SU932384A1

SU932384A1 - Устройство дл неразрушающего контрол

Info

Publication number: SU932384A1
Application number: SU792786528A
Authority: SU
Inventors: Олег Дмитриевич Вдовин
Original assignee: За витель
Priority date: 1979-06-25
Filing date: 1979-06-25
Publication date: 1982-05-30

Description

Изобретение относится к средст- * вам неразрушающего контроля и может найти применение при исследовании . качества изделий из ферромагнитных материалов в любой отрасли машиностроения.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является устройство для неразрушающего контроля, содержащее стержневой постоянный Mai— нит, магниторезисторы и соединенный с последними через усилитель индикатор. Устройство регистрирует магнитные поля рассеяния над дефектом при намагничивании изделия [l (J.

Недостатком известного устройства является то, что оно не позволяет регистрировать дефекты глубиной менее 0,1 мм, так как поле рассеяния над дефектом быстро убывает с удалением от него.

Цель изобретения - повышение чувствительности.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для неразрушающего контроля, содержащее постоянный магнит, магниторезисторы и соединенный с последними через усилитель ин⁵ дикатор, снабжено стержневыми магнитопроводами, установленными на торцах магнита, рабочими концами под углом друг к другу, образующими концентратор магнитного поля в локальной зоне, а магниторезисторы установлены в сечении магнитопроводов и конгруэнтны им.

На чертеже представлена структурная схема устройства.

Устройство содержит постоянный магнит 1, на торцах которого установ лены стержневые магнитопроводы 2 и

3. В сечении последних размещены магниторезисторы 4 и 5, соединенные через усилитель 6 с индикатором 7.

Устройство работает следующим образом.

932384 4

Постоянный магнит 1 создает маг-нитный поток в стержневых магнитопроводах 2 и 3, который пронизывает магниторезисторы 4 и 5 и замыкается в локальной зоне контролируемого изделия 8. При отсутствии в зоне контроля дефекта магнитный поток и сопротивление магниторезисторов 4 и 5 максимальны. При наличии дефекта в зоне контроля магнитный поток в цепи намагничивания уменьшается, так как растет магнитное сопротивление ;из-за уменьшения сечения магнитной цепи в зоне контроля, что вызывает уменьшение сопротивления магниторезисторов 4 и 5. Напряжение на магниторезисторах также уменьшается. Это изменение напряжения через усилитель 6 подается на индикатор 7.

Устройство позволяет намагничивать контролируемое изделие в локальной зоне и измерять магнитный поток в цепи намагничивания. При этом величина магнитного поля на несколько порядков больше поля рассеяния над дефектом и соответственно, приращение магнитного поля при наличии дефекта значительно возрастает, что позволяет повысить чувствительность к глубине дефекта, а конгруэнтность сечений магнитопроводов и магниторезисторов дает возможность подвести к последним весь магнитный поток цепи намагничивания и получить тем самым максимальную чувствительность.

Предлагаемое устройство позволя5 ет контролировать дефекты глубиной 0,05 мм и менее.

Claims

Изобретение относитс к средст- вам неразрушающего контрол и может найти применение при исследовании . качества изделий из ферромагнитных материалов в любой отрасли машиностроени . Наиболее близким техническим решением к предлагаемому вл етс уст ройство дл неразрушающего контрол содержащее стержневой посто нный ма нит, магниторезисторы и соединенный с последними через усилитель индикатор . Устройство регистрирует магнитные пол рассе ни над дефектом при намагничивании издели t lНедостатком известного устройств вл етс то, что оно не позвол ет регистрировать дефекты глубиной менее 0,1 мм, так как поле рассе ни над дефектом быстро убывает с удале нием от него. Цель изобретени - повышение чув ствительности. Поставленна цель достигаетс тем, что устройство дл неразрушающего контрол , содержащее посто нный магнит, магниторезисторы и соединенный с последними через усилитель индикатор , снабжено стержневыми магнитопроводами , установленными на торцах магнита, рабочими концами под углом друг к другу, образующими концентратор магнитного пол в локальной зоне, а магниторезисторы установлены в сечении магнитопроводов и конгруэнтны им. На чертеже представлена структурна схема устройства. Устройство содержит посто нный магнит 1, на торцах которого установлены стержневые магнитопроводы 2 и 3. В сечении последних размещены магниторезисторы U и 5, соединенные через усилитель 6 с индикатором 7. Устройство работает следующим образом . 3 Посто нный магнит 1 создает магнитный поток в стержневых магнитопр водах 2 и 3 который пронизывает магниторезисторы t и 5 и замыкаетс в локальной зоне контролируемого из делил 8. При отсутствии в зоне конт рол дефекта магнитный поток и сопротивление магниторезисторов и 5 максимальны. При наличии дефекта в зоне контрол магнитный поток в цепи намагничивани уменьшаетс , так как растет магнитное сопротивление из-за уменьшени сечени магнитной цепи в зоне контрол , что вызывает уменьшение сопротивлени магниторезисторов k и 5. Напр жение на магни орезисторах также уменьшаетс . Это изменение напр жени через уси )литель 6 подаетс на индикатор 7. Устройство позвол ет намагничивать контролируемое изделие в локальной зоне и измер ть магнитный поток в цепи намагничивани При этом величина магнитного пол на несколько пор дков больше пол рассе ни над дефектом и соответственно, приращение магнитного пол при наличии дефекта значительно возрастает, что позвол ет повысить чувствительность к глубине дефекта, а конгруэнтность сечений магнитопроводов и магниторе зисторов дает возможность подвести к последним весь магнитный поток цепи намагничивани и получить тем самым максимальную чувствительность. Предлагаемое устройство позвол ет контролировать дефекты глубиной 0,05 мм и менее. Формула изобретени Устройство дл неразрушающего контрол , содержащее стержневой маг-, нит, магниторезисторы и соединенный с последними через усилитель индикатор отличающеес тем, что, с целью повышени чувствительности , оно снабжено стержневыми магнитопроводами, установленными на торцах магнита, рабочими концами под углом друпк другу, образующими концентратор в локальной зоне, а магниторезисторы установлены в сечении магнитопроводов и конгруэнтны им. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Л мбах Р.В. Ободан В.Я. и Русекевич Ю.П. - Депонированный отчет о командировке в ПНР на VII Международную конференцию по неразрушающему контролю, НИИАчермет, М.-Днепропетровск , 1973 (прототип.