SU843028A1 - Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы - Google Patents

Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы Download PDF

Info

Publication number
SU843028A1
SU843028A1 SU792780938A SU2780938A SU843028A1 SU 843028 A1 SU843028 A1 SU 843028A1 SU 792780938 A SU792780938 A SU 792780938A SU 2780938 A SU2780938 A SU 2780938A SU 843028 A1 SU843028 A1 SU 843028A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
deposition
layers
gaseous phase
quartz
reactor
Prior art date
Application number
SU792780938A
Other languages
English (en)
Inventor
Валентин Николаевич Баранов
Вадим Иванович Иванов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8495
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8495 filed Critical Предприятие П/Я В-8495
Priority to SU792780938A priority Critical patent/SU843028A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU843028A1 publication Critical patent/SU843028A1/ru

Links

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
1
Изобретение относитс  к изготовлению установок дл  осаждени  слоев из парогазовой фазы с лучистым нагревом и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем дл  проведени  процессов эпитаксиального наращивани  кремни ,, нитрида кремни  низкотемпературного осаждени  легированных слоев SiO,j и т.д.
Известна установка осаждени  слоер из парогазовой фазы с лучистым нагревом 1.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  устройство дл  осаждени  слоев из газовой фазы, содержащее реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкодержателем , водоохлаждаемые отражатели с излучател ми, расположенные с его внешней стороны, и систему подачи и отвода газовой смеси 2.
Недостатками известных устройств вл ютс  неравномерность нагрева подложек и низка  надежность.
Цель изобретени  - повышение равномерности нагрева подложек и повышение надежности.
Указанна  цель достигаетс  тем, что в устройстве дл  осаждени  елоев из газовой фазы, содержащем реактор , выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкЬдержателем , водоохлаждаемые отражатели с излучател ми, расположенные с его внешней стороны, и систему
0 подачи и отвода газовой смеси, наружна  кварцева  оболочка реактора выполнена в виде набора цилиндрических стержней, плотно прилегающих друг к другу по образующим.
5
На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.
Устройство дл  осаждени  слоев из газовой фазы включает -в себ  че0 тыре водоохлаждаемых отражател  1, вн-утри которых установлены .в ша хматном пор дке по высоте излучатели 2 типа галогенных,или газоразр дных ламп. С отражател ми 1 состыкованы
5 фланцы 3 с коллекторами подачи 4 и отвода 5 воздуха, охлаждающего уплотненный в них кварцевый реактор 6. В фланцах 3 закреплена кварцева  оболочка 7,  вл юща с  внешней стенкой реактора 6. Кварцева  оболочка 7
выполнена в виде набора цилиндривеских стержней 8, плотно прилегающих друг к другу по обраэукш.им. Кварцевый реактор 6 уплотнен крышкой 9 и имеет устройства подачи 10 и отвода 11 газовой смеси. В крышке 9 установлен вращаемый подложкодержатель 12 в виде тонкосте.нной усеченной пирамиды, на гран х которой размещены полупроводниковые подложки 13.
Отражатели 1 с установленными на них элементами закреплены в герметичном каркасе 14, в который нагнетаетс  охлаждающий колбу излучателей 2 воздух.
Устройство работает следующим образом .
Оболочка 7 обеспечивает светорассеивание лучистых потоков, так как каждый цилиндрический стержень 8  вл етс  линзой с минимальным фокусным рассто нием. В результате наличи  большого числа- линз обеспечиваетс  перераспределение и выравнивание лучистых потоков по поверхности пирамиды, что уменьшает вли ние  влени  полосатости нагрева Воздушное охлаждение реактора б и излучателей 2 осуществл етс  двум  параллельными потоками воздуха, один из которых поступает из коллектора 4, другой - из каркаса 14 через отверсти  15 дл  установки излучателей 2. Потоки воздуха объедин ютс  в коллекторе 5, причем воздух от излучателей 2 поступает через неплотности между стержн ми 8 за счет избыточного статического давлени  в каркасе 14. При взрыве реактора б куски кварца удар ютс  в цилиндрические стержни 8 и их кинематическа  энерги  гаситс , в то врем 
как взрывна  волна может беспреп тственно пройти через неплотности между ними и погаситьс  в большом объеме. f
Таким образом, кварцева  оболочка 7 выполн ет несколько функций: рассеивает лучистые потоки, падающие на подложкодержатель, выравнивает температурные пол , организует воздушные потоки в щелевом зазоре у поверхности реактора б, гасит взрывную волну и защищает излучатели и отражатели от механических повреждений . При этом конструкци  устройства упрощаетс .

Claims (2)

1. Обзоры по электронной технике.
Полупроводниковые приборы
Сер.
вып. П, Ч.1, ПМ., 1975.
2. Авторское свидетельство СССР 180271, кл. 21 h S/02, 1964 (прототип).
SU792780938A 1979-06-18 1979-06-18 Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы SU843028A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792780938A SU843028A1 (ru) 1979-06-18 1979-06-18 Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792780938A SU843028A1 (ru) 1979-06-18 1979-06-18 Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU843028A1 true SU843028A1 (ru) 1981-06-30

Family

ID=20834122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792780938A SU843028A1 (ru) 1979-06-18 1979-06-18 Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU843028A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4524719A (en) * 1983-09-06 1985-06-25 Anicon, Inc. Substrate loading means for a chemical vapor deposition apparatus
US4539933A (en) * 1983-08-31 1985-09-10 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539933A (en) * 1983-08-31 1985-09-10 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US4524719A (en) * 1983-09-06 1985-06-25 Anicon, Inc. Substrate loading means for a chemical vapor deposition apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3623712A (en) Epitaxial radiation heated reactor and process
KR0181942B1 (ko) 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템
EP0198842B1 (en) Reactor apparatus for semiconductor wafer processing
GB2181458A (en) Apparatus and method for an axially symmetric chemical vapor deposition reactor
KR910007109B1 (ko) 화학증기증착 반응기용 반사장치
EP0325663A1 (en) Film forming apparatus
KR102033200B1 (ko) 급속 열 처리를 위한 장치 및 방법
RU2001111332A (ru) Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере
JP2001522138A5 (ru)
BR8305222A (pt) Processo para formacao de ligas de semicondutor amorfo e dispositivo que usam energia de microonda
KR880004128A (ko) Cvd장치
JPS59928A (ja) 光加熱装置
SU843028A1 (ru) Устройство дл осаждени слоев изгАзОВОй фАзы
JP2018518592A (ja) 高成長率のepiチャンバのための遮熱リング
JPS6126774A (ja) 非晶質シリコン膜形成装置
US4902935A (en) Method and apparatus for evening out the temperature distribution of electrodeless lamp bulbs
CN116783460A (zh) 利用激光发光器件的基板热处理装置
KR101208995B1 (ko) 증착용기를 구비하는 증착장치
US4500565A (en) Deposition process
JP2009200330A (ja) 半導体製造装置
KR960032594A (ko) 표준 고온 상태의 벽을 갖춘 반응챔버
JP2519765B2 (ja) 赤外線イメ―ジ加熱による高温観察炉
US20070096655A1 (en) Display device
EP0328417B1 (en) Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process
JPH11150077A (ja) 半導体ウエハの熱拡散装置