SU847327A1 - Устройство дл умножени электри-чЕСКиХ СигНАлОВ - Google Patents
Устройство дл умножени электри-чЕСКиХ СигНАлОВ Download PDFInfo
- Publication number
- SU847327A1 SU847327A1 SU792830859A SU2830859A SU847327A1 SU 847327 A1 SU847327 A1 SU 847327A1 SU 792830859 A SU792830859 A SU 792830859A SU 2830859 A SU2830859 A SU 2830859A SU 847327 A1 SU847327 A1 SU 847327A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- semiconductor
- temperature
- signal
- converter
- temperature gradient
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
(,54) УСТРОЙСТПО ДЛЯ УМНОЖЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ
Изобретение относитс к аналоговой вычислительной технике и может быть применено дл построени аналоговых умножителей.
Известны устройства дл умножени на основе использовани гальваномагнч тного эффекта, в которых величина индукции магнитной системы, ортогональна поверхности полупроводниковой пластины, пропорциональна одному из перемножаемых электрических сигналов, а ток в продольном направлении полупроводниковой пластины пропорционален второму сомножителю . Выходной сигнал умножител снимаетс с электродов полупроводниковой пластины tl .
Недостатком таких устройств вл етс наличие гальванической св зи выходной цепи с цепью одного из сомножителей, котора возникает через материал полупроводниковой пластины. Это приводит к погрешности умножени из-за проникновени части сигнала одного из сомножителей в цепь выходного сигнала.
Наиболее близким техническим решением к предложенному вл етс устройство дл перемножени напр жений , содержащее полупроводниковый
преобразователь, включенный в цепь одного из сомножителей, электромагнит , включенный в цепь второго сомножител и установленный так, что его магнитное поле пересекает полупроводниковый преобразователь.
Недостатком этого устройства вл етс низка точность, что вызвано наличием гальванической св зи между цепью одного из сомножителей и цепью выходного сигнала, а также зависимостью выходного сигнала от температуры окружающей среды.
Цель изобретени - повышение точности устройства дл умножени электрических сигналов.
Поставленна цель достигаетс тем, что в устройство дл умножени электрических сигналов, содержащее электромагнит , обмотка которого подключена к источнику одного сомножител , в магнитном поле электромагнита размещены полупроводниковый преобразователь электрического сигнала в градиент температуры, электрический вход преобразовател электрического сигнала в градиент температуры вл етс входом другого сомножител , введены дифференциальный датчик температуры и теплоотвод, причем одна
из поверхностей полупроводникового преобразовател электрического сигнала в градиент температуры установлена в тепловом контакте с теплоотводом , дифференциальный датчик температуры установлен в тепловом контакте с поверхност ми полупроводникового преобразовател , а выходом устройства вл етс выход дифференциального датчика температуры.
На чертеже приведена функциональна схема устройства.
Устройство содержит полупроводниковый преобразователь 1 на клеммы 2 и 3 которого подаетс сигнал одного из сомножителей ( виде электрического тока (нагр жени ) , электромагнит 4, на клеммы 5 и б которого подаетс сигнал второго сомножител )(„ в виде электрического тока (напр жени ), Устройство дополнительно снабжено дифференциальным датчиком 7 температуры, установленным в тепловом контакте с поверхност ми 8 и 9 полупроводни1сового преобразовател 1 электрического сигнала в градиент температуры, причем дифференциальный датчик 7 температуры электрически изолирован от полупроводникового преобразовател 1 электрического сигнала в градиент температуры. Электромагнит 4 установлен так, что его магнитное поле Н пересекает полупроводниковый преобразователь 1 электрического сигнала в градиент температуры в направлении , перпендикул рном направлению пропускании тока I сомножител Хц . Полупроводниковый преобразователь 1 электрического сигнала в градиент температуры поверхностью 9 установлен в тепловом контакте с теплоотводом 10.
Устройство дл умножени электри&еских сигналов работает следующим образом.
При протекании тока I сомножител х через полуполводниковый преобразователь 1 электрического сигнала в градиент температуры, выполненный , например, из материала, представл ющетО собой кристаллическую систему висмут-сурьма, и. помещенный в магнитное поле Н второго сомножител Х-, в полупроводниковом преобразователе 1 электрического сигнала в градиенттемпературы вследствие гальваномагнитного эффекта Эттингсгаузена возникает градиент температуры , направление которого перпендикул рно направлению тока I и магнитного пол Н. . .
Кс5личество тепла Ц, выдел емого (поглощаемого) полупроводниковым преобразователем электрического сигнала в градиент температуры Q kBITo /b,
где k - коэффициент пропорциональности;
В - индукци магнитного пол , создаваемого электромагнитом -4;
I - ток через полупроводниковый преобразователь 1; Тд - температура окружающей
среды;
1 и Ь - геометрические размеры полупроводникового преобразовател 1.
Так как температура поверхности 9 полупроводникового преобразовател 1 электрического сигнала в градиент температуры за счет теплоотг вода 10 поддерживаетс равной температуре окружающей среды Тд, то между поверхност ми 8 и 9 возникает разность температур, пропорциональна количеству выделенного (поглощенного) тепла Д. Эта разность температур вызывает по вление на,выходе дифференциального датчика 7 температуры сигнала , равного
и e(,,, ,X.j где К,, и К - коэффициенты пропорциональности . Таким образом, выходной сигнал устройства пропорционален произведению входных сигналов,
В предлагаемом устройстве цепь выходного сигнала электрически изолирована от входных цепей, чем исключаетс возможность проникновени входных сигналов в выходную цепь или наоборот.
Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению выходного сигнала у известного устройства, в то врем как изменение температуры одинаково. вли ет на температуру
поверхностей 8 и 9 предлагаемого.
Поэтому выходной сигнал дифференциального датчика температуры не зависит от изменени температуры окружающей среды, что также повышает точность
выполнени операции умножени ,
Claims (1)
1. Авторское свидетельство СССР № 304594, кл. G,06Q 7/16, 1971.
2„ Авторское свидетельство СССР № 421997, кл. G 06G 7/16, 1974 (прототип) .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792830859A SU847327A1 (ru) | 1979-10-22 | 1979-10-22 | Устройство дл умножени электри-чЕСКиХ СигНАлОВ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792830859A SU847327A1 (ru) | 1979-10-22 | 1979-10-22 | Устройство дл умножени электри-чЕСКиХ СигНАлОВ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU847327A1 true SU847327A1 (ru) | 1981-07-15 |
Family
ID=20855436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792830859A SU847327A1 (ru) | 1979-10-22 | 1979-10-22 | Устройство дл умножени электри-чЕСКиХ СигНАлОВ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU847327A1 (ru) |
-
1979
- 1979-10-22 SU SU792830859A patent/SU847327A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3485381D1 (de) | Durchflussmessgeraet. | |
US4890489A (en) | Direction-sensitive flow-rate indicator | |
DE69601070T2 (de) | Elektrizitätsmessapparat und methode | |
ES529165A0 (es) | Perfeccionamientos en los aparatos para detectar y medir corrientes continuas o alternas en los circuitos de fuerza | |
ATE121845T1 (de) | Kompensierter wärmeübergangsmassendurchflussmesser. | |
SU847327A1 (ru) | Устройство дл умножени электри-чЕСКиХ СигНАлОВ | |
US2855549A (en) | Hall voltage generators | |
KR910018800A (ko) | 이온농도 측정장치 | |
JPH02170061A (ja) | 電力検知装置 | |
US3355935A (en) | Semiconductor systems for measuring streeses | |
GB2016208A (en) | Integrated circuit including a resistive element | |
SU809408A1 (ru) | Низкоомный шунт дл стабилизацииэлЕКТРОННыХ CXEM | |
JPS5587021A (en) | Gas pressure sensor | |
SU116261A1 (ru) | Устройство дл исследовани магнитного пол | |
Hachami et al. | Design and realization a new thermoelectric sensor, application | |
SU1636815A1 (ru) | Устройство дл измерени ЭДС Холла | |
SU572811A1 (ru) | Устройство дл моделировани лучистого теплообмена | |
SU949561A1 (ru) | Датчик градиента магнитного пол | |
SU822059A1 (ru) | Устройство дл компенсации темпе-РАТуРНОй зАВиСиМОСТи э.д.C. НАСыщЕН-НОгО НОРМАльНОгО элЕМЕНТА | |
RU2030717C1 (ru) | Устройство для измерения разности температур | |
SU907515A1 (ru) | Устройство дл термостатировани | |
JPS61164278A (ja) | 半導体磁気変換素子の温度補償 | |
JPS5627625A (en) | Measuring circuit of the temperature | |
SU763823A1 (ru) | Устройство дл измерени индукции магнитного пол и температуры | |
SU879521A1 (ru) | Датчик Холла |