Изобретение относитс к техноиогичео кому обору довагапо дл изготовлени по пупроводникрвых приборов, и в частности к оборудованию дл очистки полупроводниковых пластин после операций механической обработки (резки, шлифовки, полировки ). Известно устройство шга механической двусторонней очистки полупроводникоылх пластин, содержащее спаренные щетки, установленные с возможностью щзашени в противоположные стороны, систему подачи моющей жидкости и приспособление дл транспортировки изделий между щетками С 5 1 . Однако в данном устройстве сложное приспособление пл транспортировки изделий между щетками. Наиболее близким к предлагаемому вл етс устройство дл механической очистки плоских изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащее размешенные попарно цилиндрические щетки, кажда из которых снабжена индивидуальным приводом, и установленные с возможностью врашеви вокруг своих продольных осей в противоположные стороны , и механизм перемещени полупроводниковой пластша , соде щащий направо л ющ е, установленные перпендикул рно к продольным ос м цилиндрических щеток 2 . Однако перемещение цилин1фических щеток только вокруг своей оси не обеопечивает качества очистки полупроводниковых пластин. Цель изобретени - повышение качест ва очистки. Поставленна цель достигаетс тем, что устройство дл механической очистки плоских изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащее размещенные попарно цилиндрические щетки, кажда из Которых снабжена иидивидуаль ным приводом, и установленные с возможностью вращени вокруг своих продольных осей в противоположные сторонь и механизм перемещени полупроводников 390210 вой пластины, содержащий направл ющие установленные перпендикул рно к продопь ным ос м цилиндрических щето, механизм перемещени полупроводниковой ;пластины снабжен толкателем, установлен- 5 ным с возможностью возвратно-поступательного перемещени по направл ющим, а шшиндрические щетки установлены с возможностью встречного возвратно-по«ступател1 .ного перемещени вдоль их продольных осей. На фиг. 1 изображено устройство дл очистки полупроводникомз1х пластин; на 4мг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - сечение Б«-Б на фиг. 1. Устройство содержит цилиндрические щетки 1, установленные попарно друг против друга с возможностью вращени на валу 2 вокруг своих продольных осей. Кажда цилиндрическа щетка 1 снабжена индивидуальным приводом, обеспечиваю щим возвратно-поступательное движение вдоль продольной оси. Этот индивидуальный привод содержит шкив 3 со скосом 4, посаженный на валу 2 и взаимодействующий с кулачком 5. Поджим деталей привода осуществл етс посредством пружины 6, опирающейс на подп тник 7, вращающийс с помощью шариков 8 в опоре 9. С двух сторон пары цилиндрических щеток перпендикул рно Чс их продольным ос м установлены направл ющие 10 и 11. Кроме того, устройство содержит толкатель 12, установленный с возможностью возвратно-поступатехгьного перемещени по направл5пощей 1О в пазу 13.i Дл регулировани зазора между паро цилиндрических щеток 1 вал 2 взаимодействует , со стойкой 14, установленной на оси 15 с возможностью поворота при помощи пружины 16 и винта 17. Все детали закреплены на основании 18. Направление ворса на цилиндрических щетках 1 выполнено по винтовой -пинии. В направл ющей 11 выполнен паз 19. Устройство работает следующим образом . Изделие, подлежащее очистке, например полупроводниковую пластину, устанав ливают в зону обработки любым извест ным способом. Цилиндрическим щеткам 1 сообщают вращательное движение от привода (не показан). Одновременно цилиндрические щетки 1 совершают возвратнопоступательное движение вдоль своих продольных осей, что достигаетс за сче шкива 3 со скосом 4, обкатывающегос 6 тю кулачку 5. При этом контакт шкива 3 и кулачка 5 достигаетс с помощью пружины б, опирающейс на подп тник 7, вращающийс на шариках 8 в опоре 9. Толкателю 12 сообщаетс возвратно- поступательное движение по расположенным над цилинщ)ическимн щетками 1 напра л ющим 10 в пазу 13 от любого привода (не показан). Скорость перем&а.еаи олкател 12 выбираетс из услови небходимой качественной очистки обрабаываемых изделий с учетом их хрупкости подбираетс экспериментальным путем. Число ходов толкател 12 выбираетс также экспериментально. Зазор между цилиндрическими щетками 1 подбираетс в зависимости от толщины обрабатываемого издели с помощь стойки 14, поворачивающейс на оси 15. Удержание стойки 14 в требуемом положении осуществл етс пружиной 16 и винтом 17. Цилиндрические щетки 1, враща сь в противоположные стороны, встречают полупроводниковую пластину, перемещаю.щихс в пазу 19 направл ющих Ю и 11, расположенных под цилиндрическими щет.ками 1, и стрем тс при этом ее вытолкнуть . Толкатель 12 проталкивает полупроводниковую пластину между цилиндрическими щетками 1. При этом полупроводникова пластина удерживаетс в вертикальном положении в пазу 19 направл ющей 11 за счет вращени цилиндрических щеток 1. За счет того, что цилин дрические щетки 1 совершают возвратнопоступательное движение и за счет того, что направление ворса выполнено по винтовой линии, при отходе-толкател 12 полупроводникова пластина выталкиваетс щетками 1 обратно в направл ющие 1О и одновременно поворачиваетс вокруг своей оси. При следующем движении толкател 12 вниз полупроводникова пластина снова входит между цилиндрическими щетками 1, но уже новой часть1о своей поверхности, в результате:чего очищаетс и ее торцова поверхность. , При таком процессе обрабатываемые поверхности полупроводниковой пластины каждый раз взаимодействуют с новыми участками ворса цилиндрических щеток 1 и траектории перемещени их по поверхности пластины вс кий раз пересека- ютс , чем достигаетс повышение эффективности очистки. Дл интенсификации процесса в зону обработки с помогцью специальной системы (не показано) подаетс рабоча жидкость. После окончани очистки в зону обработки подаетс деиониэованна вода. Затем цилиндрическим щеткам 1 соойцаетс реверсивное движение, они захватывают полупроводниковую пластину перемещают по направл ющим 11, передава на следующую операшпо. С учетом малой толщины обрабатываемой полупроводниковой пластины (0,3-О,6 мм) н значительного их диаметра (до 150 мм) паз 13 имеет значительно большую ши1ЯШУ , чем паз 19 в направл ющих 10 и 11, что исключает заклинивание попупро ;водниковой пластины, неравномерное перемещение ее, а следовательно, ее поЖЖ4ХУ . Такое конструктивное выполнение уст ройства повышает эффективность очистки изделий, что способствует увеличению выхода годных приборов. Формула и 3 о б р е т е н и Устройство дл очистки плоских изделий , преимущественно полупроводниковыхThe invention relates to a techno-ogic equipment for the manufacture of semi-conductive devices, and in particular to equipment for cleaning semiconductor wafers after machining operations (cutting, grinding, polishing). A device for mechanical two-sided cleaning of semiconductor-fusible plates is known, comprising paired brushes installed with possibility of contraction in opposite directions, a supply system of washing liquid and a device for transporting products between brushes C 5 1. However, in this device a complex adaptation of transporting products between brushes. Closest to the present invention is a device for the mechanical cleaning of flat products, mainly semiconductor wafers, containing two-placed cylindrical brushes, each of which is equipped with an individual drive, and installed with the possibility of rotating around its longitudinal axes in opposite directions, and a mechanism for moving a semiconductor plate, soda right side, mounted perpendicular to the longitudinal axes of cylindrical brushes 2. However, the movement of cylindrical brushes only around its axis does not guarantee the quality of cleaning of semiconductor wafers. The purpose of the invention is to increase the quality of cleaning. The goal is achieved by the fact that a device for mechanical cleaning of flat products, mainly semiconductor wafers, containing arranged in pairs cylindrical brushes, each of which is equipped with an individual drive, and mounted rotatably around their longitudinal axes to opposite sides and the movement mechanism of semiconductors 390210 containing guides installed perpendicularly to the axes of the cylindrical brushes, the semiconductor displacement mechanism; Stina provided with pusher ustanovlen- nym 5 with the possibility of reciprocating movement along the guide, and shshindricheskie brush mounted for reciprocating counter by "stupatel1 .nogo movement along their longitudinal axes. FIG. 1 shows a device for cleaning semiconductor wafers; on 4 mg. 2 shows section A-A in FIG. one; in fig. 3 - section B “-B in FIG. 1. The device comprises cylindrical brushes 1 mounted in pairs against each other with the possibility of rotation on the shaft 2 around their longitudinal axes. Each cylindrical brush 1 is provided with an individual drive providing reciprocating motion along the longitudinal axis. This individual drive contains a pulley 3 with a bevel 4, seated on the shaft 2 and interacting with the cam 5. The drive parts are pressed by means of a spring 6, supported on the support 7, rotating with the help of balls 8 in the support 9. On two sides a pair of cylindrical brushes perpendicular to the longitudinal axis, guides 10 and 11 are installed in their longitudinal axes. In addition, the device includes a pusher 12 mounted for reciprocating along the 5O guides in the groove 13.i To adjust the gap between the vapor-cylindrical These brushes 1, the shaft 2, interacts with a stand 14 mounted on the axis 15 and can be rotated by means of a spring 16 and a screw 17. All parts are fixed to the base 18. The lint direction on the cylindrical brushes 1 is made along a screw line. Groove 19 is made in guide 11. The device operates as follows. The product to be cleaned, such as a semiconductor wafer, is installed in the treatment area by any known method. Cylindrical brushes 1 reported rotational movement of the drive (not shown). At the same time, the cylindrical brushes 1 make a reciprocating movement along their longitudinal axes, which is achieved by cutting the pulley 3 with the bevel 4, running around the 6 cam 5. The contact of the pulley 3 and the cam 5 is achieved by means of the spring b supported on the thrust plate 7 rotating on the balls 8 in the support 9. The pusher 12 is transmitted in a reciprocating motion along the brushes 1 located above the cylinder and directing 10 in the groove 13 from any drive (not shown). The speed of the amp & eatelkatel 12 is selected from the condition of the required quality cleaning of the products being processed, taking into account their fragility, is selected experimentally. The number of moves of the pusher 12 is also chosen experimentally. The gap between the cylindrical brushes 1 is selected depending on the thickness of the workpiece with the help of the rack 14 turning on the axis 15. The rack 14 is held in the desired position by the spring 16 and the screw 17. The cylindrical brushes 1, rotating in opposite directions, meet the semiconductor plate moving the grooves 19 of the guides Yu and 11, located under the cylindrical bristles 1, into the groove, and trying to push it out. The pusher 12 pushes the semiconductor wafer between the cylindrical brushes 1. The semiconductor wafer is held in a vertical position in the groove 19 of the guide 11 due to the rotation of the cylindrical brushes 1. Due to the fact that the cylindrical brushes 1 make a reciprocating movement and due to the direction The pile is made along a helix, with the waste-pusher 12, the semiconductor plate is pushed out by the brushes 1 back into the guides 1O and simultaneously rotates around its axis. During the next movement of the pusher 12 down, the semiconductor plate enters again between the cylindrical brushes 1, but already a new part of its surface, as a result of which its face surface is also cleaned. In such a process, the treated surfaces of the semiconductor wafer each time interact with new plots of the cylindrical brushes 1 and their trajectories on the wafer surface intersect each time, which results in an increase in cleaning efficiency. To intensify the process, working fluid is supplied to the treatment area with the help of a special system (not shown). After termination of the treatment, deionized water is supplied to the treatment zone. Then, the cylindrical brushes 1 reverse the reverse movement, they capture the semiconductor plate by moving along the guides 11, transferring it to the next operative. Taking into account the small thickness of the processed semiconductor wafer (0.3-O, 6 mm) and their significant diameter (up to 150 mm), the groove 13 has a much larger width than the groove 19 in the guides 10 and 11, which eliminates jamming of the pop-up plate; , uneven displacement of it, and therefore, its PUZHZH4HU. Such a constructive implementation of the device increases the cleaning efficiency of products, which contributes to an increase in the yield of devices. Formula and 3 sets of equipment for cleaning flat products, mainly semiconductor
чh
..f ..f
СП 0S пластин, содержаще размещенные попар-, но цилиндрические щетки, кажда из которых снабжена индивидуальным приводом, и установленные с возможностью вращени вокруг своих продольнтта осей в противоположные стороны, и механизм перемещени полупроводниковой пластины, сот держащий направл к дие, установленные перпендикул рно к продольным ос м цнпиндричесюЬ: щеток, отличающеес тем, что, с «етью повышени качества очистки, механизм перемещени полупроводниковой пластины снабже той. кателем, установленным с возможностью возвратно-поступательного перемещени по направл ющим, а цшшндрические щетки установлены с возможностью встречного возвратно- юступательного перемещени вдоль юс продольных осей. Источники информации, 1фин тые во внимание при экспертизе 1.Патент США Wi 3946454, л. 15-77, 1976. 2.Патент США № 3643278, кл. 157 , 1972.SP 0S plates, which contain paired, but cylindrical brushes, each of which is provided with an individual drive, and are mounted so that they can rotate around their longitudinal axes in opposite directions, and the mechanism for moving the semiconductor wafer, which keeps the cells perpendicular to the longitudinal axis: brushes, characterized in that, with an improvement in the quality of cleaning, the mechanism for moving the semiconductor wafer is provided. a catcher installed with the possibility of reciprocating movement along the guides, and the conventional brushes are installed with the possibility of counter-reciprocating movement along the axis of the longitudinal axes. Sources of information, which are considered in the examination 1. US patent Wi 3946454, l. 15-77, 1976. 2. US Patent No. 3643278, cl. 157, 1972.