SU834773A1 - Material for thick-film resistors - Google Patents

Material for thick-film resistors Download PDF

Info

Publication number
SU834773A1
SU834773A1 SU792709364A SU2709364A SU834773A1 SU 834773 A1 SU834773 A1 SU 834773A1 SU 792709364 A SU792709364 A SU 792709364A SU 2709364 A SU2709364 A SU 2709364A SU 834773 A1 SU834773 A1 SU 834773A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
thick
film resistors
nickel oxide
oxide
organic binder
Prior art date
Application number
SU792709364A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Леонид Иванович Панов
Виктор Николаевич Федоров
Валентина Георгиевна Гребенкина
Юрий Антонович Корнатовский
Ирина Григорьевна Соколовская
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4645
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4645 filed Critical Предприятие П/Я Г-4645
Priority to SU792709364A priority Critical patent/SU834773A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU834773A1 publication Critical patent/SU834773A1/en

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

Изобретение относитс  к радиоэлектронике и может быть использова но при производстве толстопленочных гибридных интегральных схем.The invention relates to electronics and can be used in the manufacture of thick-film hybrid integrated circuits.

Известен материал дл  толстопленочных термисторов, содержащий провод щую фазу на основе благородных металлов, их окислов и окислов неблагородных металлов, посто нное св зующее и органическое св зующее fl.A known material for thick-film thermistors, containing a conductive phase based on noble metals, their oxides and non-precious metal oxides, a permanent binder and an organic binder fl.

Однако известный материал обладает невысокой стабильностью.However, the known material has a low stability.

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  материал дл  толстопленочных ,резисторов Г2 , содержащий в качестве провод щей фазы окись никел  в смеси с окислами кобальта, марганца , меди, железа и хрома, а также посто нное св зукадее.и органическое св зующее, при следующем соотношении компонентов, вес.%:Closest to the present invention is a material for thick-film, resistors G2, containing as the conductive phase nickel oxide mixed with oxides of cobalt, manganese, copper, iron and chromium, as well as a permanent binder, and an organic binder, with the following ratio components, wt.%:

32,0-64,0 16,0-48,0 Остальное32.0-64.0 16.0-48.0 Else

Недостатком известного материала  вл етс  невысока  стабильность и воспроизводимость параметров изготовленых из него толстопленочных резисторов , а также необходимость нанесени  слоев металлизации. При этом имеет место значительный расход серебро-палладиевых или золото-платиновых проводниковых паст.A disadvantage of the known material is the low stability and reproducibility of the parameters of thick-film resistors made from it, as well as the need to apply metallization layers. In this case, there is a significant consumption of silver-palladium or gold-platinum conductor pastes.

00

Цель .изобретени  - обеспечение стабильности номинального сопротивлени  в диапазоне от 400 до 1000 КОм.The purpose of the invention is to ensure the stability of the nominal resistance in the range from 400 to 1000 kΩ.

Поставленна  цель достигаетс  The goal is achieved

5 тем, что известный материал дл  толстопленочных резисторов, содержащий провод щую фазу на основе окиси никел , свинцовоборосиликатное стек до и органическое св зующее, содер0 жит в качестве провод щей фазы твердый раствор окиси лити  в окиси никел  при следующем соотнесении компонентов , вес.%:5 in that the known material for thick-film resistors containing the conductive phase based on nickel oxide, the lead borosilicate stack before and the organic binder contains, as the conducting phase, a solid solution of lithium oxide in nickel oxide with the following component assignment, wt.%:

4,0-5,7. 4.0-5.7.

Окись лити  59,0-67,5 Окись никел  Свинцовобороси8 ,0-16,0 ликатное стекло Органическое ОстальноеLithium oxide 59.0-67.5 Nickel oxide Leadborate8, 0-16.0 Lacquered Glass Organic Else

св зующее ,binder,

Предлагаемый материал дл  толстопленочных , резисторов готов т тща .тельцым перемешиванием неорганического и органического составл ющих, после чего нанос т на подложку и подвергают термообработке при пиковой температуре вжигани  440с.The proposed material for thick-film resistors is prepared by thoroughly mixing inorganic and organic components, and then applied to the substrate and heat-treated at a peak burn-in temperature of 440 s.

Пример. Дл  получени  материала дл  толстопленочных резисторов готов т три композиции с содержанием вес.%: окись никел  59,0-67,5, окись лити  4,0-5,7, стекло 16,0, 12,0 и 8,0 cooTBeTCTseiiHo и органики - остальное в каждой из трех композиций.Example. To obtain material for thick-film resistors, three compositions are prepared with a weight% content: nickel oxide 59.0-67.5, lithium oxide 4.0-5.7, glass 16.0, 12.0, and 8.0 cooTBeTCTseiiHo and organics - the rest in each of the three compositions.

соответствующих минимальному,максимальному и среднему значени м.corresponding to the minimum, maximum and average values.

Характеристики толстопленочных резисторов, полученных после нанесени  и вжигани  предлагаемого материала , представлены в таблице.The characteristics of the thick-film resistors obtained after deposition and firing of the proposed material are presented in the table.

Приведенные в таблице данные.свидетельствуют о возможности получени  из предлагаемого материала высокостабильных толстопленочных резисторов в диапазоне номинальных сопротивлений от 400 до 10000 кОм с рабочими температурами до 250 С. 1The data in the table indicate the possibility of obtaining from the proposed material highly stable thick-film resistors in the range of nominal resistances from 400 to 10,000 kΩ with operating temperatures up to 250 C. 1

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Материал для толстопленочных резисторов, содержащий проводящую фазу на основе окиси никеля, свинцовоборосиликатное стекло и органическое связующее, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабильности номинального сопротивления в диапазоне от 400 до 1000 кОм, он содержит в качестве проводящей фазы твердый раствор окиси лития в' окиси ни-келя при следующем соотношении кфмпонентов, в-ёс.%:A material for thick film resistors containing a conductive phase based on nickel oxide, lead borosilicate glass and an organic binder, characterized in that, in order to ensure stability of the nominal resistance in the range from 400 to 1000 kOhm, it contains a solid solution of lithium oxide in nickel oxide in the following ratio of components, in wt%: Окись лития Lithium oxide 4,0-5,7 4.0-5.7 Окись никеля Nickel oxide ' 59,0-67,5 '59.0-67.5 Свинцовоборосили- Lead катное стекло rolled glass 8,0-16,0 8.0-16.0 Органическое Organic связующее binder Остальное Rest
SU792709364A 1979-01-05 1979-01-05 Material for thick-film resistors SU834773A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792709364A SU834773A1 (en) 1979-01-05 1979-01-05 Material for thick-film resistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792709364A SU834773A1 (en) 1979-01-05 1979-01-05 Material for thick-film resistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU834773A1 true SU834773A1 (en) 1981-05-30

Family

ID=20803784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792709364A SU834773A1 (en) 1979-01-05 1979-01-05 Material for thick-film resistors

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU834773A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4623921B2 (en) Resistive composition and resistor
JPS645629B2 (en)
US4057777A (en) Termination for electrical resistor and method of making same
SU834773A1 (en) Material for thick-film resistors
KR880002063B1 (en) Air-fireable thick film inks
JPS581522B2 (en) Thermistor composition
US4517545A (en) Thick film temperature sensitive device and method and material for making the same
US5518521A (en) Process of producing a low TCR surge resistor using a nickel chromium alloy
JPS6310883B2 (en)
JPS6281701A (en) Resistance composition
JPS63224301A (en) Resistance paste
JP3246245B2 (en) Resistor
SU996356A1 (en) Glass for making thick-film resistors
JPH02100221A (en) Thermal fuse device and its formation
JPH05335107A (en) Resistance paste
JP2644017B2 (en) Resistance paste
SU1019500A1 (en) Resistive material for thin-film resistor
JPS6317501A (en) Resistance paste
JPH0436561B2 (en)
JPH05101905A (en) Thick film thermister paste composition and thick film thermistor using the composition
SU517653A1 (en) Resistive alloy
JPS62285314A (en) Conducting paste
JPS58201201A (en) Conductive composition and electrode forming method for semiconductor porcelain
JPS581523B2 (en) Thermistor composition
JPH01208801A (en) Glazed resistance material and hybrid integrated circuit device