SU842652A1

SU842652A1 - Способ измерени магнитных полей

Info

Publication number: SU842652A1
Application number: SU792776963A
Authority: SU
Inventors: Сергей Петрович Залысин; Андрей Яковлевич Червоненкис; Анатолий Михайлович Балбашов; Владимир Иванович Рыбак
Original assignee: Zalysin Sergej P; Chervonenkis Andrej Ya; Balbashov Anatolij M; Rybak Vladimir
Priority date: 1979-06-07
Filing date: 1979-06-07
Publication date: 1981-06-30

Description

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

1

Изобретение относитс к приборостроению , в частности к способам измерени магнитных полей и токов, и может быть использовано дл создани приборов контрол , измерени и топо--графировани магнитных полей и токов.

Известен способ измерени магнитных полей, основанный на эффекте Фараде Ц .

Недостатком этого способа лвл етс сложность осуществлени .

Известен также способ измерени магнитных полей с помощью магнитометрического преобразовател , в котором в выбранную точку помещают монокристаллическую магнитоодноосную пластину с полосовой доменной структурой, которую освещают источником поп ризованного света и по изменению ширины доменной полосы или смещению ее центра относительно начала отсчета суд т о величине измер емого магнитного пол 2 .

Недостатком известного способа вл етс узкий динамически) диапазон измер емах магнитных полей и невысокое быстродействие.

Цель изобретени - увеличение динамического диапазона и повышение (стродействи .

Дл достижени указанной цели в способе измерени магнитных попей,основанном на помещении монокристаллической магнлтоодноосной пластины с Колосовой доменной структурой в измер емое магнитное поле, освещении ее источником пол ризованного света,г при этом о величине измер емого пол суд т по смещению доменов,, на ука0 занную пластину воздействуют дополнительно созданным посто нным магнитным полем с неоднородным градиентом в плоскости пластины.

На чертеже приведена схема устрой5 ства, реализующего предлагаемый способ .

Устройство содержит источник 1 света , пол ризатор 2, дефлектор (расщепитель светового луча) 3, посто нные

0 магниты 4 и 5, йрозрачную.магнитоодноосную пластину 6, систему анализаторов 7-9, фотоприемники 10 -12. На чертеже показано также измерение магнитного пол проводника 13, по ко5 торому протекает электрический ток.

Способ измерени магнитных полей осуществл етс следу рщим образом.

Claims

От источника 1 свет проходит через пол ризатор 2 и попадает на дефлектор 3, с выхода которого свет может нап0 раал тьс на необходимые участки маг нитоодноосной пластины б. В магнитоодноосаой пластине 6 под действием градиентного пол , создаваемого парой посто нных магнитов 4 и 5, распо ложенных в плоскости пластины 6 под углом друг к другу, формируетс доме tiAH структура в зонах 14 - 16. В при веденном частном случае рассматриваетс измерение магнитного поли, создаваемого пр мым проводником 13 с то ком (в общем случае может быть измерено посто нное, импульсное или пере менное магнитное поле произвольного направлени , создаваемое произволь ным источником). Пр1и одной и той же величине измер емого магнитного пол доменна структура в зонах 14-16 претерпевает в различных участках пластины 6 различные смещени дх где к - коэффициент, завис пий от состава.магнитоодноосной пластины 6; Н - напр женность измер емого магнитногб пол ; Н - напр женность дополнитель«ого rpa HeHivHoro пол . Доменна граница в зоне 14 смещаетс на большее рассто ние, чем в зо нах 15 и 16, так как градиент дополнительного магнитного пол в зоне 14 наибольший.:Смещение доменной границы вызывает, в свою очередь, нзмёнение интенсивности оптического сигнал после прохождени его через анализатор 9, который преобразует фазовую модул цию света в амш1и.тудную. Очевидно , что в данном случае фотопри- . емнйк 12 зарегистрирует самый большой сигнал от луча, прошедшего через зону 14 и самый слабый от луча, прошедшего через зону 16. Дл получени оптимального результата градиенты пол в экстремальных зонах 14 -16 должны отличатьс не менее , чем на пор док ( ю) . graa rniti 1 ыстродействие при этом повышаетс за счет пропускани лучей света через торцы клиновидных доменов в зонах 14 - 16, где подвижность доменных границ достаточно высока. Формула изобретени Способ измерени магнитных полей, основанный на помещении монокристаллической магнитоодноосной пластины с полосовой доменной структурой в измер емое магнитное поле, освещении ее источником пол ризованного света, при этом о величине измер емого пол суд т по смещению доменов, отличающийс тем, что, с целью увеличени динамического диапазона и повышени быстродействи , на указанную пластину воздействуют дополнительно созданным посто нным магнитным полем с неоднородным градиентом в плоскости пластины. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Зубков В.П., Крастина А.Д. Оптико-электронные методы измерени тока g напр жени в установках высокого напр жени , М.,Информзнерго,1972.
2.Авторское свидетельство СССР 459999, кл. G 01 R 33/02, 1974,

Hf /I