SU851543A1 - Electronic controllable source with autoelectron emission - Google Patents

Electronic controllable source with autoelectron emission Download PDF

Info

Publication number
SU851543A1
SU851543A1 SU792832915A SU2832915A SU851543A1 SU 851543 A1 SU851543 A1 SU 851543A1 SU 792832915 A SU792832915 A SU 792832915A SU 2832915 A SU2832915 A SU 2832915A SU 851543 A1 SU851543 A1 SU 851543A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
emission
autoelectron
controllable source
source
substrate
Prior art date
Application number
SU792832915A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Леонидович Спирин
Владимир Николаевич Фролов
Владимир Васильевич Дрожжев
Original Assignee
Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики filed Critical Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority to SU792832915A priority Critical patent/SU851543A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU851543A1 publication Critical patent/SU851543A1/en

Links

Description

Изобретение относитс  к радиоэлек ронике и предназначено дл  использовани  в усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Известна схема эмиттирующего элемента матрицы с автоэлектронным като дом, подложка которого выполнена из Ъильно легированногф кремни . На по верхности подложки выращен слой дву окиси кремни , на которой напылена молибденова  пленка и в определенных местах вытравлены в слое двуоки кремни  окна, в которых расположены конусообразные эмиттеры р-З Недостатком этой схемы  вл ет с  необходимость создани  значительной напр женности электрического пол  между катодом и анодом, а следовательно большого напр жени  на подложке. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  ис точник с автоэлектронной эмиссией, содержгцдий подложку с полостью, вну ри которой расположен иглообразный эмиттер. На провод щую подложку нанесены изол ционный и анодный слой, нависающие над полостью и окружакадие ее за исключением места расположени  эмиттеоа 2. Однако така  конструкци  источника с автоэлектронной эмиссией также требует значительных напр женностей пол  между катодом и анодом. Цель изобретени  - уменьшение напр жени  питани  автоэмиссионного катода. Указанна  цель достигаетс  тем, что в электронном управл емом источнике с автоэлектронной эмиссией, содержащем подложку с полостью, внутри которой расположен иглообразный эмиттер и анодный слой, нависакщий над полостью, подложка вЕЛполнена в виде бруска, представл ющего собой пьезокерамический трансформатор напр жени  поперечно-продольного типа, часть которого, прилегагаца  к боковым стенкам и к анодному слою, непол ризована ., На чертеже приведена конструкци  электронного источиика с автоэлектронной эмиссией. Пре.алагае1 1й электронный источник состоит из подложки 1, представл гацей собой пьезоэлектрический трансформатор поперечно-продольного типа, торец трансформаторной секции которого содержит полость 2 малого размера , внутри которой нанесен иглообразный эмиттер 3, а объем 4, прилегающий к боковым стенкам полости, непол ризован , причем анодный слой 5 нанесен на непол ризованную часть торца.The invention relates to radio electronics and is intended for use in amplifying cascades of electronic devices. A known circuit of an emitting element of a matrix with an autoelectronic cathode, the substrate of which is made of high alloyed silicon. A layer of silicon dioxide is deposited on the surface of the substrate, on which molybdenum film is deposited and etched in certain places in the silicon dioxide layer of the window, in which conical emitters are located. The disadvantage of this scheme is the need to create a significant electric field strength between the cathode and an anode, and therefore a large voltage on the substrate. The closest to the proposed technical entity is a source with field emission, containing a substrate with a cavity, inside of which there is a needle-shaped emitter. An insulating and anodic layer is deposited on the conductive substrate, hanging over the cavity and its surroundings, except for the location of emitteo 2. However, this design of the field emission source also requires significant field strengths between the cathode and the anode. The purpose of the invention is to reduce the supply voltage of a field emission cathode. This goal is achieved by the fact that in an electronically controlled source with field emission, containing a substrate with a cavity, inside which is a needle-shaped emitter and an anode layer hanging over the cavity, the substrate is filled with a bar, which is a piezoceramic transformer of transverse-longitudinal type , a part of which, adjacent to the side walls and to the anode layer, is not polarized. The drawing shows the design of the electron source with field emission. Prealigne1 1st electronic source consists of a substrate 1, which is a piezoelectric transformer of a transverse-longitudinal type, the end of which consists of a small cavity 2, inside which a needle-shaped emitter 3 is applied, and the volume 4 adjacent to the side walls of the cavity is unparsed , with the anode layer 5 deposited on the non-polarized part of the end.

, Работает источник следующим образом .The source works as follows.

На вход подложки 1, представл ющей собой пьезоэлектрический трансформатор поперечно-продольного типа, подаетс  гармоническое напр жение с частотой, равной собственной резонансной частоте пьезотрансформатора . За счет значительного коэффициента передачи пьезотрансформатора () между выходным электродом его трансформаторной секции(эмиттер 3) , наход щимс  цилиндрической полости 2, и анодом 5 создаетс  электрическое поле большой напр женности , позвол ющее получить автоэлектронную эмиссию с иглообразного эмиттера 3. Так как в предлагаемом устройстве имеет место коэффициент трансформации по напр жению 5 100, то напр жение питани  источника может быть в коэффициент трансформации раз меньше, чем в извест ном дл  создани  электрического пол  равной напр женности.A harmonic voltage is applied to the input of the substrate 1, which is a transverse-longitudinal piezoelectric transformer, with a frequency equal to its own resonant frequency of the piezotransformer. Due to the significant transmission coefficient of the piezotransformer () between the output electrode of its transformer section (emitter 3), which is located in the cylindrical cavity 2, and the anode 5, an electric field of high intensity is created, which allows to obtain field emission from a needle-shaped emitter 3. As in the proposed device the transformation ratio on the voltage of 5 100 takes place, then the supply voltage of the source can be in the transformation ratio times less than in the known to create an electric field hydrochloric field strength.

Изол ци  анодного сло  5 обеспечиваетс  непол ризованным объемом 4,Insulation of the anode layer 5 is provided with an unpolarized volume of 4,

прилегающим к боковым стенкам полости 2.adjacent to the side walls of the cavity 2.

Предлагаема  конструкци  электронного источника с автоэлектронной эмиссией обладает улучшенными энергетическими показател ми по сравнению с известным (КПД повышаетс  на 1030% ) .The proposed electronic field emission source design has improved energy performance compared to the known (efficiency increases by 1030%).

Claims (2)

1.Патент США 1 3789471, кл. 29-25 .17 , опублик. 1974.1. US Patent 1,387,471, cl. 29-25 .17, published. 1974. 2.Патент GE1A № 4008412,2. Patent GE1A No. 4008412, кл. 313-309, опублик. 1977 (прототип).cl. 313-309, published. 1977 (prototype).
SU792832915A 1979-10-29 1979-10-29 Electronic controllable source with autoelectron emission SU851543A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792832915A SU851543A1 (en) 1979-10-29 1979-10-29 Electronic controllable source with autoelectron emission

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792832915A SU851543A1 (en) 1979-10-29 1979-10-29 Electronic controllable source with autoelectron emission

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU851543A1 true SU851543A1 (en) 1981-07-30

Family

ID=20856300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792832915A SU851543A1 (en) 1979-10-29 1979-10-29 Electronic controllable source with autoelectron emission

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU851543A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391956A (en) * 1989-09-07 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, method for producing the same and display apparatus and electron beam drawing apparatus utilizing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391956A (en) * 1989-09-07 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, method for producing the same and display apparatus and electron beam drawing apparatus utilizing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970017099A (en) Emitting display element
KR940010220A (en) Dry etching apparatus in the form of two parallel plate electrodes
US2108900A (en) Ultrashort wave oscillation generator circuit
SU851543A1 (en) Electronic controllable source with autoelectron emission
KR100837096B1 (en) Uniform emission current for field emission device
US3217189A (en) Energy converter
US5012482A (en) Gas laser and pumping method therefor using a field emitter array
US20070296321A1 (en) Carbon nanotube field emission device and method for manufacturing the same
JPH02275986A (en) Large scale display driven by radio frequency power
US4506261A (en) Integrated gas discharge display panel
KR940016606A (en) Vacuum transistor having a photogate and its manufacturing method
JPS553169A (en) Character display unit
US3521073A (en) Light emitting semiconductor diode using the field emission effect
US6147448A (en) Piezolelectric porcelain step-up discharge tube
JPS6413183A (en) Emission display element
KR100254825B1 (en) Tripod type fed
US2535137A (en) Microwave dynatron oscillator
RU97122331A (en) MICROWAVE ENERGY GENERATOR
JPH09223454A (en) Structure of field-effect emission apparatus and manufacture thereof
KR19990016632A (en) Manufacturing method of triode field emission display device
MY112369A (en) Microwave oven equipped with a structurally simple microwave generating apparatus.
US6304033B1 (en) Electron beam tube having a DC power lead with a damping structure
US2543637A (en) Interelectrode coupling in high-frequency electric discharge devices
Minami et al. Sound emitting thin film electroluminescent devices using piezoelectric ceramics as insulating layer
JPH04206102A (en) Surface conduction type emission element