SU958904A1

SU958904A1 - Способ определени линейного износа

Info

Publication number: SU958904A1
Application number: SU813244354A
Authority: SU
Inventors: Виктор Васильевич Ковалев; Виталий Антонович Кутняк; Михаил Дмитриевич Иваница; Вячеслав Степанович Васьковский
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Усср
Priority date: 1981-02-06
Filing date: 1981-02-06
Publication date: 1982-09-15

Description

Изобретение относится к технике измерения триботехнических характеристик материалов и касается способа определения величины износа.

Известен способ определения линейного 5 износа, заключающийся в том, что на нерабочей поверхности образца создают искусственную базу, определяют изменение расстояния от этой базы до исследуемого участка изнашиваемой поверхности, по величине ко- ₁₀торого судят об износе. По известному способу измеряют расстояние от искусственной базы до исследуемого участка изнашиваемой поверхности до и после изнашивания и по разности этих величин определяют величину линейного износа [1]. 15

Недостаток известного способа состоит в том, что второй базой для измерения линейного размера служит сама изнашиваемая поверхность, которая меняется в процессе ₂₀изнашивания. Это не дает возможность производить измерения расстояния между двумя фиксированными базами, что снижает точность измерений.

Цель изобретения — повышение точности измерения.

Эта цель достигается за счет того, что на нерабочей поверхности образца создают, искусственную базу, определяют изменение расстояния от этой базы до исследуемого участка изнашиваемой поверхности, по величине которого судят оо износе, с исследуемым участком изнашиваемой поверхности сопрягают щуп, на его поверхности выполняют дополнительную искусственную базу, на поверхности щупа и, нерабочей поверхности образца наносят риски, измеряют расстояние между двумя искусственными базами в положении совпадающих рисок до и после изнашивания, по разности которых определяют изменение расстояния от основной искусственной базы до исследуемого участка изнашиваемой поверхности.

На фиг. 1 показано сопряжение исследуемого участка изнашиваемой поверхности 1 образца 2 с щупом 3; на фиг. 2 — вид в фокальной плоскости окуляр-микрометра микроскопа нерабочей поверхности 4 образца 2 и щупа 3 в месте их сопряжения (в увеличенном масштабе).

Способ реализуется следующим образом.

До проведения испытаний на износ сопрягаются исследуемый участок изнашиваемой поверхности 1 образца 2 с щупом 3. При помощи индентора, например, алмазной пирамиды прибора ПМТ—3, на нерабочую 5 поверхность 4 образца 2 и поверхность 5 щупа 3 наносят риски 6 и 6' соответственно. Вдоль этих рисок, с помощью того же индентора создают основную искусственную базу 7 на нерабочей поверхности 4 образца 2 и вспомогательную искусственную базу 8 на ¹⁰поверхности 5 щупа 3.

В данном примере эти искусственные базы представляют собой квадратные в плане отпечатки, выдавленные алмазной пирамидой. Измеряют расстояние между этими ис- _]5кусственными базами до испытаний на износ (L). После испытаний на износ вновь сопрягают исследуемый участок изнашиваемой поверхности 1 образца 2 с щупом 3, устанавливая их таким образом, чтобы риски 6 и 6' совпадали, и вновь измеряют рас- ²⁰стояние между искусственными базами 7 и 8 (L'). Определяют изменение этого расстояния 6= L - L', которое и является величиной линейного износа образца 2. Если износ образца 2 может быть таким, что в процессе ₂₅его исчезнет основная искусственная база 7, то создают ряд таких баз 7', Ί.

Предлагаемый способ позволяет определить малые величины износа у любых твер дых материалов: пористых, монолитных, металлических, пластмассовых, пластически и упруго деформируемых, быстро и медленно изнашиваемых; повысить точность определения износа и уменьшить трудоемкость.

Claims

Способ реализуетс следующим образом. До проведени испытаний на износ сопр гаютс исследуемый участок изнашиваемой поверхности 1 образца 2 с щупом 3. При помощи индентора, например, алмазной пирамиды прибора ПМТ-3, на нерабочую поверхность 4 образца 2 и поверхность 5 щупа 3 нанос т риски 6 и 6 соответственно. Вдоль этих рисок, с помощью того же индентора создают основную искусственную базу 7 на нерабочей поверхности 4 образца 2 и вспомогательную искусственную базу 8 на поверхности 5 щупа 3. поверхности о щупа -j В данном примере эти искусственные, базы представл ют собой квадратньш в плане отпечатки выдавленные алмазной пирамидои Измер ют рассто ние между этими ис усственньши базами до испытаний на изУ-- -- (L). После испытаний на износ вновь сопр гают исследуемый участок изнашиваемой поверхности 1 образца 2 с щупом 3, устанавлива их таким образом, чтобы риски 6 и 6 совпадали, и вновь измер ют рассто ние между искусственными базами 7 и 8 (L). Определ ют изменение этого рассто ни 6 L - L , которое и вл етс величиной линейного износа образца
2. Если ибиос об;:зТа 2;ож еГбь;;77а7им: процессе его исчезнет основна искусственна база 7, то создают р д таких баз 7, 7. Предлагаемый способ позвол ет определить малые величины износа у любых тверых материалов: пористых, монолитных, меаллических , пластмассовых, пластически и упруго деформируемых, быстро и медленно изнащиваемых; повысить точность определени износа и уменьшить трудоемкость. Формула изобретени Способ определени линейного износа, заключающийс в том, что на нерабочей поверхности образца создают искусственную базу, определ ют изменение рассто ни от .,. исследуемого участка изнащиваемой поверхности, по величине которого суд т об износе, отличающийс тем, что, с Целью повышени точности измерени , с исследуемым участком изнашиваемой поверхности сопр гают щуп, на его поверхности выполн ют дополнительную искусственную базу, на поверхности щупа и нерабочей поверхности образца нанос т риски, измер ют рассто ние между двум искусственными базами в положении совпадающих рисок до и после изнашивани , по разности которых определ ют изменение рассто ни от основной искусственной базы до исследуемого участка изнашиваемой поверхности, Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе .ТкГо 01Тз/5б1969 (прототип) № 335579, кл. G 01 N 3/56, 19Ь9 (прототип).