SU834781A1

SU834781A1 - Resistive material

Info

Publication number: SU834781A1
Application number: SU792830503A
Authority: SU
Inventors: Зинаида Михайловна Пуронене; Владимир Григорьевич Красов; Николай Дмитриевич Колдашов; Галина Викторовна Турчина; Нина Архиповна Крылова; Татьяна Петровна Поташникова
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5476
Priority date: 1979-10-12
Filing date: 1979-10-12
Publication date: 1981-05-30

Description

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ(54) RESISTANT MATERIAL

Изобретение относитс к электронной технике и может бытэ использовано дл изготовлени толстопленочных резисторов. Известен резистивный материал 1 содержащий мае.%: гидрооксихлорида рутени 2,2-19,25, свинцовоборосиликатного стекла 57,7-74,7 и органической св зки 20,1-26,05. / Недостатком известного материала вл етс узка область сопротивлений толстопленочных резисторов на его основе (10-300 Ом/кВ) и высокие значени температурного коэффи1шента сопротивлени (ТКС) (до 500-10 1 С Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс . резистивный материал f2, содержащий мас.%: двуокись рутени 0,7-20, окись свинца 70-82 и двуокись кремни 9-23. Недостатком известного резистивного материала вл етс больша величина температурного коэффициента сопротивлени (до 549- 10 1°С) и низка (до 3%) стабильность сопроти лени при повышенной влажности. Цель изобретени - снижение вели чины температурного коэффициента co противлени и повышение стабильности резисторов при повышенной влажности. Поставленна цель достигаетс тем, что известный -материгш, содержащий окись свинца, двуокись креьмни и двуокись рутени , дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов , масс.%: Окись свинца .70-80 Двуокись кремни 10-25 Двуокись рутени 3-10 Окись меди0,5-10 Введение в состав резистивного материала окиси меди позвол ет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 ком до 1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздейст;вии CB течение 30 сут) повышенной влажности (98%) не более +1% и ТКС - не более IOO-IO I/С. : Порошкообразные окись свинца, двуокись кремни , двуокись рутени , окись меди тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки. Таблетки помещают в корундовый тигель и провод т синтез в муфельнойThis invention relates to electronic engineering and may be used to make thick film resistors. A resistive material 1 containing May.%: Ruthenium hydroxychloride 2.2-19.25, lead borosilicate glass 57.7-74.7, and an organic binder 20.1-26.05 is known. The disadvantage of the known material is the narrow region of resistance of thick-film resistors based on it (10-300 ohms / kV) and high values of the temperature coefficient of resistance (TKS) (up to 500-10 1 С). f2, containing wt.%: ruthenium dioxide 0.7-20, lead oxide 70-82 and silica 9-23. A disadvantage of the known resistive material is the large temperature coefficient of resistance (up to 549-10 1 ° C) and low ( up to 3%) stability is consistent at increased humidity. The purpose of the invention is to reduce the temperature coefficient of the resistance co and increase the stability of resistors at elevated humidity. The goal is achieved by the fact that the known material containing lead oxide, kremen dioxide and ruthenium dioxide also contains copper oxide at the following quantitative ratio components, wt.%: Lead oxide .70-80 Silicon dioxide 10-25 Ruthenium dioxide 3-10 Copper oxide 0.5-10 Introduction to the composition of the resistive material copper oxide allows to obtain thick lenochnye resistors resistances in the range from 5 to 1 Mohm com having dimensional stability during prolonged vozdeyst; CB Wii for 30 days) high humidity (98%) not more than 1% and TCS - no more IOO-IO I / C. : Powdered lead oxide, silica, ruthenium dioxide, copper oxide are thoroughly mixed. From the resulting mass pressed tablets. The tablets are placed in a corundum crucible and the synthesis is carried out in a muffle

печи при 950-990°С в течение 0,510-ти ч.oven at 950-990 ° C for 0.510 hours

Синтезированный материал измельчают в планетарной мельнице в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с органическим св зующим, нанос т на подложки из керамики и выжигают в конвейерной печи при 8.0О-850с.The synthesized material is ground in a planetary mill for 10 hours. The resulting fine powders of the resistive composition are thoroughly mixed with an organic binder, applied to ceramic substrates and burned in a conveyor oven at 8.0 ~ 850 s.

Готов т три состава предлагаемого резистивнрго материала .с различным содержанием исходных компонентов. Электрофизические характеристики поПредлагаемыйThree compositions of the proposed resistive material are prepared. With different contents of the starting components. Electrophysical characteristics of the proposed

80 80

3 0,5 1000.000 70,23 0.5 1000.000 70.2

4,2 0,6 1760004.2 0.6 176000

10 10 500010 10 5000

7070

Известный 15,0 74,0 11,0Known 15.0 74.0 11.0

263600263600

Claims

1. USSR author's certificate

No. 491161, cl. H 01 C 7/00, 05.11.75.

2, Patent. SIL No. 3951672, cl. 106-53-78 (prototype).