SU949979A1 - Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев - Google Patents
Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев Download PDFInfo
- Publication number
- SU949979A1 SU949979A1 SU802966306A SU2966306A SU949979A1 SU 949979 A1 SU949979 A1 SU 949979A1 SU 802966306 A SU802966306 A SU 802966306A SU 2966306 A SU2966306 A SU 2966306A SU 949979 A1 SU949979 A1 SU 949979A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- substrate
- melt
- feeder
- crucible
- plates
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Изобретение относитс к полупроводниковой технике, к получению кристаллических слоев на опорных {неориентирующих ) подложках, и может быть использовано при изготовлении фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии большой площади дл выращивани слоев кремни на кера;мических или графитовых подложках. Известно устройство, содержащее тигель, нагреватель, выт гивающий механизм и приспособление дл поддержани уровн расплава в тигле посто ннымС .
Необходимость применени последнего вызвана тем, что дл получени пленки расплава и, следовательно, кристаллического сло посто нной толщины форма мениска, образующегос между поверхностью подложки и расплавом в тигле, не должна мен тьс в ходе проведени процесса. Это устройство позвол ет обрабатывать длинномерные подложки, использу желобообразные тигли небольшого объема. Однако при проведении процесса
выращивани сло необходима процедура затравливани , состо ща -в пе-. реполнении тигл расплавом при помощи приспособлени дл регулировани уровн , приведен-ии подложки в .контакт с расплавом и формировании мениска путем подъема подложки на необходимую высоту над стенками тигл , котора усложн ет технологию и снижает производительность установки .
Толщина получаемого кристаллического сло неоднородна, так как
10 любые отклонени параметров режима проведени процесса привод т к резким изменени м формы мениска.
Наиболее близким к изобретению вл етс устройство дл выращивани
15 ориентированных кристаллических слоев на подложке, включающее тигель дл расплава, установленный внутри нагревател , подложку, соединенную .с механизмом ее перемещени , и пи20 татель, вертикально расположенный в тигле, выполненный из смачиваемых расплавом пластин, образующих между собой капилл рный канал и имеющий острые рабочие кромки дл подачи расплава на подложкуС2. Это .устройство предназначено дл выращивани кристаллического сло на подложке, в качестве которой выступает ленточный кристалл, выращен30ный из нижнего тигл . Пластины питател расположены параллельно подложке так f что подложка при перемещении ее с помощью механизма выт гивани скользит по наружной стороне цластин питател . При этом между подложкой и пластиной питател образуетс капилл р ный зазор, который при работе устройства заполн етс расплавом из тигл аналогично зазору между пластинами питател , что делает невозможным использование устройства, та как расплав из верхнего тигл по ка пилл рному зазору между пластиной тател и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель. Недостатком устройства вл етс то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготов ленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вслед ствие его затекани в щель между питателем и подложкой определ етс площадью пластины питател , вдоль к торой прот гиваетс подложка. Значи тельна величина зоны контакта расп лава с подложкой приводит к ухудшен качества выращиваемого сло вследствие загр знени расплава примес ми . Цель изобретени - снижение загр знени примес ми выращиваемых ,сло ев за счет уменьшени зоны расплава контактирующего с подложкой, и увеличение производительноети. Цель достигаетс тем, что устрой ство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев на подлож ке, включающем тигель дл расплава, установленный внутри нагревател , подложку, соединенную с механизмом ее перемещени и питатель, вертикал но расположенный в тигле, выполненный из смачиваемых расплавом пластин , образующих между собой капилл ный канал и имеющих острые рабочие кромки дл подачи расплава на подлож ку,, последн расположена перпендикул рно пластинам питател . Кроме того, пластины питател вы полнены П-образными и имеют с нижней стороны перекладины выемку с рабочим кромками. А также тем, что питатель выполнен Б сечении Т-образным, а рабочие кромки расположены по периметру пла тин. Расположение подложки перпендикул рно пластинам питател позвол ет создавать при работе устройства узку зону расплава, контактирующего s подложкой, уменьша тем самым врем контакта и, следовательно загр знение расплава. На фиг.1 представлено устройство общий вид; на фиг. 2- устройство с П-рбразным питателем дл выращлвани кристаллического сло на верхней поверхности горизонтально прот гиваемой подложки, общий вид; на фиг. 3устройствр с питателем, имеющим в сечении Т-образную форму с внутренним капилл рным каналом дл одновременного выращивани кристаллических слоев на нескольких подложках, прот гиваемых вертикально вверх,общий вид, на фиг.4 - рабочие кромки/ на фиг.5 - разрез через мениск расплава , область формировани пленки расплава и кристаллизации сло . Устройство (фиг.1 содержит тигель 1 с расплавом, установленный в нижней части двухсекционного нагревател 2. В тигле 1 вертикально установлен питатель 3 с капилл рными каналами 4. Питатель 3 с помощью скоб 5 крепдтс на экранах 6. Экраны 6 установлены на опорной стойке 7, в средней части которой размещена горизонтальна направл юща пластина 8, по которой перемещаетс подложка 9, соединенна с штоком 10 выт гивающего механизма. Тигель 1 установлен на вертикальном штоке 11, с помощью которого осуществл етс перемещение в вертикальном направлении и, следовательно , регулировка давлени в мениске . На подложке 8 выращивают кристалличехзкий слой 12. Устройство работает следующим образом . После плавлени загрузка расплава поднимаетс по капилл рным каналам 4 питател 3, приходит в контакт с прдложкой 9 первоначально с краев, где рабочие кромки 13 касаютс подложки 9(,область 1 на фиг.4), а в дальнейшем заполн ет под действием капилл рных сил зазор междукромками 13 и подложкой 9 (область И на фиг.4), формиру мениск 14. При прот гивании подложки 9 относительно питател 3 на ней образуетс пленка расплава 15, кристаллизующа с по мере выт гивани с образованием ориентированного кристаллического сло 12. Профиль заточенных на нож рабочих кромок питател таков, что кра (.2-5 мм) обрабатываемой поверхности подложки касаютс рабочих кромок, а в средней части зазор между ними и поверхностью подложки составл ет 0,5-2,5 мм. Подобна геометри кромок обеспечивает формирование узкого мениска (размеры которого определ ютс шириной капилл рного канала, величиной зазора и рассто нием ме сду кромками и свободной поверхностью расплава в тигле ) исключительно под действием капилл рных сил. Фиксаци .мениска на рабочих кромках смачиваемого расплавом питател способствует сохранению его формы при неконтролируемых изменени х параметров режима проведени процесса и, следовательно, позвол ет выращивать однородный по толщине кристаллический слой (например, при выращивании кремниевых слоев толщина равна 0,1б±0,04К
Расположение подложки перпендикул рно рабочим кромкам питател , т.е получение узкого мениска позвол ет уменьшить зону контакта расплава с подложкой, что ведет к снижению загр знени примес ми выращиваемых слоев.
Claims (3)
1. Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев на подложке, включающее тигель дл расплава, установленный внутри нагревател , подложку, соединенную с механизмом ее перемещени , и питатель , вертикально расположенный в тигле, выполненный из смачиваемых расплавом пластин, образующих между собой капилл рный канал и имеющих
острые рабочие кромки дл подачи расплава на подложку, отличающеес тем, что, с целью снижени загр знени примес ми выращиваемых слоев за счет уменьшени зоны расплава, контактирующего с подложкой , подложка расположени перпендикул рно пластинам питател.т.
2.Устройство по П.1, о т л ичающеес тем, что,, пласти.гм питател выполнены П-образными и имеют с нижней стороны перекладины выемку с рабочими крсмками.
3.Устройство по П.1, о т л ичающеес тем, что, с целью увеличени производительности, питатель выполнен в сечении Т-образным , а рабочие кромки расположены по периметру пластин.
Источник информации, прин тые во внимание при экспертизе
1.Мейсон Б.: Нанесение кремниевой пленки на керамические листовые подложки , Электроника, т.52, 15, 1979, с.10-11.
2.Патент США I 4022652,
кл. В 01J 17/18, 1977 (прототип).
0tfz. f
Фг/г. 4
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802966306A SU949979A1 (ru) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802966306A SU949979A1 (ru) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU949979A1 true SU949979A1 (ru) | 1982-12-07 |
Family
ID=20911935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802966306A SU949979A1 (ru) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU949979A1 (ru) |
-
1980
- 1980-07-02 SU SU802966306A patent/SU949979A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0173764B1 (en) | Single crystal growing method and apparatus | |
US4329195A (en) | Lateral pulling growth of crystal ribbons | |
US4289571A (en) | Method and apparatus for producing crystalline ribbons | |
JP3491402B2 (ja) | 単結晶製造方法及びその単結晶製造装置 | |
AU2007300183B2 (en) | Method and apparatus for the production of crystalline silicon substrates | |
CA1081586A (en) | Method and apparatus for forming silicon crystalline bodies | |
GB2103105A (en) | Crystal growing | |
CA1172146A (en) | Method and apparatus for drawing monocrystalline ribbon from a melt | |
US4599132A (en) | Guidance system for low angle silicon ribbon growth | |
US4322263A (en) | Method for horizontal ribbon crystal growth | |
US3977934A (en) | Silicon manufacture | |
SU949979A1 (ru) | Устройство дл выращивани ориентированных кристаллических слоев | |
US4469552A (en) | Process and apparatus for growing a crystal ribbon | |
EP0210439B1 (en) | Method for growing single crystals of dissociative compound semiconductor | |
US4119744A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices in which a layer of semiconductor material is provided on a substrate | |
GB1498925A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices in which a layer of semiconductor material is provided on a substrate apparatus for use in carrying out said method and semiconductor devices thus manufactured | |
US4239734A (en) | Method and apparatus for forming silicon crystalline bodies | |
JP2587932B2 (ja) | シリコンリボンの製造方法 | |
US8256373B2 (en) | Device for depositing a layer of polycrystalline silicon on a support | |
JPS59203798A (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
KR0134185B1 (ko) | 수지상 웨브 결정 성장용의 서셉터리드 및 시일드로된 장치 | |
US4304623A (en) | Method for forming silicon crystalline bodies | |
RU2264483C1 (ru) | Устройство для непрерывного выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани | |
JPH0143718B2 (ru) | ||
JPS62113793A (ja) | 帯状シリコン結晶の製造装置 |