SU959165A1 - Memory device - Google Patents

Memory device Download PDF

Info

Publication number
SU959165A1
SU959165A1 SU813239593A SU3239593A SU959165A1 SU 959165 A1 SU959165 A1 SU 959165A1 SU 813239593 A SU813239593 A SU 813239593A SU 3239593 A SU3239593 A SU 3239593A SU 959165 A1 SU959165 A1 SU 959165A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
control
transistor
key
bus
Prior art date
Application number
SU813239593A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Павел Аркадьевич Дик
Натан Моисеевич Ройзин
Владимир Яковлевич Стенин
Original Assignee
Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт filed Critical Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт
Priority to SU813239593A priority Critical patent/SU959165A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU959165A1 publication Critical patent/SU959165A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

(54) ЗАПОМИНАКХЦЕЕ УСТРОЙСТВО(54) RECORDING DEVICE

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам и может быть использовано в устройствах динамической пам ти, а также дл  хранб:ни  как аналоговой, так и цифровой информации с электрическим и оптическим вводом.The invention relates to memory devices and can be used in dynamic memory devices as well as for storing neither analogue or digital information with electrical and optical input.

Известно.запоминающее устройство (ЗУ), содержащее первый операционный усилитель (ОУ), аналоговый ключ, накопительный конденсатор и второй ОУ, осуществл ющее запоминание одной выборки аналогового сигнала Cl.The known storage device (RAM) contains the first operational amplifier (OA), the analog switch, the storage capacitor, and the second OU, which stores one sample of the analog signal Cl.

Недостатками этого устройства  вл ютс  его сложность и невозможность одновременного хранени  большого числа выборок аналоговых сигналов . . ,The disadvantages of this device are its complexity and the impossibility of simultaneously storing a large number of samples of analog signals. . ,

Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  ЗУ, содержащее сдвиговый регистр на приборах , с зар довой св зью ,ПЗС) с выходной , и входной шинами, шингичи управлени  записью и считыванием, перва , шина управлени  переносом которого соединена с выходом формировател  импульсных сигналов, импульсный вхЬд которого соединен с выходом устройства управлени  переносом, вход устройства управлени  переносомThe closest technical solution to the invention is a memory containing a shift register on devices, with charge coupling, CCD) with output, and input bus, write and read control busbars, first, the transfer control bus of which is connected to the output of pulse generator, the pulse input of which is connected to the output of the transfer control device, the input of the transfer control device

подсоединён к шине управлени  режимом работы запоминающего устройства, втора  шина управлени  переносом сдвинутого регистра соединена с шиной питани  2.connected to the control bus of the memory device, the second transfer control bus of the shifted register is connected to the power bus 2.

Недостатком этого устройства  вл етс  большое потребление мощности, обусловленное большим рассе нием мощности, особейно на высоких так10 товых частотах, расходуемой при зар де емкости шины управлени  переносом сдвигового регистра с помощью ключевого элемента и при последующем ее разр де в процессе формирова15 ни  пр моугольного управл ющего импульса напр жени .A disadvantage of this device is a large power consumption, due to the large power dissipation, especially at high frequencies that are consumed when charging the capacity of the transfer control bus of the shift register with the help of a key element and during its subsequent discharge during the formation of a rectangular control pulse voltage.

Цель изобретени  - снижение потребл емой устройством мощности.The purpose of the invention is to reduce the power consumed by the device.

Поставленна  цель достигаетс  тем, The goal is achieved by

20 что в запоминающее устройство, содержащее сдвиговый регистр, формирователь импульсов и блок местного управлени , первый выход которого подключен к первому входу формирова25 тел  импульсов, выход которого соединен с первым выходом переноса сдвигового регистра, второй выход переноса которого подключён к первой шине питани , а первый и второй упр&в30 л ющие и информационные вход и выход  вл ютс  соответственно входам управлени  записью, управлени  счи тыванием, информационными входом выходом устройства, введены управл емый ключ, блок подстройки.ампли туды импульсов и элемент подстройк длительности импульсов, первый вывод которого соединен с выходом уп равлени  ключа, а второй вывод - с выходом формировател  импульсов и входом блока подстройки амплитуды импульсов, выход которого подключен ко второму входу формировател  импульсов, первый вход управл емог ключа соединен со вторым выходом блока местного управлени , а второ вход соединен с второй шиной питани . Управл емый ключ содержит управ л ющие транзисторы п-р-п-типа, клю чевой транзистор р-п-р-типа, резисторы и диод, причем база первог управл ющего транзистора соединена с первым выводом первого резистора а коллектор подключен к базе второ управл ющего транзистора, эмиттер которого соединен с шиной нулевого потенциала, а коллектор - с первым выводом второго резистора и базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к аноду диода, катод которого соединен с эмиттером ключевого транзистора и вторыми вы водами резисторов, эмиттер первого управл ющего транзистора, эмиттер и коллектор ключевого транзистора  вл ютс  соответственно первым и в рь1м входами и выходом ключа. Блок подстройки амплитуды импуль сов содержит дифференциальный усилитель , нагрузочный элемент, накопительный элемент и элемент разв зки , первый выход которого  вл етс  входом блока, а второй вывод подклю чен к первым выводам нагрузочного и накопительного элементов и пр мому входу дифференциального усилител , инверсный вход которого соединен с шиной смещени , а выход  вл етс , вы ходом блока, вторые выводы накопительного и нагрузочного элементов подключены соответственно к шине .нулевого потенциала и к третьей шине питани . Формирователь импульсов содержит третий управл ющий и усилительный -транзисторы п-р-п-типа и третий резистор, первый вывод которого под ключен к базе третьего управл ющего транзистора, коллектор которого сое динен с базой усилительного транзистора , эмиттер которого подключён к шине нулевого потенциала, а коллектор  вл етс  выходом блока, первым и вторым входами которюго  в л ютс  с.оответствённо эмиттер третьего управл ющего транзистора и вт рой вывод третьего резистора. На фиг.1 приведены функциональна  схема предложенного устройства и принципиальные схемы управл емого ключа, формировател  импульсов, и блока подстройки амплитуды импульсов; на фиг.2 - временные диаграммы, по сн ющие работу устройства. ЗУ содержит (фиг.1) сдвиговый ре .гистр 1 на ПЗС с информационным вхо-. дом 2, выходом 3, входом 4 управлени  записью, входом 5 управлени  считыванием, первым 6 и вторым 7 выходами переноса; формирователь 8 импульсов с первым 9 и вторым 10 входами и выходом 11; блок 12 местного управлени  с первым 13 и вторым 14 выходами; блок 15 подстройки амплитуды импульсов; первую 16 и вторую 17 шины питани ; элемент 18 подстройки длительности импульсов, например индуктивный элемент, и управа л емый ключ 19. Управл емый ключ содержит первый 20 и второй 21 управл ющие транзисторы п-р-п-типа, ключевой транзистор 22, диод 23, первый 24 и второй 25 резисторы. Блок 15 подстройки амплитуды импульсов содержит элемент 26 разв зки , например диод, накопительный элемент 27, например конденсатор, нагрузочный элемент 28, например резистор, дифференциальный усилитель 29 с пр мым 30 и инверсным 31 входами и шину 32 смещени . Формирователь 8 импульсов содержит третий управл ющий 33 иусилительный 34 транзисторы, п-р-п-типа и третий резистор 35. На фиг.1 обоз-, начен вход 36 устройства. На фиг . 2 обозначены: уровни напр жени  Ujj, на входе 36 устройства , уровни напр жени  U-j и импульсы напр жени  u/j, соответственно на выходах 14 и 13 блока 12, импульсы напр жени  U и уровень напр жени  U-; соответственно на выходах 6 и 7 регистра 1, уровень напр жени  питани  и2 на шине 17 питани , напр жение и.иа коллекторе транзистора 22, нижний уровень UH напр жени  закон изменени  тока i в элементе 18. Описанное ЗУ работает следующим образом. В режиме хранени  информациц, на выходе 6 регистра 1 поддерживаетс  уровень напр жени  и, определ ющий нижний уровень импульсов О управлени  переносом,- выход 7 находитс  под более высоким потенциалом хранени  U-J. При этом информационные зар ды локализуютс  под электродами , присоединенными к выходу 7 регистра 1. В некоторый момент времени tg (фиг.2) на входы 4 управлени  записью и 5 управлени  считыванием20 that a memory device containing a shift register, a pulse shaper and a local control unit, the first output of which is connected to the first input of a pulse body, the output of which is connected to the first transfer output of the shift register, the second transfer output of which is connected and the second control & 30 information and information input and output are respectively the recording control, read control, information input and output of the device, the control key is entered, pulse trimming pulse amplitude and pulse width trimming element, the first output of which is connected to the output of the key control, and the second output - with the output of the pulse former and the input of the pulse amplitude adjustment unit, the output of which is connected to the second input of the pulse former, the first control input the key is connected to the second output of the local control unit, and the second input is connected to the second power bus. The control key contains pnp type control transistors, a pnp type key transistor, resistors and a diode, with the base of the first control transistor connected to the first output of the first resistor and the collector connected to the base of the second control the emitter of which is connected to the zero potential bus, and the collector is connected to the first terminal of the second resistor and the base of the key transistor whose collector is connected to the diode anode, the cathode of which is connected to the emitter of the key transistor and the second leads of the resistors the first- control transistor, the emitter and collector transistor are respectively first and r1m inputs and the output key. The pulse amplitude adjustment unit contains a differential amplifier, a load element, a storage element and an isolation element, the first output of which is the input of the block, and the second output is connected to the first terminals of the load and storage elements and the direct input of the differential amplifier whose inverse input is connected With the bias bus, and the output is, the output of the block, the second terminals of the storage and load elements are connected respectively to the zero potential bus and to the third power bus. The pulse shaper contains the third control and amplifying pnp type transistors and the third resistor, the first output of which is connected to the base of the third control transistor whose collector is connected to the base of the amplifying transistor, the emitter of which is connected to the zero potential bus, and the collector is the output of the block, the first and second inputs of which are the emitter of the third control transistor and the third output of the third resistor. Fig. 1 shows a functional diagram of the proposed device and schematic diagrams of a controllable key, a pulse shaper, and a pulse amplitude adjustment unit; 2 shows timing diagrams for the operation of the device. The memory contains (Fig. 1) a shift register. 1 on the CCD with information input. house 2, output 3, write control input 4, read control input 5, first 6 and second 7 transfer outputs; driver 8 pulses with the first 9 and second 10 inputs and output 11; local control unit 12 with first 13 and second 14 outputs; block 15 adjustment of the amplitude of the pulses; the first 16 and second 17 power tires; a pulse width adjustment element 18, for example an inductive element, and a control key 19. The control key comprises first 20 and second 21 control transistors of a pnp type, key transistor 22, diode 23, first 24 and second 25 resistors . The pulse amplitude adjustment unit 15 includes an isolation element 26, such as a diode, a storage element 27, such as a capacitor, a load element 28, such as a resistor, a differential amplifier 29 with a forward 30 and inverse 31 inputs, and a bias bus 32. The pulse shaper 8 comprises a third control 33 and a power 34 transistors, pn-type and a third resistor 35. In Fig. 1, the device input 36 is started. FIG. 2 denotes: voltage levels Ujj, at device input 36, voltage levels U-j and voltage pulses u / j, respectively, at outputs 14 and 13 of unit 12, voltage pulses U and voltage level U-; respectively, at outputs 6 and 7 of register 1, the supply voltage level and 2 on the power bus 17, the voltage and the collector of transistor 22, the lower voltage level UH, the law of change of current i in the element 18. The described memory operates as follows. In the storage mode of the information, the output 6 of the register 1 maintains the voltage level and, determining the lower level of the transfer control pulses O, the output 7 is under a higher storage potential U-J. In this case, the information charges are localized under the electrodes connected to the output 7 of register 1. At some instant of time tg (Fig. 2) to the inputs 4 of the write control and 5 of the read control

(фиг.1) поступает сигнал начала записи информации, поступающий на вход 2 (либо начала считывани  информации с выхода 3). Одновременно на вход 36 устройства подаетс  управл ющий импульс. На выходе 14 блока 12 формируетс  импульс, который подаетс  на вход ключа 19 и замыкает его. При этом элемент 18 подключаетс  через замкнутый ключ 19 к шине 17 питани  с напр жением V, Происходит ударное возбуждение колебательного контура, образованного элементом 18 и паразитным конденсатором шины управлени  переносом, подключенной к выходу 6.(Fig. 1) a signal is received to start recording information, which enters input 2 (or starts reading information from output 3). At the same time, a control pulse is applied to the device input 36. At the output 14 of the block 12, a pulse is formed, which is fed to the input of the key 19 and closes it. In this case, the element 18 is connected via a closed key 19 to the power bus 17 with a voltage V. A shock excitation of an oscillating circuit formed by the element 18 and a parasitic transfer control bus capacitor connected to the output 6 occurs.

Дл  обеспечени  незатухающего процесса колебаний в контуре с выхода 11 формировател  8 на выход подаютс  импульсы тока с частотой повторени , определ емой блоком 12, равной резонансной частоте контура ujp (возможно применение частот субгармоник , т.е. bUp/2,шр/3 и т.д.). Амплитуда импульсов тока на выходе 11 регулируетс  с помощью блока 15, который поддерживает на. входе 1-0 формировател  8 необходимый потен . циал, обеспечивающий на выходе 6 незатухающие колебани .To ensure a continuous process of oscillations in the circuit from the output 11 of the former 8, current pulses with a repetition frequency determined by block 12 equal to the resonant frequency of the circuit ujp are applied to the output (subharmonic frequencies are possible, i.e. bUp / 2, hf / 3 and t .d.) The amplitude of the current pulses at the output 11 is controlled by the block 15, which is maintained on. input 1-0 shaper 8 required potential. A dial that provides 6 continuous oscillations at the output.

Происходит перенос информации в регистре 1, а также запись и/или считывание информации в зависимости от состо ни  входов 4 и 5.The transfer of information in register 1 occurs, as well as the recording and / or reading of information depending on the state of inputs 4 and 5.

Перевод запомииающёго устройства в режим хранени  информации осуществл етс  по сигналу, поступающему на вход 36 блока 12. В момент t когда ток в элементе -18 равен нулю, а напр жение на выходе 6 управлени  переносом равно UH/ управл емый ключ 19 по сигналу с выхода 14 размыкаетс  и колебани  напр жени  на выходе б прекращаютс , а также прерываютс  импульсы на выходе 13 блока 12. Блок 15 обладает пам тью, поэтому амплитудные значени  напр жений последующих групп управл ющих колебаний на выходе 6 устанавливаютс  практически с первого колебани .The transfer of the storage device to the information storage mode is effected by a signal input to input 36 of block 12. At time t, when the current in the -18 element is zero, and the transfer control output 6 is equal to UH / control key 19 by the output signal 14 is opened and the voltage fluctuations at output b are stopped, and the pulses at output 13 of block 12 are interrupted. Block 15 has memory, therefore, the amplitude values of the voltages of subsequent control oscillation groups at output 6 are set almost from the first oscillation.

Условие, считывани  части информации , хран щейс  .в ЗУ, без искажени  оставшейс  информации определ ет требовани  к форме колебаний напр жени  на выходе 6 Наличие остаточных колебаний после момента времени ., может привести к уничтожению части информационных зар дов пакетов или к взаимным перекрытным искажени м зар довых пакетов, хранившихс  в соседних ПЗС- чейках регистра 1. Кроме того, если размыкание ключа происходит в моментThe condition of reading part of the information stored in the memory, without distorting the remaining information, determines the requirements for the form of voltage oscillations at the output 6. The presence of residual oscillations after a moment of time can lead to the destruction of part of the information charges of the packets or mutual overlap distortions. charge packets stored in the neighboring CCD cells of register 1. In addition, if the key is opened at the moment of

„ 2Ji„2Ji

t t + &t , где ДЦ«Т--рt t + & t, where DC "T - p"

2Jin2Jin

то в элеп - 1, 2,...then in elep - 1, 2, ...

0+Шр  0 + Shr

менте 18 возникает ЭДС самоиндукции. Она может вывести из стро  управл емый ключ 19, который снижает требовани  к стабильности момента окончани  импульса на его первом входе;At 18, self-induced emf occurs. It can disable the controllable key 19, which reduces the stability requirements of the moment the pulse ends at its first input;

t. ,, 0.At,.-.t. ,, 0. At, .-.

. КЛК1Ч 19 работает следующим образом .. KLK1CH 19 works as follows.

В исходном состо нии при на In the initial state with

0 первом выходе ключа 19 - нулевой потенциал, транзистор 20 насыщен, транзисторы 21 и 22 закрыты (ключ 19 разомкнут). В момент времени t to на эмиттер транзистора 20 подаетс  0 the first output of the key 19 is zero potential, the transistor 20 is saturated, the transistors 21 and 22 are closed (the key 19 is open). At time t to, the emitter of the transistor 20 is supplied

5 единичный логический сигнал, и эмиттерный переход закрываетс . Ток резистора 25 отпирает транзистор 21, коллекторный ток которого создает на резисторе 24 падение напр жени  5, a single logic signal and the emitter junction is closed. The current of the resistor 25 unlocks the transistor 21, the collector current of which creates a voltage drop across the resistor 24

0 насыщающее транзистор 22. На коллекторе транзистора 22 напр жение скачком измен етс  до величины0 saturating transistor 22. At the collector of transistor 22, the voltage abruptly changes to

,Urj и,:,,где OKH - напр жение насыщени  транзистора 22. Начинаетс  , Urj and,: ,, where OKH is the saturation voltage of the transistor 22. Begins

5 зар д паразитного конденсатора шины с управлени  переносом на выходе 6 током, протекающим от шины 17 питани  через насыщенный транзистор 22 и элемент 18. В момент, когда напр 0 жение на конденсаторе С достигает5 charge of the parasitic bus capacitor with a transfer control at the output 6 of the current flowing from the power bus 17 through the saturated transistor 22 and the element 18. At the moment when the voltage across the capacitor C reaches

величины П/2, ток в элементе 18 максимален , и дальнейший зар д конденсатора С происходит за счет энергии магнит- ого пол , запасенной в индуктивности элемента 18. После того, values of P / 2, the current in element 18 is maximum, and the further charge of capacitor C occurs due to the energy of the magnetic field stored in the inductance of element 18. After

5 как напр жение на конденсаторе С достигает максимального значени , ток в элементе 18 мен ет направление. Начинаетс  разр д конденсатора С. При этом ток протекает через насыщенный 5 as the voltage across the capacitor C reaches the maximum value, the current in the element 18 changes direction. The discharge of capacitor C begins. In this case, the current flows through the saturated

0 транзистор 22 и открытый диод 23. Если в промежутос времени, когда происходит разр д конденсатора С, за .переть транзистор 22, то разр д продолжаетс  через диод 23 и по оконча5 НИИ процесса разр да колебани  напр жени  на выходе 6 прекращаетс .00 transistor 22 and open diode 23. If during the time when capacitor C discharges, transistor 22 turns on, the discharge continues through diode 23 and at the end of the research institute of the discharge voltage oscillation at the output 6 stops .0

Блок 15 и формирователь 8 работает следующим образом.The block 15 and the imaging unit 8 operates as follows.

В режиме переноса информационных In the transfer mode information

0 зар довых пакетов вдоль регистра 1 на вьаходе 6 поддерживаетс  незатухающий колебательный процесс. Если минимальные значени  напр жени  на выходе 6 оказываютс  больше, чем 0 charge packets along register 1 on drive 6 are supported by a continuous oscillatory process. If the minimum voltage values at output 6 are greater than

Claims (2)

5 потенциал на шине 32 питани  (напр жени  смещени ), то диод.26 не открываетс  и конденсатор 27 зар жаетс  через резистор 28 до напр жени , соответствующего минимуму на0 пр жени  на выходе 6. На выходе усилител  29 по вл етс  усиленна  разнрсть потенциалов, на его входах 30 и 31 со знаком плюс. При этом импульсы тока коллектора транзистора 34 в формирователе 8 увеличиваютс  по амплитуде, и возрастает ампли.туда колебаний напр жени  на выходе б регистра 1. Подстройка амплитуды управл ющих колебаний происходит до тех пор, пока минимальное значение напр жени на выходе б не сравн етс  с напр жением на шине 32 (напр жением смещени ) , Если посто нна  времени цеп конденсатор 27 - резистор 28 много больше максимального времени кранеНИН запоминающего устройства, то режим блока 15 мало мен етс  за вре М9 пауз между сери ми управл ющих сигналов, и колебани  имеют посто нную амплитуду.,. Потребл ема  устройством от источника питани  мощность снижаетс  за счет колебательного периодическо перераспределени  энергии из электрического пол  конденсатора С шины управлени  переносом на выходе 6 регистра 1 в .магнитное индуктивности элемента 18 и наоборот. Технико-экономическое преимущест во предложенного устройства заключа етс  в снижении, по сравнению с про тотипом, потребл емой мощности. Формула изобретени  1. Запоминающее устройство, содержащее сдвиговый регистр, формиро ватель импульсов,и блок местного уп равлени , первый выход которого под ключен к первому входу формировател импульсов, выход которого соединен с первым выходом переноса сдвиговог регистра, второй выход переноса кот рого подключен к первой шине питани а первый и второй управл ющие и ин- .формационные вход и выход  вл ютс  соответственно входами управлени  записью, управлени  считыванием, ин формационными входом и выходом устройства , отличающеес  тем, что, с целью снижени  потребл  емой мощности, оно содержит управл  емый ключ, блок подстройки амплитуды импульсов и элемент подстройки длительности импульсов, перйый которого соединен с выходом управл емого ключа, а второй вь1вод с выходом формировател  импульсов и входом блока подстройки амплитуды импульсов, выход которого подклю чен ко второму входу формировател  импульсов, первый вход управл емого ключа соединен со вторым выходом блока местного управлени , а второй соединен с второй ишной питани . 2.Устройство по п.1, о т л и .чающеес  тем, что управл емый ключ содержит управл ющие транзисторы п-р-п-типа, ключевой транзистор , резисторы и диод, причем база первого управл ющего транзистора соединена с первым выводом первого резистора, а коллектор подключен к базе второго управл ющего транзистора, эмиттер которого соединен с шиной нулевого потенциала , а коллектор -.с первым выводом второго резистора и базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к аноду диода, катод которого соединен с эмиттером ключевого транзистора и вторыми выводами резисторов, эмиттер первого управл ющего транзистора, эмиттер и коллектор ключевого транзистора  вл ютс  соответственно первым и вторым входами и выходом ключа. 3.Устройство по П.1, о т л и чающеес  тем, что блок подстройки амплитуды импульсов содержит дифференциальный усилитель, нагрузочный элемент, накопительный элемент и элемент разв зки, первый выход которого  вл етс  входом блока, а второй вывод подключен к первым выводам нагрузочного и накопительного элементов и пр мому входу дифференциального усилител , инверсный вход которого соединен с шиной сме- . щени , а выход  вл етс  выходом блока , вторые выводы накопительного и . нагрузочного элементов подключены соответственно к шине нулевого потенциала и к третьей шине питани . 4.Устройство по П.1, о т л и чающеес  тем, что формирователь импульсов содержит третий управл ющий и усилительный транзисторы п-р-п-типа и третий резистор , первый ВЫВОДкоторого подключен к базе третьего управл ющего транзистора, коллектор которого соединен с базой усилительного транзистора , эмиттер которого подключен к шине нулевого потенциала, а коллектор  вл етс  выходом блока, первым и -вторым входами которого  вл ютс  соответственно эмиттер третьего управл ющего транзистора и второй вывод третьего резистора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Аналоговые интегральные схемы . Под ред. Дж.Конмели. И., Мир} 1977, с. 281. 5, the potential on the supply bus 32 (bias voltage), the diode 26 does not open, and the capacitor 27 is charged through a resistor 28 to a voltage corresponding to the minimum voltage level at the output 6. At the output of the amplifier 29, an increased potential difference appears, on its inputs are 30 and 31 with a plus sign. At the same time, the collector current pulses of the transistor 34 in the driver 8 increase in amplitude, and the amplitude of the voltage oscillations at the output b of register 1 increases. The adjustment of the amplitude of the control oscillations occurs until the minimum value of the voltage at the output b equals voltage on bus 32 (bias voltage), If the time constant of the capacitor circuit 27 - the resistor 28 is much longer than the maximum storage time of the memory device, then the mode of the block 15 does not change much during M9 pauses between the series of control signals oscillations have a constant amplitude.,. The power consumed by the device from the power source is reduced due to the oscillatory periodic redistribution of energy from the electric field of the capacitor C of the transfer control bus at the output 6 of register 1 to the magnetic inductance of the element 18 and vice versa. The technical and economic advantage of the proposed device consists in reducing, as compared with the prototype, power consumption. Claim 1. A memory device containing a shift register, a pulse shaper, and a local control unit, the first output of which is connected to the first input of the pulse shaper, the output of which is connected to the first transfer output of the shift register, the second transfer output of which is connected to the first The power bus and the first and second control and information input and output are respectively the write control, read control, information input and output control devices of the device, characterized by In order to reduce power consumption, it contains a controllable key, a pulse amplitude adjustment unit and a pulse width adjustment element, the first of which is connected to the output of the controllable key, and a second pin with an output of the pulse amplifier and the pulse amplitude adjustment unit, the output of which It is connected to the second input of the pulse generator, the first input of the controlled key is connected to the second output of the local control unit, and the second is connected to the second power supply. 2. The device according to claim 1, of which the control key contains pn-type control transistors, a key transistor, resistors and a diode, the base of the first control transistor connected to the first output of the first the resistor, and the collector is connected to the base of the second control transistor, the emitter of which is connected to the zero potential bus, and the collector is the first terminal of the second resistor and the base of the key transistor, the collector of which is connected to the anode of the diode, the cathode of which is connected to the emitter of the key transistor and The second terminals of the resistors, the emitter of the first control transistor, the emitter and the collector of the key transistor are respectively the first and second inputs and the output of the key. 3. The device according to claim 1, which implies that the pulse amplitude adjustment unit contains a differential amplifier, a load element, a storage element and a decoupling element, the first output of which is the input of the block, and the second output is connected to the first load terminals and the storage element and the direct input of the differential amplifier, the inverse input of which is connected to the bus mix. and the output is the output of the block, the second terminals of the accumulative and load cells are connected respectively to the zero potential bus and to the third power bus. 4. The device according to Claim 1, which includes the pulse shaper comprising a third pn-type control and amplifying transistor and a third resistor, the first output of which is connected to the base of the third control transistor, the collector of which is connected to The base of the amplifying transistor, the emitter of which is connected to the zero potential bus, and the collector is the output of the block, the first and second inputs of which are respectively the emitter of the third control transistor and the second output of the third resistor. Sources of information taken into account in the examination 1. Analog integrated circuits. Ed. J. Conmely. I., Mir} 1977, p. 281. 2.Патент ОНА № 4216386, кл. 307/221, опублик. 1980 (прототип ) .2. Patent SHE number 4216386, cl. 307/221, published. 1980 (prototype). 3S3S
SU813239593A 1981-01-23 1981-01-23 Memory device SU959165A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813239593A SU959165A1 (en) 1981-01-23 1981-01-23 Memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813239593A SU959165A1 (en) 1981-01-23 1981-01-23 Memory device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU959165A1 true SU959165A1 (en) 1982-09-15

Family

ID=20939981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813239593A SU959165A1 (en) 1981-01-23 1981-01-23 Memory device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU959165A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4068295A (en) Voltage multiplier for an electronic time apparatus
US5532653A (en) Supply voltage compensated charge pump oscillator
US4524333A (en) Phase-locked loop using integrated switched filter
KR910001532B1 (en) Memory device using shiff-register
US4607238A (en) Monolithic integrated RC-oscillator
US3644907A (en) Complementary mosfet memory cell
SU959165A1 (en) Memory device
EP0398087B1 (en) Circuit arrangement for generating a control signal in dependence upon the occurrence of an extreme value of a sinusoidal oscillation and use of such a circuit arrangement
CN211791469U (en) Oscillator circuit and switch Hall sensor
US4636659A (en) Sample and hold circuit
US5227740A (en) Oscillation maintenance circuit
GB2026739A (en) Voltage regulation
US4486672A (en) Drive circuits for driving digital circuits with a clock signal
US5454463A (en) Electric starting sensor for battery-operated coin acceptors
JPS5818712B2 (en) How to power semiconductor storage devices
EP0164616B1 (en) Field effect transistor timing signal generator circuit
KR940010481A (en) Low frequency oscillator
US4110637A (en) Electronic system for capacitively storing a signal voltage of predetermined level
KR100228770B1 (en) Back bias voltage generator
SU1453582A1 (en) Quartz oscillator
JPH029727B2 (en)
JPS6243367B2 (en)
SU1621160A1 (en) Pulse-width modulator
SU748795A1 (en) Device for shaping radio pulses
SU1658131A1 (en) Stabilized power supply source