SU914526A1 - Method for dissolving chalcogenide glasses - Google Patents
Method for dissolving chalcogenide glasses Download PDFInfo
- Publication number
- SU914526A1 SU914526A1 SU802982609A SU2982609A SU914526A1 SU 914526 A1 SU914526 A1 SU 914526A1 SU 802982609 A SU802982609 A SU 802982609A SU 2982609 A SU2982609 A SU 2982609A SU 914526 A1 SU914526 A1 SU 914526A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- chalcogenide
- glasses
- glass
- dissolving
- chalcogenide glasses
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при получении рельефных микроизображений из халькогенидных стекол, легированных металлом подгруппы меди или таллием'.The invention relates to microelectronics and can be used to obtain embossed microimages from chalcogenide glasses doped with a metal of the copper or thallium subgroup.
Известен способ растворения халькогенидных стекол путем обработки их при 20-50°С химическим реагентом пирролидином из расчета 4,3-12,9 г на 1 г халькогенидного стекла СИ.There is a method of dissolving chalcogenide glasses by treating them at 20-50 ° C with a pyrrolidine chemical reagent at the rate of 4.3-12.9 g per 1 g of chalcogenide SI glass.
Недостатком этого способа является низкая скорость растворения халькогенидного стекла, а главное сильная зависимость скорости от структуры пленки, на которую влияет, в частности, предварительное облучение пленки актиничным излучением.The disadvantage of this method is the low dissolution rate of chalcogenide glass, and most importantly a strong dependence of speed on the structure of the film, which is influenced, in particular, by the preliminary irradiation of the film with actinic radiation.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является спо соб растворения халькогенидных стекол путем обработки их химическим реагентом - раствором едкого натра различной концентрации при 20-50°С,The closest to the invention by its technical essence is the method of dissolving chalcogenide glasses by treating them with a chemical reagent — a solution of caustic soda of various concentrations at 20–50 ° C,
22
который позволяет растворять халько» генидные стекла систем Аз-5, Аэ-5е, Аз-5-5е, Аз-Зе-Се, Аз-5-Се и не оказывает влияния на халькогенидные стекла этих систем, легированные металлом подгруппы меди или таллием (2).which allows to dissolve chalco “genid glasses of the Az-5, Ae-5e, Az-5-5e, Az-Ze-Ce, Az-5-Ce systems and does not affect the chalcogenide glasses of these systems doped with copper or thallium metal subgroups ( 2).
Недостатком этого способа является загрязнение обрабатываемой поверхности халькогенидного стекла ионами щелочного металла, вызывающими постепенное разрушение материала, а также некоторое растворение легированного халькогенидного стекла. Последнее обстоятельство становится особенно существенным при обработке халькогенидных стекол, у которых легированные участки имеют микронные и субмикронные размеры.The disadvantage of this method is the contamination of the treated surface of chalcogenide glass with alkali metal ions, causing the gradual destruction of the material, as well as some dissolution of doped chalcogenide glass. The latter circumstance becomes especially significant when processing chalcogenide glasses, in which the alloyed areas have micron and submicron dimensions.
Цель изобретения - обеспечениеThe purpose of the invention is the provision
селективности растворения халькогенидных стекол систем Аз-5,the selectivity of the dissolution of chalcogenide glasses systems Az-5,
Аз-5е, Аз-$-5е, Аэ-З-Се, Аз-5е-СеAz-5e, Az - $ - 5e, Ae-Z-Se, Az-5e-Se
з 91W 91
относительно халькогенидных стекол этих же систем, легированных металлом подгруппы меди или таллием.relatively chalcogenide glasses of the same systems, alloyed with a metal subgroup of copper or thallium.
Поставленная цель достигается тем, что обработку ведут моноэтаноламином из расчета 2-50 г на I г халькогенидного стекла.This goal is achieved by the fact that the treatment is carried out with monoethanolamine at the rate of 2-50 g per I g of chalcogenide glass.
Обработку халькогенидных стекол целесообразно вести при 20-50°С. Увеличение температуры выше 50°С приводит к ухудшению селективности травления, а понижение ниже 20°С резко снижает скорость растворения халькогенидного стекла. Необходимость выбранных соотношений реагентов обосновывается получением времени растворения до 1-2 мин при обработке тонких пленок халькогенидных стекол толщиной 100-5000 А.Processing chalcogenide glasses should be carried out at 20-50 ° C. An increase in temperature above 50 ° C leads to a deterioration in the etching selectivity, and a decrease below 20 ° C sharply reduces the dissolution rate of chalcogenide glass. The need for selected ratios of reagents is justified by obtaining a dissolution time of up to 1-2 minutes when processing thin films of chalcogenide glasses with a thickness of 100-5000 A.
Для обеспечения более равномерно-, го травления тонких пленок халькогенидных стекол их обработка может проводиться (20-90%) водным или спиртовым раствором моноэтаноламина.To provide a more uniform etching of thin films of chalcogenide glasses, their treatment can be carried out (20–90%) with an aqueous or alcoholic solution of monoethanolamine.
Пример 1. Халькогенидное сугекло состава Αδ^53 наносят в виде пленки толщиной 400 А° на.стеклянную подложку е предварительно нанесенным слоем серебра толщиной 2000 А. Пленку халькогенидного стекла облучают "через маску актиничным излучением. В облученных местах происходит фотолегирование серебром пленки халькогенидного стекла в количестве до 30 ат.% в зависимости от длительности облучения.Example 1. A альδ ^ 5 3 chalcogenide agglomerate is applied as a 400 A film thickness onto a glass substrate e with a pre-deposited silver layer 2000 A thick. in the amount of up to 30 at.% depending on the duration of exposure.
Обработку ведут из расчета 2 г моноэтаноламина на 1 г стекла, Вре· мя растворения необлученной пленки в концентрированном моноэтаноламине составляет 18-20 с при 20°С (и 6*7 с при 50°С), При использовании 20%-ного водного раствора моноэтаноламина время растворения увеличивается до 40-45 с. Остатки растворителя удаляют с поверхности пленки из халькогенидного стекла этиловым спиртом.The treatment is carried out at the rate of 2 g of monoethanolamine per 1 g of glass. The time of dissolution of the non-irradiated film in concentrated monoethanolamine is 18-20 s at 20 ° C (and 6 * 7 s at 50 ° C), using a 20% aqueous solution monoethanolamine dissolution time is increased to 40-45 s. The residual solvent is removed from the surface of the film from chalcogenide glass with ethyl alcohol.
Пример 2. Халькогенидное стекло состава5е, < наносят в виде пленки толщиной 400 А на стеклянную подложку с предварительно нанесенным слоем таллия толщиной 2000 А. Пленку облучают сфокусированным .лазерным излучением ( X =Example 2. Chalcogenide glass of composition 5e, <is applied in the form of a film with a thickness of 400 A on a glass substrate with a pre-applied layer of thallium with a thickness of 2000 A. The film is irradiated with focused laser radiation (X =
4526 44526 4
е4880 А). Время растворения необлученной/пленки в концентрированном моноэтаноламине составляет 15-17 с при температуре растворителя 20°Сe4880 A). The time of dissolution of the non-irradiated film in concentrated monoethanolamine is 15-17 s at a solvent temperature of 20 ° C
5 (при 50°С - 4-5 с). При использовании 90% раствора моноэтаноламина в этиловом спирте время растворения увеличивается до 20-22 с (температура растворителя 20°С). Обработку 5 (at 50 ° С - 4-5 s). When using a 90% solution of monoethanolamine in ethyl alcohol, the dissolution time is increased to 20-22 s (solvent temperature 20 ° C). Processing
10 ведут из расчета 50 г растворителя на 1 г халькогенидного стекла.10 are based on 50 g of solvent per 1 g of chalcogenide glass.
Пример 3. ХалькогенидноеExample 3. Chalcogenide
15 стекло состава .АзЗСе наносят в виде пленки толщиной 1600 А на стеклян ную подложку с предварительно нанесенным слоем меди толщиной 2000 X. Пленку халькогенидного стекла облу20 чают через маску актиничным электромагнитным излучением. Растворение проводят из расчета 8 г моноэтаноламина на 1 г стекла. Время растворения необлученной пленки в концен25 трированном моноэтаноламине составляет 45-60 с при температуре растворителя 25°С.15 glass composition. AZZSe is applied in the form of a film with a thickness of 1600 A on a glass substrate with a preliminarily deposited layer of copper with a thickness of 2000 X. The film of chalcogenide glass is exposed through the mask with actinic electromagnetic radiation. The dissolution is carried out at the rate of 8 g of monoethanolamine per 1 g of glass. The time of dissolution of the unirradiated film in the concentrated monoethanolamine is 45–60 s at a solvent temperature of 25 ° C.
30thirty
3535
4040
Применение способа растворения халькогенидных стекол позволяет получить качественные рельефные изображения из легированного металлами подгруппы меди или таллием 'халькогенидного стекла, которые могут быть использованы в качестве защитного покрытия, в частности при последую,щих операциях травления нижележащих слоев металла. Этот способ селективного растворения может быть использован при получении элементов интегральных схем с микронными и субмикронными размерами методами неорганической фотолитографии.The application of the method of dissolving chalcogenide glasses makes it possible to obtain high-quality relief images from a copper subgroup or with thallium chalcogenide glass doped with metals, which can be used as a protective coating, in particular for subsequent etching operations of the underlying metal layers. This method of selective dissolution can be used to obtain elements of integrated circuits with micron and submicron dimensions by inorganic photolithography.
4545
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802982609A SU914526A1 (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Method for dissolving chalcogenide glasses |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802982609A SU914526A1 (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Method for dissolving chalcogenide glasses |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU914526A1 true SU914526A1 (en) | 1982-03-23 |
Family
ID=20917942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802982609A SU914526A1 (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Method for dissolving chalcogenide glasses |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU914526A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD967C2 (en) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Химии Академии Наук Молдовы | Process for chalcogenic glasses treatment |
-
1980
- 1980-09-01 SU SU802982609A patent/SU914526A1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD967C2 (en) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Химии Академии Наук Молдовы | Process for chalcogenic glasses treatment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4015986A (en) | Method of developing and stripping positive photoresist | |
US6368421B1 (en) | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces | |
JP3117386B2 (en) | Method for selective metallization of substrates | |
US4069076A (en) | Liquid lamination process | |
EP0180101B1 (en) | Deposition of patterns using laser ablation | |
EP0000702B1 (en) | Process for forming a flow-resistant resist mask of radioation-sensitive material | |
JPS5912942A (en) | Method of adhering metal layer on polyester substrate | |
US4155735A (en) | Electromigration method for making stained glass photomasks | |
JPH08503983A (en) | Reduction of metal ions in bottom antireflective coatings for photoresists | |
US4834834A (en) | Laser photochemical etching using surface halogenation | |
DE10361257B4 (en) | Process for the production of fine patterns | |
US4838989A (en) | Laser-driven fusion etching process | |
KR100470514B1 (en) | Method for producing a surfactant having a low metal ion content and a method for producing a developer containing the surfactant | |
US4368099A (en) | Development of germanium selenide photoresist | |
JPH0791661B2 (en) | Lithographic method using lasers to form electronic components | |
SU914526A1 (en) | Method for dissolving chalcogenide glasses | |
CA1241863A (en) | Lithographic process for producing devices | |
Metev et al. | Pattern generation by laser-induced oxidation of thin metal films (microcircuit fabrication) | |
JP4769680B2 (en) | Pattern forming composition comprising metal fine particle dispersion and pattern forming method | |
JP3310202B2 (en) | Method of forming resist pattern | |
EP0058214B1 (en) | Method for increasing the resistance of a solid material surface against etching | |
EP0198280B1 (en) | Dry development process for metal lift-off profile | |
US4550074A (en) | Sensitizing bath for chalcogenide resists | |
US4390592A (en) | Low temperature reduction process for photomasks | |
EP0314185A1 (en) | Pattern forming method |