SU911630A1

SU911630A1 - Resistive material

Info

Publication number: SU911630A1
Application number: SU802882451A
Authority: SU
Inventors: Геннадий Владимирович Соломенников; Сергей Михайлович Карабанов; Юрий Тимофеевич Рябов
Original assignee: Рязанский Радиотехнический Институт
Priority date: 1980-02-18
Filing date: 1980-02-18
Publication date: 1982-03-07

Description

54) РБЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ54) RESISTANT MATERIAL

Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть использовано дл изготовлени резисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивлени (ТКС).The invention relates to microelectronics and can be used to manufacture resistors with a positive temperature resistance coefficient (TCR).

Известен резистивный материал,который используют дл изготовлени резисторов с большим положительным ТКС, (позисторов). Это титанат бари и аналогичные ему материалы 1J.A resistive material is known that is used to make resistors with a large positive TCS (posistor). This is bari titanate and similar materials 1J.

Однако технологи изготовлени резисторов из них не совместима с технологией микроэлектроники.However, the technology of manufacturing resistors from them is not compatible with the technology of microelectronics.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс резистивный материал на основе керметов с положительным ТКС, содержащий диоксид кремни (SiOii) {2j .The closest to the proposed technical essence is a resistive material based on cermet with a positive TKS, containing silica (SiOii) {2j.

Одиако величина ТКС у этих материалов незначительна и составл ет величину пор дка 10 1/°С..The odd TX value of these materials is insignificant and amounts to about 10 1 / ° C.

Цель изобретени - увеличение температурного коэффициента сопротцвлеНИЯ .;The purpose of the invention is to increase the temperature coefficient of resistance.

Поставленна цель достигаетс что резистивный материал на основе диоксида кремни (ЗЮд) с положительным температурным коэффициентом сопротнвлени , дополнительно содержит окись хрома (CraOi) при следуедемThe goal is to achieve that a resistive material based on silicon dioxide (SUD) with a positive temperature coefficient of resistance, additionally contains chromium oxide (CraOi) when followed.

количественном соотношении компонен- тов, вес.%1proportion of components, wt.% 1

Диоксид кремни SiOa 20-80 хрома Остальное На чертеже показана зависимость ТКС резистора от состава исходной .смеси.Silicon dioxide SiOa 20-80 chromium Else The drawing shows the dependence of the TKS resistor on the composition of the initial mixture.

При изменении содержани двуокиси кремни в резистивном материале When changing the content of silica in a resistive material

10 20-80%.ТКС имеет положительную величину .10 20-80%. TKS has a positive value.

В зависимости от состава величина ТКС измер етс в широких пределах. . Дл состава,содержащего 15% ве15 личина ТКС равна 10 l/C, а дл состава с 30% СгпО - 55 1/°С. При содержании CriiOi более 90% величина ТКС становитс отрицательной.Depending on the composition, the TKS value is measured over a wide range. . For a composition containing 15%, the value of TKS is 10 l / C, and for a composition with 30% CpO, 55 1 / ° C. When the content of CriiOi is more than 90%, the TKS value becomes negative.

Температурна зависимость сопро20 тивлени аналогична температурной зависимости сопротивлени позисторов.The temperature dependence of the resistance is similar to the temperature dependence of the posistor resistance.

Удельное сопротивление резистивного материала в области низких тем25 ператур составл ет Ом см,что позвол ет изготовл ть микрорезисторы дл микроэлектронных схем.The resistivity of the resistive material at low temperatures is Ω cm, which allows the manufacture of microresistors for microelectronic circuits.

Ниже приведены конкретные примеры изготовлени резистивных материалов щредлагаемого состава с различньмThe following are specific examples of the manufacture of resistive materials of the proposed composition with different

содержанием-компонентов и их характеристики .content-components and their characteristics.

Технологи изготовление pijHCTHBного сло проста и полностью совместима с технологией микроэлектроники.The technology for manufacturing the pijHCTHB layer is simple and fully compatible with microelectronics technology.

Исходные компоненты ре эистивного материала предварительно тщательно перемешивают, затем прессуют и помещают в тигель из тугоплавкого материала (МО; ) . Нанвсеиив разистивного материала осуществл етс меФормула изобретени Резистивиый материал на осиове диоксида кремни () с положительнш« теьтературным коэффициенте сопротивлени , о т л и ч а ю щ И и с тем, что, с целью увеличени температурного коэффициента сопротиа:Ленин , ои дополнительно содержит окись хрсма (СГ1.О) при следумщем . количественном соотношении компонентов , вес%1 .The initial components of the resistive material are pre-mixed thoroughly, then pressed and placed in a crucible of refractory material (MO;). The formula of the invention is a resistive material on silicon dioxide axis () with a positive textural resistance coefficient, which is so that, in order to increase the temperature coefficient of resistivity: Lenin, the acid additionally contains hrsma (SG1.O) with the following. the quantitative ratio of components, weight% 1.

тодом электронно-лучевого испарени , которнй обеспечивает .наибольшую чистоту процесса испарени и сохранение стохиометричности резистивного материала при испарении.A method of electron beam evaporation, which ensures the highest purity of the evaporation process and the preservation of the stoichiometry of the resistive material during evaporation.

Использование предлагаемого редистивного материала позволит соз .лать микрорезисторы с большим положительным ТКС дл микросхем используемых в различных устройствах автоматики .The use of the proposed redistic material will make it possible to create microresistors with a large positive TKS for the microcircuits used in various automation devices.

Диоксид кремни (SiOi) 20-80 Окись (CfijQj),OcTcLnbHoeSilica (SiOi) 20-80 Oxide (CfijQj), OcTcLnbHoe

Источники инфо1 мации/ прин тые во внимание при экспертизе 1. Шефтель И.Т.Терморезисто1Я2.М., наука, 1973.Sources of information / taken into account during the examination 1. Sheftel I.T. ThermoresistIz2.M., Science, 1973.

, 2. Технологи тонких пленок, т.2. Под ред. Л.Майсепла и Р.Глэнга. .М., Советское радио , с.596(протог ип ) ., 2. Technology of thin films, v.2. Ed. L.Misepla and R.Glanga. .M., Soviet Radio, p.596 (protog un).

Claims

The claims 25

Resistive material based on silicon dioxide (SiO ^) with a positive * temperature coefficient of resistance, characterized in that, in order to increase the 30-temperature coefficient of resistance, it additionally contains chromium oxide (Cr ^ O ^) in the following quantitative ratio of components, weight% > '

Silicon dioxide (SiO ^) 20-80 Chromium oxide (CrQpj), The rest