SU894803A1 - Резистивный материал - Google Patents
Резистивный материал Download PDFInfo
- Publication number
- SU894803A1 SU894803A1 SU792869118A SU2869118A SU894803A1 SU 894803 A1 SU894803 A1 SU 894803A1 SU 792869118 A SU792869118 A SU 792869118A SU 2869118 A SU2869118 A SU 2869118A SU 894803 A1 SU894803 A1 SU 894803A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- alloy
- resistive material
- mlt
- range
- resistors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ
I
Изобретение относитс к материалам, примен емым в радаодеталестроении, а именно к резнстивным сплавам, используемым дл изготовлени металлопленочных резисторов.
Известны в радиодеталестроении сплавы, содержащие кремний, железо, хром, никель, алюминий, вольфрам, примен емые как резисшвиые материалы дл тонкопленочных резисторов 1.
Недостаток сплава - недостаточна адгези к подложке.
Наиболее близким по технической сущности вл етс сплав 2, МЛТ № 11, который содержит следующие ингредиенты, вес.%:
Кремний54 -57,0
Хром12,4-15,4
Алюминий12,4-15,4 .
Вольфрам14,7 -18,7
Этот сплав имеет кристаллическую структуру , используетс в виде порошка с размером зерна менее 125 мкм.
Пленки сплава МЛТ № 11 при толщинах в пределах 0,1-1 мкм позвол ют получить RO от 2000 до 20000 Ом при велидане « от
-6jf-i.
-250. до 400. резисторы МЛТ, изготовленные с использованием данного сшива в соответствии с ГОСТ 7113-77 имеют oR:
а)в области положительных температур ± 1000-Ю К-;
б)в области отрицательных температур ± 1200..
Недостатком известного материала вл етс низкий выход годных изделий из-за некачест10 венной адгезии металлизированного сло к керамической подложке, вследствие чего на поверхности керамики на технологических операци х по вл ютс царапины, риски, потертости.
Цель изобретени - повыщение термостаIS билънос-т и улучшение адгезии.
Поставленна цель достигаетс тем, что в сплав МЛТ № 11, в состав которого вход т кремний, хром, алюминий, вольфрам, дополнительно введень ванадий и титан, при следу20 ющих соотношени х ингредиентов, вес.%:
Кремний52,5-55,5
Хром11,5-14,5
Алюминий8,5-11,5
4,5-7,5
2,5-3,5
Остальное
и резистивного материала гокомпонентов следуюшего со54
12,8 9,7
14,9 5,8 2,8
Плавка проводитс в открытом индукторе высокочастотной установки в квардевом тигле. Полученный слиток измельчают в щековой дробилке и механической ступке до состо ни порошка с размером зерна меньше 125 мкм. При проведении опытных работ по получению тонкопленочных резисторов с пленкой, полученной из данного порошка методом термического испарени в вакууме, получены следующие результаты;
1.Выход годных изделий увеличилс на 15-17%.
2.Процент выхода по о в диапазоне ± составл ет 75% в диапазоне безнарезных i номиналов 2 кОм - 45 кОм.
3. Диапазон а по ГОСТ 7113-77 снижаетс с +1000. до ± 400-10- К-.
Положительный эффект от использовани предлагаемого резистивного материала состоит также в том, что его применение позвол ет на существующем оборудовании наладить выпуск прецизионных резисторов, пользующихс значительным спросом.
Claims (2)
1.Справочник по электротехническим ма|терналам . Т. 3, Л., Энерги , 1976, с. 387. ,
2.ГОСТ 7113-77 Сплав МЛТ-11 (протоиш ),
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792869118A SU894803A1 (ru) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Резистивный материал |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792869118A SU894803A1 (ru) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Резистивный материал |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU894803A1 true SU894803A1 (ru) | 1981-12-30 |
Family
ID=20872018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792869118A SU894803A1 (ru) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Резистивный материал |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU894803A1 (ru) |
-
1979
- 1979-12-19 SU SU792869118A patent/SU894803A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW425435B (en) | Sputtering target of dielectrics with high strength and a method for manufacturing the same | |
SU894803A1 (ru) | Резистивный материал | |
JPH0372706B2 (ru) | ||
US4199480A (en) | Electrically conductive boat for vacuum evaporation of metals | |
Christian et al. | Siliconizing of molybdenum metal in indium-silicon melts | |
JP2828071B2 (ja) | 耐食性のすぐれた物理蒸着非晶質膜材 | |
TW200523386A (en) | Metallic resistance material, sputtering target, resistance thin flim, and method for making the resistance thin film | |
JPS60204847A (ja) | 恒電気抵抗合金およびその製造法ならびにその合金を使用したセンサ | |
US3545967A (en) | Metal-semiconductor alloys for thin-film resistors | |
JP4895481B2 (ja) | 抵抗薄膜および抵抗薄膜形成用のスパッタリングターゲット | |
JP3852446B2 (ja) | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 | |
SU894801A1 (ru) | Резистивный материал | |
Hentzell et al. | Hardness of Co-evaporated Ni--Al Films.(Abstract Only) | |
JPS6316464B2 (ru) | ||
JP2005294612A5 (ru) | ||
SU953672A1 (ru) | Резистивный материал | |
JP4042714B2 (ja) | 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 | |
JPH0640522B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
Grzesik et al. | The Sulphidation and Oxidation Behavior of New Sputter-Deposited Alloys at High Temperatures | |
Zhuo et al. | Effect of Spraying Power on Oxidation Resistance of MoSi by Atmospheric 2 | |
JPH04170001A (ja) | 薄膜サーミスタ及びその製造方法 | |
JPH0853729A (ja) | Ni基合金 | |
SU1574663A1 (ru) | Аморфный сплав дл тонкопленочных резисторов | |
JPS6396261A (ja) | 蒸着用クロム基合金 | |
KNUDSEN et al. | Structure and morphology of thin sputtered nickel alloy(Kovar) films as a function of substrate temperature(Crystal structure and morphology of thin sputtered Kovar films as function of deposition temperature) |