SU948881A1 - Process for producing highly-dispersed silicon dioxide - Google Patents
Process for producing highly-dispersed silicon dioxide Download PDFInfo
- Publication number
- SU948881A1 SU948881A1 SU792855439A SU2855439A SU948881A1 SU 948881 A1 SU948881 A1 SU 948881A1 SU 792855439 A SU792855439 A SU 792855439A SU 2855439 A SU2855439 A SU 2855439A SU 948881 A1 SU948881 A1 SU 948881A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- producing highly
- dispersed silicon
- reaction
- reaction mixture
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Изобретенгие относитс к области получени высокодисперсной двуокиси кремни и может найти применение в хгшги-. ческой промышленности и в других отрао л х народного хоз йства, примен ющих активные высокодйсперсные наполнители, усилители каучуков, загустители и т. п. Известен способ получени высокодисперсной двуокиси кремни , включающий сжигание смеси, содержащей пары трихлорсипана и водоро - и кислородсодержащих газов, в факеле при температуре 1О5О-110О°С, охлаждение продуктов сг рани , содержащих кремниевую кислоту в виде аэрозол , и отделение последней пос ле коагул ции от адсорбированных примесей известным способом. Сжигание ведут в присутствии газа-носител азота Cl Однако при введении в реакционную зону дополнительного инертного компонента , не вход щего в химический состав конечного продукта и требующего дл своего разогрева до температуры реакции значитель 1ых энергозатрат, эффективность способа производства двуокиси кремни снижаетс . Известен также способ,включающий сжигание смеси, содержащей четыреххлористый кремний, водород и кислородсодержащие газы, в факеле при 11.00-140ОС, охлаждение продуктов реакции и отделение целевого продукта 2. Недостатком известного способа вл етс ведение технологического процесса при высоких температурах, повышенный расход врдорода, по оравнению с тем, который необходим согласно стеклометрии реакции SiCe +2Hg-fO,2 SiOQ+4HCe , а также нeвoз foжнocть регулировани т,емпературы в пламенной зоне (зоне горени ) с точностью до 1О°С путем изменени состава газа и/или скорости истечени реакционной смеси из сопла горелки. Цель изобретени - снижение температуры процесса, и расхода водорода, а также обеспечение возможности регу/гаровани температуры с точностью 10-15С. The invention relates to the field of production of highly dispersed silicon dioxide and can be used in hsggy. industry and in other branches of the national economy using active highly dispersed fillers, rubber amplifiers, thickeners, etc. A method is known for producing highly dispersed silicon dioxide, which involves burning a mixture containing trichlorosipane vapor and hydrogen and oxygen-containing gases in a torch at a temperature of 1050 ° –10 ° C, cooling of the products of crust containing silicic acid in the form of an aerosol, and separation of the last coagulation from the adsorbed impurities in a known manner. Combustion is carried out in the presence of a nitrogen carrier gas, Cl. However, with the addition of an additional inert component to the reaction zone, which is not part of the chemical composition of the final product and requires significant first energy consumption to heat up to the reaction temperature, the efficiency of the silica production method decreases. There is also known a method involving burning a mixture containing silicon tetrachloride, hydrogen and oxygen-containing gases in a torch at 11.00-140 ° C, cooling the reaction products and separating the target product 2. A disadvantage of the known method is to operate the process at high temperatures, increased consumption of natural gas, Equation with that which is necessary according to the glass measurement of the reaction SiCe + 2Hg-fO, 2 SiOQ + 4HCe, as well as the trouble of adjusting the temperature in the flame zone (burning zone) to an accuracy of 1 ° C by changing the composition gas and / or flow rate of the reaction mixture from the burner nozzle. The purpose of the invention is to reduce the process temperature and hydrogen consumption, as well as to ensure the possibility of regulating / heating the temperature with an accuracy of 10-15 ° C.
Поставленна цепь достигаетс тем, что исходные компоненты реакционной смеси перед введеш1ем в зону горени подвергают воздействию электрического пол напр жением 15О-17О кВ.5The delivered chain is achieved by the fact that the initial components of the reaction mixture are subjected to an electric field of 15O-17O kV before being introduced into the combustion zone.
Сущность изобретени заключаетс в том, что исходные компоненты реакционной смеси, включающие, например, Si С Р, Jrlq, Of перед введением в -зону горени , подвергают атомизации и/или ионизации О в электрическом поле высокого напр же ни .The essence of the invention is that the initial components of the reaction mixture, including, for example, Si C P, Jrlq, Of, before being introduced into the α-combustion zone, are subjected to atomization and / or ionization O in a high electric field.
Технологи способа состоит в следующем .The technology of the method is as follows.
Исходные компоненты - четыреххлорис 15 ты и кремний, водород и кислород падаютс в зону горени по трем магистрал м без предварительного смещени . На раосто нии , например, 55 см от ввода магистралей в реакционную печь движущие- зо с газовые потоки исходных компонентов реакционной смеси проход т через электрическое поле высокого напр жении, при этом каждый из газов, до заданного объемного соотношени , атомизвруетс и/или 25 Ж)низируетс . Степень атомюации или ионизации, каждого из исходных компонентов реакционной смеси регулируетс напр женностью электрического пол , массовым расходом газов и конструктивными зо особенност ми устройства.The starting components are tetrachloride and silicon, hydrogen and oxygen are dropped into the combustion zone along three lines without preliminary displacement. At a distance of, for example, 55 cm from the inlet pipe into the reaction furnace, the gas flows of the initial components of the reaction mixture moving through the high-voltage electric field, each of the gases being atomized and / or 25 V to a given volume ratio ) downgraded. The degree of atomization or ionization of each of the initial components of the reaction mixture is governed by the strength of the electric field, the mass flow of gases and the design features of the device.
В представленной табл1ице приведены сравнительные характеристики двуокиси кремни , полученной по известному иThe table below presents the comparative characteristics of silicon dioxide, obtained from the known and
предлагаемому способам, и основные параметры технологических процессов.the proposed methods, and the main parameters of technological processes.
Степень атомкзации или ионизации (обычно эти процессы существуют совместно) при обработке исходных компонентов реакционной смеси в поле высокого напр жени в первую очередь зависит от напр женности и геометрии электрического пол высокого напр жени .The degree of atomicization or ionization (usually these processes exist together) when processing the initial components of the reaction mixture in a high voltage field depends primarily on the strength and geometry of the high voltage electric field.
Исходные компоненты реакционной смеси , существующие в газообразном состо нпни , проход пол высоких напр жений способны к разрущению внутримолекул ру ных св зей и последующему отрыву электронов , привод щему к существованию в&щества в ионизированном состо нии.The initial components of the reaction mixture, which exist in the gaseous state, pass the high voltage field and are capable of destroying intramolecular bonds and subsequent separation of electrons, leading to the existence of a substance in the ionized state.
Атомизаци (ионизаци ) исходнык компонентов позвол ет подготовить их к проведению реакции гидролиза, т. е. в зоне горени начинаетс ведение процесса не на молекул рном, а на атомарном или ионном уровне, в результате чего температура пламенной зоны (зоны горени ) может быть снижена с 1100 до , а расход водородного топлива уМеньщен на 19% без снижени качества продукта.Atomization (ionization) of the source components allows them to be prepared for the hydrolysis reaction, i.e., the process starts in the combustion zone not at a molecular, but at an atomic or ionic level, as a result of which the temperature of the flame zone (combustion zone) can be lowered. from 1100 to, and the consumption of hydrogen fuel is reduced by 19% without reducing the product quality.
Кроме того, повыщаетс тганость регулировани температуры с точностью до 10-15°С, в результате чего возможно получение аэросила с высокой степенью однородности структуры и диспероности .In addition, temperature regulation increases with an accuracy of 10-15 ° C, as a result of which aerosil may be obtained with a high degree of structure uniformity and dispersion.
Основные параметры технологического процессаThe main parameters of the process
1100 109О1100 109О
1ОО1OO
20 25 Не более20 25 Not more than
Технические характеристики полученного аэросилаTechnical characteristics of the obtained Aerosil
i i
364,5364.5
364364
5-205-20
5-205-20
930930
930930
980980
1000.1000
7878
81 7881 78
9292
10-1510-15
397397
397397
385385
375375
5-125-12
4-104-10
4-104-10
5-155-15
Содержание Si On,Si On content
%%
СодержаниеContent
окисловoxides
TiOrj -Ae O -Fe Oj, % TiOrj -Ae O -Fe Oj,%
рН водной суспензииpH of water suspension
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792855439A SU948881A1 (en) | 1979-12-20 | 1979-12-20 | Process for producing highly-dispersed silicon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792855439A SU948881A1 (en) | 1979-12-20 | 1979-12-20 | Process for producing highly-dispersed silicon dioxide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU948881A1 true SU948881A1 (en) | 1982-08-07 |
Family
ID=20866068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792855439A SU948881A1 (en) | 1979-12-20 | 1979-12-20 | Process for producing highly-dispersed silicon dioxide |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU948881A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5698177A (en) * | 1994-08-31 | 1997-12-16 | University Of Cincinnati | Process for producing ceramic powders, especially titanium dioxide useful as a photocatalyst |
-
1979
- 1979-12-20 SU SU792855439A patent/SU948881A1/en active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5698177A (en) * | 1994-08-31 | 1997-12-16 | University Of Cincinnati | Process for producing ceramic powders, especially titanium dioxide useful as a photocatalyst |
US5861132A (en) * | 1994-08-31 | 1999-01-19 | University Of Cincinnati | Vapor phase flame process for making ceramic particles using a corona discharge electric field |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU957758A3 (en) | Process for producing silicon dioxide | |
CN105384177B (en) | The preparation method of submicron order preparing spherical SiO 2 micro mist | |
AU2041400A (en) | Process for production of carbon black | |
GB1061042A (en) | Improvements in the methods for the production of vitreous silica | |
DE19530339A1 (en) | Fumed silica, process for its production and use | |
KR100479564B1 (en) | Method and apparatus for production of amorphous silica from silicon and silicon-containing materials | |
JPS6015569B2 (en) | Equipment for pyrolytically producing silicon dioxide | |
US2240343A (en) | Material treatment | |
US2331599A (en) | Manufacture of zinc oxide | |
JPS6335567B2 (en) | ||
SU948881A1 (en) | Process for producing highly-dispersed silicon dioxide | |
US3423184A (en) | Apparatus for the production of finely divided amorphous silica | |
US4565682A (en) | Process for producing pyrogenic silicic acid with increased thickening effect | |
GB743916A (en) | Method of and apparatus for ozonizing oxygen or oxygen-containing gases under pressure | |
US3660025A (en) | Manufacture of pigmentary silica | |
GB1383832A (en) | Defluorination of wet process phosphoric acid | |
US2249192A (en) | Sulphuric acid concentration | |
SU1456359A1 (en) | Method of producing highly disperse silicon and titanium dioxide | |
GB836275A (en) | Process for the production of finely divided ferromagnetic iron oxide | |
JPS5735678A (en) | Method for forming glass film on metallic surface | |
CN115947378B (en) | Method for preparing spherical ferric oxide by flame method | |
SU543248A1 (en) | Method of producing fine pulverulent silicon dioxide | |
US3397961A (en) | Carbon black process | |
RU2175306C1 (en) | Method of production of hydrofluoric acid and silicon dioxide | |
US2746737A (en) | Process for heating up apparatus for carrying out exothermic gas reactions |