Изобретение относитс к пайке, в частности к способам групповой пайки плоских элементов и может быть использовано при коммутации термоэлементов . Известен способ пайки полупроводниковых пластин с коммутационными шинами , при котором на шины посредством залуживани нанос т припой,собирают пластины и шины в рамку, прижимающую шины к пластинам пружиной и производ т пайку погруже(ием в стеарин, нагретый до температуры до 25-30°С выше температуры плавлени припо , нанесенного на шины 1}. Известный способ не обеспечивает качественной пайки соединений, требует очень точной подгонки полупроводни ковых пластин по толщине и не пригоде дл пайки пластин толщиной менее 1,0 мм из-за возникновени между шинами перемычек из припо . Известен способ пайки полупроводниковых пластин с коммутационными шинами при изготовлении термоэлементов, при котором на полупроводниковые пластины нанос т металлическое покрытие , производ т сборку, нагрев, заполнение па емых зазоров припоем и охлаждение 21. Данный способ обеспечивает высокое качество пайки, однако малопроизводителен , так как предполагает индивидуальную пайку пластин. При пайке тонких пластин групповым методом возможно одновременное присоединение только к одной шине. Это обусловлено тем, что выполнение тонких пластин с высокой точностью толщины дл равномерного зажати между двум шинами невозможно.Кроме того, дл предотвращени образовани перемычек при пайке тонких пластин необходима строга дозировка припо . Оба эти услови - равномерное поджатие к двум шинам и строга дозировка припо обычными способами групповой пайки - неосуществимы. Целью изобретени вл етс обеспе чение групповой пайки набора тонких полупроводниковых пластин сразу с двум шинами. Поставленна цель достигаетс тем что в способе пайки полупроводниковых пластин с коммутационными шинами , при котором на полупроводниковые пластины нанос т металлическое покрытие , производ т сборку, нагрев, за полнение па емых зазоров припоем и охлаждение, собранные пластины и шины размещают ребрами на залуженной расплавленным припоем поверхности нагревательной плиты, а после заполнени па емых зазоров припоем из сло полуды собранный узел плиты передвигают по поверхности плиты в зону охлаждени , выполненную из материала, несмачиваемого припоем. Сущность способа заключаетс в том, что размещение и дальнейшее передвижение полупроводниковых пластин и шин ребрами на нагревательной плите преп тствует выпаданию наиболее тонких пластин из сборки, а слой полуды на поверхности нагревательной плиты обеспечивает качественную пайку зазоров между шинами и металлизированными поверхност ми полупроводни ковых пластин за счет капилл рных сил, не дава возможности образовать с перемычкам из припо между шинами . Последнее обусловлено малым количеством припо в слое полуды на нагревательной плите. На фиг, 1 изображен полутермоэлемент на нагревательной плите; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 и - этапы пайки термоэлемента. На фиг. 5 и 6 - весь термоэлемент в сборе. Наибольший эффект способ имеет при пайке термоэлементов, имеющих коммутацмонные шины, состо щие из двух частей - основных и дополнительных . Из-за этого способ проиллю стрирован применительно к термоэлементам такого типа, однако он применим и дл обычных термоэлементов. Пайку термоэлементов производ т на нагревательной плите, один из возможных вариентов конструкции которой изображен на фиг. 1. Рабоча поверхность плиты 1 разделена на три зоны 2,3 и 4. Зоны 2 и не смачиваютс припоем (например, выполнены в виде покрыти части плиты керамикой или тефлоном 5), а зона 3 смачиваетс припоем. Дл осуществлени нагрева плита содержит внутренние электронагреватели 6. Способ пайки реализуетс следующим способом. Полупроводниковые пластины 7 одной пол рности, например, типа Р ввод т в размер и покрывают металлическими сло ми, например, гальваническим путем. После этого плиту 1 нагревают до температуры, превышающей на 10-20° температуру плавлени используемого припо , например ПОС-61 и зону 3 залуживают этим припоем. Далее берут медные шины 8 и 9, имеющие подготовленные рабочие поверхности , и помещают ребром на поверхности зоны 2 устройства, а между ними также ребрами рас полагают полупроводниковые пластинки 7, образующие в совокупности ветвь типа -Р. Затем вс сборка (7+8+9) передвигаетс в зону 3 плиты 1, покрытую расплавленным припоем 10, где этот припой зат гиваетс капил рными силами в микрозазоры между полупроводниковыми пластинами 7 и шинами 8 и 9. После этого вс указанна сборка передвигаетс в третью зону t, а температура плиты 1 понижаетс до затвердевани припо 10. Полутермоэлемент в виде, изображенном на фиг. 3, готов. Далее полутермоэлемент переворачиваетс на 180 и снова перемещаетс в зону 2 устройства. Аналогично предыдущего к шине 8 присоедин ютс полупроводниковые пластины 11 , образующие ветвь типа -пи дополнительна шина 12. Предварительно зона 3 устройства залуживаетс припоем 13, имеющим несколько меньшую температуру плавлени , чем припой 10. После сформировани термоэлемента в виде, показанном на фиг. 4, последний перемещаетс в зону 3 устройства , нагреваетс до температуры плавлени припо 13 и перемещаетс в зону Ц устройства, где остывает до затвердени припо 13. Последн операци - припаивание съемной масти термоэлемента со стороны шин 9 и 12 к гор чим шинам 1А припоем, имеющим температуру плавлени более низкую, чем температура плавлени припоев 10 и 13. Термоэлемент готов. Аналогичным образом может быть скоммутирован и обычный типовой термоэлемент без дополнительных гор чил коммутационных шин 9 и 12. При массовом производстве термоэле ментов целесообразно иметь две плиты р бочие поверхности которых разным припоем (одна - припоем 10, друга -13). Предлагаемый способ пайки испытан при изготовлении термоэлектрического холодильника мощностью по холоду 30 кВт. Предлагаемый способ позвол ет повысить производительность при пайке термоэлементов, обеспечива высокое качество соединений. Формула изобретени Способ пайки полупроводниковых пластин с коммутационными шинами, преимущественно при изготовлении тер моэлементов, при котором на полупроводниковые пластины нанос т металли
8
г
9
7 8 ческое покрытие, производ т сборку, нагрев, заполнение па емых зазоров, припоем и охлаждение, отличающийс тем, что, с целью обеспечени групповой пайки набора тонких полупроводниковых пластин сразу с двум шинами, сббранные пластины и шины размещают ребрами на залуженной расплавленным припоем поверхности нагревательной плиты, а после заполнени па емых зазоров припоем из сло полуды собранный узел плиты передвигают по поверхности плиты в зону охлаждени , выполненную из материала, несмачиваемого припоем. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Коленко Е.А. Термоэлектрические охлаж(аю1цие приборы. Л.,Наука, 1 967, с. 115.