(5) МАГНИТОРЕЗИСТОР
Изобретение относитс к магнитны измерени м и может быть использован в магнитометрах, первичными преобразовател ми которых вл ютс магни резисторы. Известен магниторезистор в виде диска Корбино, выполненный с одним электродом по окружности диска, с другим электродом - в центре диска Cl. Недостатками известного магниторезистора вл ютс низкое начальное сопротивление, в результате чегр затруднено проведение измерений напр жений образующихс на магниторезисторе; значительные погрешноети,возникающие при измерении импульсных и переменных полей за счет того, что в пластине магниторезистора возникают вихревые токи, порождающие, дополнительный разогрев плactины, а значит и температурную нестабильность параметров магниторезистора. . 2- . , Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству вл етс магниторезистор из токопровод щей полосы,в виде меандра, изготовленный из эвтектического сплава SuSb - NiSb 21. Сследвтвие высокой проводимости сильнолегированного Яи5Ь очень трудно добитьс хорошего закорачивани напр жени Холла как с помощью поверхностного растра из металлических полос, так и с помощью внутренних иглообразных включений, в результате чего эффект магнитосопротивлени уменьшаетс ; размеры поперечного сечени полосы меандра из-за наличи игл NiSb должны быть не менее бОх хбО мкм, а это, в свою очередь, не позвол ет повы.сить начальное сопротивление магниторезистора; необходимость введени и правильного ориентировани игл NiSb как при выращивании полупроводникового слитка, так и при изготовлении пластины требует допол3920596 нительных технологических операций, что усложн ет и удорожает процесс изготовлени , а следовательно, и стой- В мость магниторезистора. Целью изобретени вл етс повыше- 5 ние чувствительности магниторезистора. Цель достигаетс тем, что в магниторезисторе , содержащем токопровод щую полосу в виде меандра, в токопровод щей пластине выполнено п сквозных верстий, расположенных вдоль всей длины меандра параллельно боковым гран м элементов меандра, при этом рассто ние между соседними отверсти ми удовлетвор ет условию d . S v 10 I, -0 где S - рассто ние между отверсти ми; d - ширина отверсти ; 1 - длина отверсти . На чертеже .изображен магниторезис- те Магниторезистор 1 содержит электроды 2 и 3 с токопровод щей пластиной k, внутри которой выполнены сквозные отверсти 5 с шириной 6 и длиной 7. При отсутствии магнитного пол эквипотенциальные линии V имеют равномерное рас пределение, причем линии перпендикул рны к боковым гран м Пластины независимо от наличи или. отсутстви отверстий 5,только в узких участках густота линий увеличиваетс , так как в этих участках сопротивление магниторезистора возрастает по сравне нию с участками без отверстий 5. При воздействии на магниторезистор 1 магнитного пол эквипотенциальн линии V начинают поворачиватьс , одна ко в участках, где имеютс отверсти 5 линии деформируютс , более того, во никают дополнительные токи ig из-за по влени ЭДС Холла в участках с отве сти ми 5 в результате этого эквипотенциальные линии V поворачиваютс неодинаково. С другой стороны на боКОВ .ЫХ гран х пластины k возникают неравные холловские ЗДС, так в у Гастках с отверсти ми. Vx, ig,B.§tt., (2) где УХ - холловска ЭДС на участке с отверсти ми на участке с величина тока отверсти ми; воздействующее магнитное посто нна Холла; ет ле гр ( - толщина участка; Ч - геометрический коэффициент. частках без отверстий V«A определ как (3) холловска ЭДС на участке без отверстий; величина тока на этом участВ - величина воздействующего магнитного пол ; Кц - посто нна Холла; 1/« - геометрический коэффициент участка без отверстий. В результате этого в област х,приающих и противоположных боковым н м пластины , возникают дополниьные токи ig, а это также увеличиает эффект магнитосопротивлени . Размеры, форма, расположение могут быть определены исход из следующего. Дл получени большего значени начального сопротивлени необходимо уве.пичивать число отверстий,при этом отверсти могут быть выполнены в два и более р дов в токопровод щей пластине по всей длине меанДра, причем плотность располо : ени отверстий одинакова в магниторезисторе; в случае, если необходимо больше увеличить магниторезистивный эффект, отверсти выполн ютс с различными размерами , которые также чередуютс с определенным шагом. Это, в свою очередь, увеличива т магнйторезистивный эффект сильнее, чем отверсти с одинаковыми размерами, что обуслоёлено большим про влением геометрического эффекта; размер шага между отверсти ми выбираетс , исход из того, чтобы он был не меньше ширины отверсти , это также увеличивает начальное сопротивление магниторезистора . Шаг между отверсти ми должен быть не более удес теренной длины отверсти , что обусловлено наименьшей величиной задаваемого начального сопротивлени и длиной полос самого меандра; форма и ориентаци отверстий определ етс законами изменени Rg магниторезистора от магнитного пол К (линейна зависимость или квадратична ), этот пункт выполн етс только при наличии предварительных измерений и экспериментальных доработок ,