SU942135A2 - Формирователь тока дл магнитного запоминающего устройства - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам и может быть применено дл  возбуждени  токов в обмотках . магнитных запоминающих устройств.

По основному авт. св. № 64О366 иввестен формирователь тока дл  магнитного запоминающего устройства, содержащей источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопите-.л , концы которой через соответсгвующие диоды соединены с коллектором формирующего транзистора и эмиттером транеистора обратной св зи, а коллекторы транзисторов подключены к источникам напр - д жени  непосредственно и через первичную обмотку трансформатора, вторична  обмотка которого подключена к базе и эмитгеруфорсирующего транзистора, рездстор, конденсатор, одна обкладка которого под-го ключена к точке соединени  одного из днопов и адресной обмотки магнитного накопител , друга  - к точке соеринени  эмиттера форсирующего трана1стора и вывода

резистора, другой вывод которого подключен к шине нулевого потенциала и источнику импульсного тока fl.

Недостатком известного формировател  тока  вл етс  низкое быстродействие, вывванное тем, что конденсатор зар жаетс  через резистор по экспоненциальному за- кену, что при высокой частоте повторени  импу;ьсов тока приводит к зависимости напр жени  на конденсаторе от частоты. Эта зависимость в свою очередь цлшодит к изменению длительности первдвего фронта импульсов тока.

Цель изобретени  - повышение быстродействи  формировател  тока.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в формирователь тока дл  магнитного запоминающего устройства введены дополнительные резистор и транзистор. Коллектор которого через дополнительны ре .гистор подключен к шине/нулевого потеи-к циала, а эмиттер и база соедкне ы с одноименными элч cтpoдaми форсирующего транзистора. На чертеже представлена принципиальна  схема формировател  тока. Формирователь тока содержит форсирующий транзистор 1 трансформатор 2, источник 3 импульсного тока, адресную обмотку 4 магнитного накопител , первый оиод 5, первый источник 6 напр жени , транзистор 7 обратной св ;ж, второй диод 8, второй источник 9 наг э жени , резиг-тор 10, конденсатор 11, дополнигельный резистор 12, дополнительный тракзистор 13. Транзистор 13  вл етс  комп лементарным по отношению к транзисторам 1 и 7 (например, р-и-Р проводимости , если транзисторы 1 и 7  вл ютс  транзисторами и-Р-И проводимости). Фррмирователь тока работает следутошим образом. При включении питани  конденсатор I l зар жаетс  через диод 5 и резистор 10 до напр жени  источника 6. В момент вклtoчeни  источника 3 импульсного тока. ток в цепи (источник 6 натф жени  - диод 5-обмотка 4 магнитного накопител -источник 3 импульсного тока) начинает пла вно возрастать вследствие индуктивного характера обмотки 4 магнитного накопител . JHanpsDKemie на вькоде источника 3 импульсного тока Уменьшаетс  в это врем  настолько,, что амиттерный переход транзистора 7, выполн ющий роль фиксирующего диода, отпираетс  и часть вькод ного источника 3 импульсного тока ответвл етс  через даод 8 в транзистор 7, включенный по схеме с общей базой, при этом в его коллекторной цепи по первичной обмотке трансформатора 2 протекает импульс тока, что вызывает отпирание транзистора I. При отпирании транзистора I потенциал на обкладке конденсатора 11, подключенный к- эмиттеру тран зистора, становитс  равным напр жению источника 6, а на обкладке, подключенной к обмотке 4 магнитного накопител , сумме напр жений на конденсаторе 11 и источника 6. Диод 5 при этом запираетс  и ток начинает течь по цепи источник 6 напр жени -транзистор 1-конденсатор11обмотка 4 магнитного накопител -источник 3 импульсного тока, который в данный мо мент времени находитс  в насыщении и работает как генератор напр жени . Ковденсатор 11 в это врем  частечно разр жаетс . Транзистор 13 надежно заперт, . так как к его эмиттерному переходу приложенозапирающее напр жение, равное падению напр жени  на смещенном в пр мом направлении эмиттерном переходе. транзистора 1. Так как к обмотке 4 магнитного накопител  приложено повышенное напр жение, нарастание тока в ней происходит форсированно. При достижении тока. в обмотке 4 номинального значеш , определ емого источником 3 импульсного тока, потенциал на его выходе повышаетс , и ток через эмиттерный переход тран (здстора 7 прекращаетс . Транзистор 7 запираетс , при этом во вторичной обмотке трансформатора 2 по вл етс  oтpш aтe HJный бросок тока, бьютро запиракший транзистор I и отпирающий транзистс 13. Потенциал на обкладке конденсатора 11, ctvединенной с обмоткой 4, понижаетс , отпираетс  диод 5 и ток начинает течь по первоначальной цепи. Конденсатор 11 через диод 5, открытый транзистор 13 и резистор 12 вновь подзар жаетс  до напр  кени  йстош ша бГпри этом через реадстс э Ю протекает лишь незначитель«а  часть тока зар да конденсатора 11. Вершина импульса тока в обмотке 4 маг. нитного накопител  получаетс  плоской, так как при выходе источника 3 импульсного тока из насыщени  он начпннает ctaбилиа1ровать токв разгигзке, . в обмотке 4 магнитного накопител . Таким образом, ф«чх;йрующий транз с I нахоритс  во включенном состо нии только за формировани  переднего фронта импульса тока. В этот момент времени протекает дополнительно ток через резистор 10, поэтому его параметры выбираютс  таким образом, чтобы этот ток был незначительным, но предотвращалс  разр д конденсатора 11 током утечки закрытого трши1стора I. По сравненшо с известеым устройством ток через резистор 10 может быть значительно уменьшен. Емкость конденсатора 11 выбираетс  Достаточно большой, чтобы он разр жалс  незначительно за врем  одного цикла работы форкщровател . Диод 8 служит дл  защиты перехода эмиттер-база транзистора 7 от выбросв. напр жени  на выходе источника 3 импульсного тока в момент выключени  « уменьшени  паразитной емкости кс денсатора, подключенного к выходу источника 3. Резистор 12 ограничивает ток в цепи транзистора 13. Предлагаемый формирователь тока обладает повышенным быстродействием по сравнению с известным.

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Формирователь тока для магнитного запоминающего устройства по авт. св. Ν» 640366, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия формирователя, он содержит дополнительные резистор и транзистор, коллектор которого через дополнительный резис94213 5 6 тор подключен к шине нулевого потенциала, а эмиттер и база соединены с одноименными электродами форсирующего транзистора.

   5 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 640366, кл. G 11 С 7/00, 1977 (прототип).

   . Составитель В; Рудаков