SU843028A1 - Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы - Google Patents
Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы Download PDFInfo
- Publication number
- SU843028A1 SU843028A1 SU792780938A SU2780938A SU843028A1 SU 843028 A1 SU843028 A1 SU 843028A1 SU 792780938 A SU792780938 A SU 792780938A SU 2780938 A SU2780938 A SU 2780938A SU 843028 A1 SU843028 A1 SU 843028A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- deposition
- layers
- gaseous phase
- quartz
- reactor
- Prior art date
Links
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
1
Изобретение относитс к изготовлению установок дл осаждени слоев из парогазовой фазы с лучистым нагревом и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем дл проведени процессов эпитаксиального наращивани кремни ,, нитрида кремни низкотемпературного осаждени легированных слоев SiO,j и т.д.
Известна установка осаждени слоер из парогазовой фазы с лучистым нагревом 1.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс устройство дл осаждени слоев из газовой фазы, содержащее реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкодержателем , водоохлаждаемые отражатели с излучател ми, расположенные с его внешней стороны, и систему подачи и отвода газовой смеси 2.
Недостатками известных устройств вл ютс неравномерность нагрева подложек и низка надежность.
Цель изобретени - повышение равномерности нагрева подложек и повышение надежности.
Указанна цель достигаетс тем, что в устройстве дл осаждени елоев из газовой фазы, содержащем реактор , выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкЬдержателем , водоохлаждаемые отражатели с излучател ми, расположенные с его внешней стороны, и систему
0 подачи и отвода газовой смеси, наружна кварцева оболочка реактора выполнена в виде набора цилиндрических стержней, плотно прилегающих друг к другу по образующим.
5
На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.
Устройство дл осаждени слоев из газовой фазы включает -в себ че0 тыре водоохлаждаемых отражател 1, вн-утри которых установлены .в ша хматном пор дке по высоте излучатели 2 типа галогенных,или газоразр дных ламп. С отражател ми 1 состыкованы
5 фланцы 3 с коллекторами подачи 4 и отвода 5 воздуха, охлаждающего уплотненный в них кварцевый реактор 6. В фланцах 3 закреплена кварцева оболочка 7, вл юща с внешней стенкой реактора 6. Кварцева оболочка 7
выполнена в виде набора цилиндривеских стержней 8, плотно прилегающих друг к другу по обраэукш.им. Кварцевый реактор 6 уплотнен крышкой 9 и имеет устройства подачи 10 и отвода 11 газовой смеси. В крышке 9 установлен вращаемый подложкодержатель 12 в виде тонкосте.нной усеченной пирамиды, на гран х которой размещены полупроводниковые подложки 13.
Отражатели 1 с установленными на них элементами закреплены в герметичном каркасе 14, в который нагнетаетс охлаждающий колбу излучателей 2 воздух.
Устройство работает следующим образом .
Оболочка 7 обеспечивает светорассеивание лучистых потоков, так как каждый цилиндрический стержень 8 вл етс линзой с минимальным фокусным рассто нием. В результате наличи большого числа- линз обеспечиваетс перераспределение и выравнивание лучистых потоков по поверхности пирамиды, что уменьшает вли ние влени полосатости нагрева Воздушное охлаждение реактора б и излучателей 2 осуществл етс двум параллельными потоками воздуха, один из которых поступает из коллектора 4, другой - из каркаса 14 через отверсти 15 дл установки излучателей 2. Потоки воздуха объедин ютс в коллекторе 5, причем воздух от излучателей 2 поступает через неплотности между стержн ми 8 за счет избыточного статического давлени в каркасе 14. При взрыве реактора б куски кварца удар ютс в цилиндрические стержни 8 и их кинематическа энерги гаситс , в то врем
как взрывна волна может беспреп тственно пройти через неплотности между ними и погаситьс в большом объеме. f
Таким образом, кварцева оболочка 7 выполн ет несколько функций: рассеивает лучистые потоки, падающие на подложкодержатель, выравнивает температурные пол , организует воздушные потоки в щелевом зазоре у поверхности реактора б, гасит взрывную волну и защищает излучатели и отражатели от механических повреждений . При этом конструкци устройства упрощаетс .
Claims (2)
1. Обзоры по электронной технике.
Полупроводниковые приборы
Сер.
вып. П, Ч.1, ПМ., 1975.
2. Авторское свидетельство СССР 180271, кл. 21 h S/02, 1964 (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792780938A SU843028A1 (ru) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792780938A SU843028A1 (ru) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU843028A1 true SU843028A1 (ru) | 1981-06-30 |
Family
ID=20834122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792780938A SU843028A1 (ru) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU843028A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4524719A (en) * | 1983-09-06 | 1985-06-25 | Anicon, Inc. | Substrate loading means for a chemical vapor deposition apparatus |
US4539933A (en) * | 1983-08-31 | 1985-09-10 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
-
1979
- 1979-06-18 SU SU792780938A patent/SU843028A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4539933A (en) * | 1983-08-31 | 1985-09-10 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
US4524719A (en) * | 1983-09-06 | 1985-06-25 | Anicon, Inc. | Substrate loading means for a chemical vapor deposition apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3623712A (en) | Epitaxial radiation heated reactor and process | |
KR0181942B1 (ko) | 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 | |
EP0198842B1 (en) | Reactor apparatus for semiconductor wafer processing | |
GB2181458A (en) | Apparatus and method for an axially symmetric chemical vapor deposition reactor | |
KR910007109B1 (ko) | 화학증기증착 반응기용 반사장치 | |
EP0325663A1 (en) | Film forming apparatus | |
KR102033200B1 (ko) | 급속 열 처리를 위한 장치 및 방법 | |
RU2001111332A (ru) | Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере | |
JP2001522138A5 (ru) | ||
BR8305222A (pt) | Processo para formacao de ligas de semicondutor amorfo e dispositivo que usam energia de microonda | |
KR880004128A (ko) | Cvd장치 | |
JPS59928A (ja) | 光加熱装置 | |
SU843028A1 (ru) | Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы | |
JP2018518592A (ja) | 高成長率のepiチャンバのための遮熱リング | |
JPS6126774A (ja) | 非晶質シリコン膜形成装置 | |
US4902935A (en) | Method and apparatus for evening out the temperature distribution of electrodeless lamp bulbs | |
CN116783460A (zh) | 利用激光发光器件的基板热处理装置 | |
KR101208995B1 (ko) | 증착용기를 구비하는 증착장치 | |
US4500565A (en) | Deposition process | |
JP2009200330A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR960032594A (ko) | 표준 고온 상태의 벽을 갖춘 반응챔버 | |
JP2519765B2 (ja) | 赤外線イメ―ジ加熱による高温観察炉 | |
US20070096655A1 (en) | Display device | |
EP0328417B1 (en) | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process | |
JPH11150077A (ja) | 半導体ウエハの熱拡散装置 |