Изобретение относитс к электро- i физическим методам обработки и касаетс источника питани дл электроэрр зионных станков. Известны устройства дл электроэрозионной обработки с поджигающими импульсами на межэлектродном промежут ке, подключенном через разделительный диод ко вторичной обмотке импульс ного трансформатора, первична обмотка которого подсоединена через диод к выходным зажимам генератора силовых импульсов Cl. Недостатком этого устройства вл етс невысокий КПД, обусловленный дополнительной потерей мощности на импульсном трансформаторе. Кроме того, наличие трансформатора ограничивает скорость нарастани напр жени на меж электродном промежутке. Поэтому значв ние крутизны поджигающих импульсов невелико. Известен формирователь импульсов, который содержит источник питани , дроссель, начала обмоток которого объединены вместе. Первична обмотка дроссел подключена к коллектору п-р-п транзистора, а вторична через диод - к нагрузке. Нагрузка в свою очередь через диод подключена параллельно накопительному конденсатоРУ t2. Недостатком этого устройства вл етс невысокий КПД, так как большую часть периода транзисторный ключ, шунтирующий разр дный промежуток, находитс в открытом состо нии. Последнее при больших коммутируемых токах приводит к значительному выделению мощности на открытом транзисторном ключе. Устройство также имеет невысокую скорость нарастани .напр жени на межэлектродном промежутке. Это объ сн етс тем, что мгновенное значение напр жени на нагрузке нараста395 ет во времени по колебательному заIА конус периодом и), где L индуктивность первичной обмотки дроссел ; С - емкость, включенна параллельно транзисторному ключу. Целью изобретени вл етс увеличение скорости нарастани поджигающих импульсов и КПД. Поставленна цель достигаетс тем, что параллельно нагрузке включен дополнительный конденсатор, а транзистор эмиттером подключен, к источнику питани и коллектором через диод - в обратном направлении к накопительному конденсатору, примем обща точка сое .динени обмоток дроссел .подсоединена к общей шине схемы. На чертеже изображен предлагаемый формирователь. Формирователь содержит клемму, к которой подключаетс источник питани I,ключевой транзистор 2, дроссель с первичной обмоткой 3 и вторичной обмоткой k, диоды 5 и 6 и накопительный конденсатор 7 резистор 8, изолирующий диод 9, дополнительный конденсатор 10, сопротивление нагрузки II,тиристор 12 и схему управлени 13 Формирователь импульсов работает следующим образом. Схема управлени 13 вырабатывает последовательность импульсов длитель ностью t, с амплитудой, необходимой дл отпирани транзистором 2. С приходом импульса транзистор 2 открываетс и входит в состо ние насыщени . В первичной обмотке 3 дроссел начинает протекать ток, измен ющийс во времени по экспоненциальному закону. В момент окончани управл ющего импульса и запирани транзистора 2 ток в дросселе достигает значени J, а величина магнитной энергии, накоплен kia vn« L. на дросселем, равна , где f -1 индуктивность первичной обмотки 3 дроссел . При запирании транзистора магнитна энерги дроссел преобразуетс в электрическую энергию конденсатора 7 и 10. В зависимости от емкости конденса торов и коэффициента передачи дросселей значени напр жений на конденсаторах могут существенно отличатьс друг от друга. В процессе формировани поджигающего импульса может участвовать из кoндeнcatopoв. Однако дл пра тической реализации устройства целесообразно использовать конденсатор 10. В этом случае благодар выбору . коэффициента передачи дроссел удаетс обеспечить требуемое напр жение между коллектором и эмиттером транзистора 2, не превышающее по величине максимально допустимое значение. Процесс зар да конденсаторов 7 и 10 носит колебательный характер. После того, как напр жение на них достигает максимального значени , зар дный ток станет равным нулю, а затем сменит свой знак на противоположный, в результате чего диоды 5 и 9 закроютс . Так как напр жение на конденсаторе 10 превышает напр жение на конденсаторе 7, то диод 6 закрыт. Конденсатор 10 частично разр жаетс через резистор 8. При соответствующем выборе параметров схемы ухудшение напр жени на конденсаторе 10 незначительно. По окончании зар да конденсаторов 7 и 10 со схемы управлени поступает импульс на управл ющий электрод тиристора 12. Последний включаетс . К цепи нагрузка 11 - тиристор 12 прикладываетс высокое напр жение конденсатора 10. Разр дный промежуток нагрузки 11 пробиваетс . В цепи начинает протекать ток, спадающий во времени. После того как напр жение на конденсаторе 10 достигает значени равного величине напр жени на конденсаторе 7 диод 6 включаетс . На- . чинаетс совместный разр д конденсаторов 7 и 10. Емкость конденсатора 7 намного больше емкости конденсатора 10. Поэтому в разр де основное участие принимает емкость конденсатора 7, обеспечивающа выделение требуемой энергии в газоразр дном промежутке нагрузки 11. Емкость дополнительного конденсатора 10 выбираетс такой- величины,, чтобы к моменту окон чани формировани разр да в электроэрозионном промежутке нагрузки 11 диод 6 открывалс , и в работу вступал конденсатор 7. При достижении величины разр дного тока конденсатора 7, равного току выключени тиристора 12, последний выключаетс . При поступлении следующего импульса на вход транзистора 2 и его отпирани процессы в схеме повтор ютс . Резистор 8, включенный между коллек5 . 9 тором транзистора 2 и нагрузкой 11, служит дл принудительного запирани тиристора V2. Последнее обеспечиваетс тем, что благодар включению одНО1-О конца дроссел к общей шине схе мы пол рность напр жени на аноде .тиристора оказываетс противоположной пол рности напр жени источника питани 1. Если при последующем отпирании транзистора тиристор не закрылс , то в цепи источник 1 - транзистор 2 - резистор 8 - нагрузка 11 - тиристор 12 начинает протекать запирающий ток. Под действием этого тока происхо дит принудительное запирание тиристора . Такое запирание тиристора благопри тно сказываетс на работе схемы при повышенной частоте следовани ийпульсов или при коротком замыкании электроэрозионного промежутка. Формула изобретени Формирователь импульсов дл питани электроэрозионных станков, содержащии источник питани , дроссель, начала обмоток которого объединены вместе, а первична обмотка подклю чена к коллектору п-р-п транзистора, вторична через диод - к нагрузке, параллельно которой через другой диод включен накопительный конденсатор, отличающийс тем, что, с целью увеличени скорости нарастани поджигающих импульсов и КПД, параллельно нагрузке включен дополнительный конденсатор, а транзистор эмитт« ром подключен к источнику питани и коллектором через диод - в обратной направлении к накопительному конденсатору , причем обща точка соединени обмоток дроссел подсоединена к обшей шине схемы. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 3728t9. кл. В 23 Р 1/02, 57k.