SU443465A1 - Устройство дл зар да емкостного накопител энергии - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области импульсной техники и может найти применение, например , при разработке источников питани  импульсных газоразр дных ламп оптических квантовых генераторов.

Известны устройства дл  зар да емкостного накопител  энергии от первичного источника питани , подключенного к входу импульсного преобразовател  напр жени , нагруженного на первичную обмотку трансформатора, вторична  обмотка которого включена в входную диагональ четырехдиодного моста, к выходной диагонали которого через зар дный дроссель подключен накопительный конденсатор .

Недостаток известных устройств заключаетс  в том, что в них на начальном этапе зар да накопительного конденсатора при посто нстве потребл емой мощности возникают перегрузки по току.

С целью снижени  перегрузок по току на начальном этапе зар да емкостного наконител  энергии устройство содержит резистор, транзистор п-р-/г-типа проводимости, динистор , п тый диод и двухобмоточный импульсный трансформатор, причем резистор включен последовательно в цепь подключени  накопительного конденсатора через зар дный дроссель к выходной диагоналн четырехдиодного моста, коллектор транзистора

соединен с оощеи точкой резистора и положительного вывода четырехдиодного моста, эмиттер транзистора соединен с общей точкой резистора н накопительного конденсатора,

одна обмотка двухобмоточного импульсного трансформатора включена нараллельно зар дному дросселю, а друга  обмотка присоединена своим средним выводом к эмиттеру транзистора и крайними выводами - к анодам динистора п п того диода, катоды которых соединены с базой транзистора.

На фиг. 1 приведена принципиальна  электрическа  схема устройства; на фиг. 2 - эпюры напр жений и токов.

Устройство содержит импульсный преобразователь напр жени  1, трансформатор 2, мост 3 на четырех диодах 4-7, зар дный дроссель 8, наконительный конденсатор 9, резистор 10, транзистор п-р-л-типа проводимости 11, п тый диод 12, динистор 13 н двухобмоточный импульсиый трансформатор 14.

Имиульсный преобразователь напр жени  I подключен входом к первичному источнику питани  15 и нагружен на первичную обмотку

трансформатора 2, вторична  обмотка которого включена в входную днагональ четырехдиодного моста 3. К выходной диагонали моста 3 через зар дный дроссель 8 и резистор 10 иодключен накопительный конденсатор

9. Коллектор транзистора 11 соединен с общей точкой резистора 10 и положительного вывода диодного моста 3, эмиттер транзистора 11 соединен с общей точкой резистора 10 и конденсатора 9. Одна обмотка двухобмоточного имнульсного трансформатора 14 включена нараллельно дросселю 8, а друга  обмотка нрисоединена своим средним выводом к эмиттеру транзистора 11 и крайними выводами-к анодам динистора 13 и диода 12, катоды которых соединены с базой транзистора 11.

Устройство работает следующим образом.

Имнульсный нреобразователь 1 вырабатывает пр моугольные имнульсы ( фиг. 2, а) с переменной скважностью, котора  в процессе зар да коиденсатора 9 необходима дл  стабилизацин мощности, нотребл емой от источиика 15. На начальном этапе зар да конденсатора 9 скважность импульсов велика и на фиг. 2, а показана слева, а на конечном участке мала и на фиг. 2, а показана справа. Переменное напр жение преобразовател  1 через повышающий трансформатор 2 поступает на вход выпр мнтельного моста 3. На выходе .моста 3 получаютс  однонол рные импульсы напр жени  (фиг. 2,6), которые через дроссель 8 и транзистор 11 зар жают конденсатор 9. Форма тока в зар дной цени устройства изображена на фиг. 2, в. Разр дка дроссел  ироисходит во врем  паузы в работе преобразовател  через диоды 4, 5 и 6, 7 по двум электрическим цеп м. На начальном этане зар да конденсатора 9 разр дка дроссел  8 осуществл етс  через резистор 10 и это устран ет перегрузки по току, а в дальнейщем дроссель 8. разр жаетс  через открытый транзистор 11. Дл  коммутации разр дного тока дроссел  8 напр жение его обмотки (фиг. 2, г) ноступает через трансформатор 14, днод 12, динистор 13 на базу транзистора И. Положительные импульсы папр жепи  управл ют работой транзистора 11 через диод 12, независимо от амплитуды этих импульсов в процессе зар да конденсатора 9. Отрицательные импульсы напр жени , снимаемые с дроссел  8 (фиг. 2, г), унравл ют работой транзистора 11 через динистор 13, причем на начальном этапе зар да конденсатора 9 амплптуда этих импульсов недостаточна Дл  пробо  диннстора 13 и, следовательно, транзистор 11 не открываетс , а дроссель 8 разр жаетс  через резистор 10. При дальнейшем зар де конденсатора 9 дроссель 8 разр жаетс  через открытый транзистор 11, так как амплитуда отрицательного напр жени  на дросселе 8 (фнг. 2, г, справа) возрастает до напр жени  пробо  динистора 13.

Таким образом, устройство обеспечивает посто нное потребление мощности от первичного источника питани  и при этом уменьшает броски токов на начальном этапе зар да накопительного конденсатора, прнчем без снижени  общего коэффициента нолезного действн .

Предмет изобретени 

Устройство дл  зар да емкостного накопител  энергии от нервичного источника ннтани , подключенного к входу имиульсного преобразовател  нанр жени , нагруженного на нервичную обмотку трансформатора, вторична  обмотка которого включена в входную диагональ четырехдиодного моста, к выходной диагонали которого через зар дный дроссель подключен накопительный конденсатор , о т л 1 чающеес  тем, что, с целью снижени  перегрузок по току на начальном этапе зар да емкостного накопител  энергии, оно содержит резистор, транзистор п-р-п-типа проводимости, динистор, п тый диод и двухобмоточный импульсный трансформатор, причем резистор включен последовательно в цепь подключени  накопительного конденсатора через зар дный дроссель к выходной диагонали четырехдиодного моста, коллектор транзистора соединен с общей точкой резистора и положительного вывода четырехдиодного моста , эмиттер транзистора соединен с общей точкой резистора и накопительного конденсатора , одна обмотка двухобмоточного нмпульсного трансформатора включена нараллельно зар дному дросселю, а друга  обмотка нрисоединена своим средним выводом к эмиттеру транзистора и крайними выводами - к анодам динистора и п того диода, катоды которых соединены с базой транзистора,

3. I 1

2п

15

Фаг i

I

iJ