SU640366A1 - Формирователь тока дл магнитного запоминающего устройства - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области вычислительной техники и может быть применено дл  возбуждени  токов в адресных или координатных обмотках магнитных запоминающих устройств.

Известны формирователи тока дл  запоминающих устройств. Один из формирователей тока содержит последовательно соединенные импульсный генератор тока, источники напр жени , обмотку куба, между обмоткой куба и одним из источников напр жени  включен резистор, точка соединени  которого с обмоткой куба соединена через конденсатор с нулевым потенциалом, а через диод - с другим источником напр жени  ,1.

Недостатком известного устройства  вл етс  больша  потребл ема  мощность и наличие дополнительного оборудовани .

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению  вл етс  устройство , содержащее источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопител , концы которой через соответствующие диоды соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной св зи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напр жени  непосредственно и через первичную об.мотку трансформатора, вторична  обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора 2. Недостатком известного зстройства  вл етс  наличие дополнительного источника напр жени , более высоковольтного, чем основной, что усложн ет устройство и снижает его надежность. Целью изобретени   вл етс  уменьшение

оборудовани  и повышение надежности устройства .

Дл  этого формирователь тока дл  магнитного запоминающего устройства содержит резистор и конденсатор, одна обкладка

которого подключена к точке соединени  одного из диодов и адресной обмотки магнитного накопител , друга  - к точке соединени  эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора, другой вывод которого соединен с шиной нулевого потенциала .

На чертеже представлена принципиальна  схема устройства.

Устройство содержит форсирующий транзистор 1, дифференцирующий транзистор 2, источник 3 импульсного тока, адресную обмотку 4 магнитного накопител , первый диод 5, первый источник напр жени  6,

транзистор обратной св зи 7, второй диод 8,

второй источник напр жени  9, резистор 10, конденсатор li.

Анод первого днода 5 соедкнен с положительным полюсом первого источника напр л ;ени  6 и коллектором форсирующего транзистора 1, катод - через адресную обмотку 4 с выходом импульсного источника тока 3 и катодом второго диода 8. Эмиттер транзистора обратной св зи 7 подключен к аноду диода 8, коллектор через первичную обмотку дифференцирующего трансформатора 2 - к положительному полюсу второго источника напр женн  9, а база - к щине нулевого потенциала.

Вторична  обмотка дифференцирующего трансформатора 2 подключена к эмиттеру и базе форсирующего транзистора 1. Одна из обкладок конденсатора И подключена к точке соединени  первого диода 5 с адресной обмоткой 4 магнитного накопител , друга  - к эмиттеру форсирующего транзистора 1 и через элемент зар да, резистор 10 - к щине нулевого потенциала.

При включении питани  конденсатор 11 зар жаетс  через нервый диод 5 и резистор

10до напр жени  источника 6. В момент включени  источника 3 импульсного тока в цепи: источник напр жени  6, диод 5, адресна  обмотка 4 магнитного накопител , источник 3 импульсного тока начинает плавно возрастать вследствие индуктивного характера адресной обмотки 4 магнитного накопител . Напр жение на выходе источника 3 импульсного тока уменьщаетс  в это врем  настолько, что эмиттерный нереход транзистора 7 обратной св зи, выполн ющий роль фиксирующего диода, отпираетс , и часть выходного тока источника 3 импульсного тока ответвл етс  через диод 8 в транзистор 7, включенный по схеме с общей баЗОЙ , при этом в коллекторной цепи по первичной обмотке дифференцирующего трансформатора 2 протекает импульс тока, что вызывает отпирание форсирующего транзистора 1. При отпирании транзистора потенциал на обкладке конденсатора 11, подключенной к эмиттеру форсирующего транзистора 1, становитс  равным напр жению источника 6, а на обкладке, подключенной

к адресной обмотке 4 магнитного накопител , - сумме напр жений на конденсаторе

11и источнике 6. Диод 6 при этом запираетс , и ток начинает течь по цепи; источник 6 напр жени , форсирующий транзистор 1, конденсатор И, адресна  обмотка 4 магнитнего накопител , источник 3 импульсного тока , который в данный момент времени находитс  в насыщении и работает как генератор напр жени . Конденсатор И в это врем  частично разр жаетс . Так как к адресной обмотке 4 магнитного накопител  в данный момент времени приложено новыщенное напр жение, нарастание тока в ней нроисходит форсированно. При достил ении тока Б адресной обмотке 4 магнитного накопител  номинального значени , задаваемого источником 3 импульсного тока, потенциал на его выходе повыщаетс , и ток через эмиттерный переход транзистора обратной св зи 7 прекращаетс . Транзистор запираетс , при этом во вторичной обмотке дифференцирующего трансформатора 2 по вл етс  отрицательный бросок тока, быстро запирающий форсирующий транзистор 1. Потенциал на обкладке конденсатора 11 понижаетс , отпираетс  диод 5 и ток течет по первоначальной цени. Конденсатор И через диод 5 и резистор 10 вновь подзар жаетс  до напр жени  источника 6. Верщина импульса тока Б адресной обмотке 4 магнитного накопител  получаетс  плоской, так как при выходе источника 3 импульсного тока из насыщени  стабилизируетс  ток в нагрузке, т. е. в адресной обмотке 4 магнитного накопител .

Таким образом, форсирующий транзистор 1 находитс  во включенном состо нии только на период формировани  переднего фронта импульса тока. В этот момент времени протекает дополнительно ток через резистор 10, поэтому его параметры выбираютс  таким образом, чтобы этот ток был незначителен , но конденсатор 11 успевал бы полностью зар жатьс  до поступлени  следующего импульса тока.

Вместо резистора 10 может быть применен , нанример, корректор (стабилизатор тока ) или электронный ключ, размываемый на то врем , когда включен форсирующий транзистор 1.

Емкость конденсатора 11 выбираетс  достаточно больщой, чтобы он разр жалс  незначительно за врем  одного цикла работы устройства.

Второй вывод конденсатора 11 через элемент зар да 10 может быть подключен не только к щине нулевого потенциала, но и к другому источнику напр жени , имеющемус  в запоминающем устройстве, при этом напр жение, до которого будет зар жатьс  конденсатор 11, станет отличным от напр жени  источника 6.

Диод 8 служит дл  защиты перехода эмиттер - база транзистора 7 от выброса напр жени  на выходе источника 3 импульсного тока в момент выключени  тока и уменьщени  паразитной емкости, подключенной к выходу источника.

В качестве второго источника напр жени  9 может быть применен основной низковольтный источник питани  логических элементов , имеющийс  в любом запоминающем устройстве.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР № 262964, кл. G ПС 11/02, 18.09.68.

2.С. Е. Поздн ков. «Особенности формировани  импульсов тока в магнитных запоминающих устройствах большой емкости. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1971, вып. 5, стр. 115, рис. 16, в, г.