к полупроводниковой электронике и предназначено дл  контрол  электрофизических параметров полупроводниковых материалов.

Известен способ измерени  ЭДС Холда , состо щий в том, что полупроводникова  пластина подвергаетс  воздействию магнитного пол , а четыре зонда устанавливаютс  по кра м пластин 1 J.

., .

Недостатком этого способа  вл етс  невозможность измерени  ЭДС Холла в произвольных част х полупроводниковой пластины.,5

Наиболее близким по технической сущйости к предлагаемому способу  вг л етс  способ измерени  ЭДС Холла, заключающийс  в том, что зонды располагают по кра м или на равных рас- 20 сто них от краев однородной пластины и между двум  противоположными зондами пропускают ток, а на двух других измер ют напр жение, воздейству  на

пластину однородным магнитным полем 2.

Однако известный способ измерени  ЭДС Холла характеризуетс  низкой локальностью в св зи с тем, что рассто ние от краев пластины до зондов не может быть слишком большим, так как с увеличением этого рассто ни  измер ема  ЭДС Холла уменьшаетс , стрем сь к нулю.

Целью изобретени   вл етс  увеличение точности измерени  путем обеспечени  возможности локального измерени  ЭДС Холла в прои вольных участках пластины, размеры которых значительно меньше размеров пластины.

Claims (2)

1. Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу измерени  ЭДС Холла в полупроводниковой пластине , включающем операции воздействи  магнитного пол  на полупроводниковую пластину с четырьм  электрическими зондами, через два из которых пропускают ток, а на двух других измер ют напр жение, пластину подвергают воздействию магнитного пол , индукци  которого скачкообраз но уменьшаетс  до нул  на границе участка, в котором измер етс  ЭДС Холла. Способ основан на использовании краевого эффекта Хблла. Резкое изменение индукции магнит ного пол  ёыдел ет в полупроводни ковой пластине границы - кра  измер емого участка. Это позвол ет измер ть ЭДС Холла независимо от размеров измер емого участка. На чертеже приведено устройство реализующее предлагаемый способ. Устройство содержит два соосных магнитных зонда 1 и 2, которые  вл ютс  составной частью магнитопровода электромагнита 3 причем размеры поперечных сечений магнитных зондов 1 и 2 равны. Магнитный зонд 2 укреплен на измерительном столе k на котором расположена полупроводникова  пластина 5, таким образом , что участок 6, в котором измер етс  ЭДС Холла находитс  в зазо ре между магнитными зондами 1 и 2, По границе 6 участка 7 установлены четыре электрических зонда: два ток вых 8, 9 и два холловских - 10 и 11 Предлагаемое устройство позвол ет обеспечить резкий перепад индукц магнитного пол  до нул  на границе 6 измер емого участка 7. При протекании тока между токовы ми зондами 8 и 9 под воздействием магнитного пол , созданного с помощью электромагнита 3 магнитными зон дами 1 и 2, на участке 7 возникает ЭДС Холла, котора  измер етс  на хо ловских зондах 10 и 11. ЭДС Холла максимальна, когда токовые зонды 8, 9 и холловские зонды 10 и 11 установлены на границе 6 участка 7 т.е. на границе резкого перепада индукции магнитного пол . Если токовые зонды 9 и 8 удал ть от границы 6, то это приводит к уменьшению измер емой ЭДС Холла. Сближение токовых зондов 9 и 8 приВОДИТ к увеличению шунтировани  ЭДС Холла сопротивлением пластины и к уменьшению измер емого на холловских зондах 11 и 10 напр жени  от границы 6. Сближение холловских зондов 11 и 10 также приводит к уменьшению измер емого напр жени , так как в этом случае измер етс  часть ЭДС Холла. Таким образом, величина ЭДС Холла, измеренна  предлагаемым способом, не зависит от величины и расположени  участка, в котором измер етс  ЭДС Холла. Предлагаемый способ  вл етс  абсолютно неразрушающим и позвол ет без предварительной подготовки на рабочих пластинах оперативно с высокой степенью локальности измер ть ЭДС Холла, а по ней и электрофизические параметры полупроводников. Это приводит к значительному сокращению затрат времени, упрощению систем технологического контрол  и повышению их технико экономической эффективности . Формула изобретени  Способ измерени  ЭДС Холла в полупроводниковой пластине, включающий операции воздействи  магнитного пол  на полупроводниковую пластину с четырьм  электрическими зондами, через два из которых пропускают тОк, а наДвух других измер ют напр жение , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  точности измерений , ее подвергают воздействию магнитного пол , индукци  которого скачкообразно уменьшаетс  до нул  на границе участка, в котором измер етс  ЭДС Холла. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР If 658507, кл. G 01 R 31/26, 1379.
2. 2.Ланг Ю. Journal of Applied Physics. 196i, 35, № 9. pp. 26592664 .

   /