SU831878A1 - Кассета дл нанесени гальваническихпОКРыТий HA МЕлКиЕ дЕТАли - Google Patents

Description

(54) КАССЕТА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА МЕЛКИЕ ДЕТАЛИ

1

Изобретение относитс  к подвесным устройствам дл  нанесени  покрытий электролитическим способом и может быть применено, например, при изготовлении термоэлектрических холодильников и генераторов.

Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности и достигаемому результату  вл етс  кассета дл  гальванической обработки деталей, содержаща  основание в виде плиты дл  установки обрабатываемых деталей и фиксаторы с зажимными элементами fl

Недостатками кассеты  вл ютс  высокие трудозатраты при эксплуатации и низка  эффективность при покрытии мелких деталей, неравномерность покрытий , наличие неизбежных теневых зон на покрываемых детал х в местах контакта упругого элемента и основани , а также, покрытие деталей гальваническими сло ми со всех сторон. Кроме т.ого, с помощью этой кассеты нельз  нанрсить гальванические слои на блоки мелких пр моугольных деталей так, чтобы нерабочие грани этих деталей оставались бы непокрытыми и обеспечивалось бы равномерное покрытие всей -плоскости каждой детали.

Цель изобретени  - повышение производительности и качества покрыти .

Поставленна  цель достигаетс  тем, что рама выполнена в виде плоских пластин с толщиной, равной толщине обрабатываемой детали, причем одна из пластин выполнена с уступом дл  размещени  элементов фиксации, выполненных в виде плоских упоров с прорез ми дл  винтов креплени  и установленных с возможностью горизонтального перемещени .

На фиг. 1 представлена кассета дл  нанесени  гальванических покрытий на мелкие детали, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг, 3 - вариант креплени  полупроводников в рамке при помощи специального монтажного столика.

0

Кассета состоит из пр моугольной рамки 1, состо щей из четырех металлических пластин, одна из которых 2 закреплена qуступом по всей толщине пластин по отношению к трем другим,

5 и содержит смонтированные на ней с возможностью горизонтального перемещени  упорные планки 3, фиксируемые при помощи винтов 4. Дл  обеспечени  горизонтального перемещени  планки 0 имеют вырезы 5. В рамку вставл ютс 

полупроводники 6. Грани 7 полупроводников могут быть электроизолированы, а грани 8, которыми они поджимаютс  друг к другу в р дах, неэлектроизолированы . Дл  подвески устройства в Гсшьванической ванне рамка имеет крюк 9, св занный электрически и механически с рамкой.

Закрепление полупроводниковых .пластинок в устройстве осуществл ют следующим образом.

Рамку 1 помещают на поверхность монтажного столика 10 и внутри ее р дами размещают полупроводники б, после чего прижимают их друг к другу и каждом р ду винтом 12, закрепленном на кронштейне 11, путём перемещени  упорных планок 3. После поджати  полупроводников б планками 3, пос- ледние креп тс  винтами 4. Закрепив таким образом все р ды в рамке, ее помещают в гальваническую, ванну, где рабочие поверхности полупроводников б покрывают гальваническими сло ми До образовани  сплошного покрыти  всех полупроводников в рамке.

После гальванического покрыти  группы полупроводников (блоки), образующие ветви или части ветвей сильноточных термоэлементов, отдел ют друг от друга и коммутируют с их металлическими шинами, формиру  таким образом термоэлементы.

В случае необходимости перед закреплением полупроводников две противоположные нерабочие грани 7 каждого полупроводника б электроизолируют, например, лаком и располагают в. рамке таким образом, чтобы в каждом горизонтальном р ду полупроводники 6 контактировались бы друг с другом неэлектроизолированными гран ми 8, а р ды оказались, бы электроизолированы .

с Это необходимо дл  того, чтобы предотвратить нанесение гальванических слоев на нерабочие поверхности 7, которые не поджимаютс  друг к другу , а .следовательно между ними возQ можны зазоры.

Применение предлагаемой кассеты позвол ет значительно сократить сроки и трудозатраты на гальванические покрыти  полупроводников.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР № 549517, кл. С 25 D 17/06, 1975.

V

S

f

/5

лГ

т