SU845074A1

SU845074A1 - Способ дефектометрии объектов в электри-чЕСКОМ ВыСОКОчАСТОТНОМ пОлЕ

Info

Publication number: SU845074A1
Application number: SU792819616A
Authority: SU
Inventors: Анатолий Григорьевич Довгялло; Светлана Васильевна Дежкунова; Валерий Владимирович Кожаринов; Владимир Яковлевич Любый; Евгений Николаевич Перепелкин; Борис Михайлович Щукин; Николай Павлович Шрамков; Зинаида Николаевна Бурая
Original assignee: Отдел Физики Неразрушающего Контроля Анбелорусской Ccp; Минский Авиаремонтный Завод Гражданскойавиации
Priority date: 1979-08-01
Filing date: 1979-08-01
Publication date: 1981-07-07

Description

(54) СПОСОБ ДЕФЕКТОМЕТРИИ ОБЪЕКТОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ВБ1СОКОЧАСТОТНОМ ПОЛЕ

I

Изобретение относитс к способам неразрушающего контрол и может быть использовано дл измерени параметров поверхностных дефектов.

Известен способ дефектоскопии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключающийс в том, что объект контрол включают в цепь высокочастотного разр да и регистрируют топографию электрического пол на фотографической пластине, и по полученному изображению суд т о параметрах дефектов 1.

Указанный способ не обеспечивает необходимой точности контрол , т. е. не позвол ет судить о глубине вы вл емых дефектов .

Наиболее близок к изобретени1о по технической сущности способ дефектометрии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключающийс в том, что объект контрол включают в цепь высокочастотного разр да и с помощью оптико-электронного индикатора регистрируют топографию электрического пол 2.

Однако и этот способ не обеспечивает необходимой точности контрол , так как не

позвол ет достоверно судить о глубине вы вленных дефектов.

Цель изобретени - измерение глубины дефектов.

Поставленна цель достигаетс тем, что на объект контрол воздействуют посто нным магнитным полем, направленным по нормали к исследуемой поверхности, регулируют напр женность Н магнитного пол до получени четкого изображени переднего плана дефекта, измер ют установленную величину напр женности Н Н, из10 мен ют Н до получени четкого изображени заднего плана дефекта, измер ют величину Я Яг по разности двух измеренных значений Н г-Н определ ют глубину дефекта.

Сущность предлагаемого способа по с15 н етс чертежом, где представлена схема контрол .

Схема контрол включает электрод 1, выполненный в виде разр дной обкладки и подключаемый к генератору высокой часто20 ты, оптико-электронный индикатор 2, последовательно соединенные соленоид 3, ось которого перпендикул рна поверхности экрана оптико-электронного индикатора, источник 4 посто нного тока, регулировочный резистор 5 и измеритель 6 тока.

Предлагаемый способ реализуетс следующим образом. Объект 7 контрол включают в цепь высокочастотного разр да, размеща его на электроде 1, и наблюдают полученное изображение с помощью оптикоэлектронного индикатора 2. Ток через соленоид 3, создаваемый источником 4 посто нного тока, регулируют с помощью резистора 5 до получени четкого изображени переднего плана дефекта. С помощью измерител 6 тока измер ют величину тока в обмотке соленоида, пропорциональную напр женности Н магнитного пол . Резистором 5 измен ют величину тока-через рДмотку соленоида 3 до получени четкого изображени заднего плана дефекта, . ют величину установленного тока, пропорциональную Яг, определ ют разность измеренных значений Н, и по ней о глубине дефекта .

Предлагаемый способ позвол ет измерить глубину поверхностных дефектов, что существенно повышает информативность контрол .

Claims

1.Авторское свидетельство СССР № 158205, кл. G 01 N.27/62, 1962.

2.Авторское свидетельство СССР

№ 118135, кл. G 01 N 27/62, 1957 (протс-ип).

/////Л