SU810086A3 - Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА - Google Patents
Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА Download PDFInfo
- Publication number
- SU810086A3 SU810086A3 SU2667252A SU2667252A SU810086A3 SU 810086 A3 SU810086 A3 SU 810086A3 SU 2667252 A SU2667252 A SU 2667252A SU 2667252 A SU2667252 A SU 2667252A SU 810086 A3 SU810086 A3 SU 810086A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tube
- reaction
- quartz
- temperature
- bell
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000010795 gaseous waste Substances 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910004028 SiCU Inorganic materials 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 claims 1
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 claims 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО
Claims (3)
1
МАТЕРИАЛА
2 ством контрол процесса осаждени , расположенным снаружи камеры. Кроме того, средство дл контрол процессом осаждени выполнено в виде регулируемого поворотгного зеркала, соединенного с пирометром дл измерени температуры полупрюводникового материала. Тубус, преимущественно, выполнен из кварца, керамики или специальной инструментальной стали, а контрольное окно вьшолвено из кварца и в виде плоскопараллельного диска герметично вплавлено в тубус. Технологический процесс состоит главным образом в том, что посредством проникновени тубуса внутрь реакционного пространства . прекращено образование силана (кремневодорода ) на смотровом окошке. Силаны, ползчающиес в виде побочного продукта (масла и т д.), вл ютс остатошыми продуктами из примен емых соединений кремни например SiHCIa или SiCU, которые выпадают в осадок жидкими, т.е. не осаждаютс на кремниевом стрежне и не удал ютс в ви де газообразных отходов. Они возникают пред почтительно в местах, температура которых дл реакции слишком холодна, например при близительно при 200° С. В стальных реакторах например, они в значительных количествах пр ход т вниз к стальной стенке и существенным образом затрудн ют наблюдение за кремниеэым стержнем. Летучие вещества так же, как реакционный свежий газ, газообразные отходы реакции и летучие промежуточные продукты , оттенены смотровым окном, так как оно расположено во внутренней части тубуса , целесообразнее, если вплавлено. Температура с помощью устройства может быть изме рена с относительно высокой точностью около +, 5°С и зто при температурах осаждени , которые при использовании кремни лежат между .900° С и 1300°С, предпочтительно между 1020° С и 1200°С, в течение всего про цесса. Способ вл етс особенно эффективным при толстых стержн х от трех дюймов и бол ше, так как здесь это имеет значение. Однако уже дл двухдюймовых стержней работа должна проводитьс при более низких, т.е. критических температурах дл того, чтобы по давить грубокристаллические структуры. На фиг. 1 представлено устройство, общий вид; на фиг. 2 - контрольное окно и окру жающие его части реакционной камеры. Предлагаемое устройство включает реакционную камеру 1, выполненную из кварца в виде колокола. Камера 1 установлена в резервуаре 2 высокого давлени на основани 3, выполненном из серебр ной пласпшы, котора лежит на опорной плите 4. Камера 1 в нижней части имеет фланец 5. Дл улучшени герметизации камеры 1 в основании 3 предусмотрено уплотнительное кольцо 6. Внутри камеры размешены держатели 7 дл креплени носител 8, которые вл ютс одног. временно электродами дл подвода электрического тока. В центре опорной плиты 4 имеютс две коаксиально установленные трубки 9 и 10 дл подвода и отвода газов соответственно . В опорной плите 4 вьшолнено также отверстие , в которое с помощью уплотнени 11 установлен тубус 12 с контрольным окном 13. Под тубусом установлено регулируемое поворотное зеркало 14, которое св зано со средством 15 наблюдени или контрол температуры . При известных услови х фланец 5 также может быть упразднен и в соответствии с этим толщина стенки колокола 1 также у своего нижнего кра должна совпадать с толщиной стенок в остальных част х колокола или даже быть суженной. Колокол 1 в своей верхней части закруглен и образует свод, вследствие чего посредством сжатого газа задана усиленна несуща способность. Сжатый газ находитс в окружающем колокол 1 резервуаре 2 высокого давлешг , который может, например быть стальным. Этот резервуар 2 высокого давлени оснащен местом впуска 16 дл инертного газа, в частности азота. Манометр 17 позвол ет контролировать давление газа в резервуаре 2 высокого давлени , которое известным образом установлено на высокое значение т.е. на несколько атмосфер . В резервуаре имеетс смотровое окно 18. Устройство работает следующим образом. Несущие тела 7 носител 8 вставл ют в их оба держател (в плоскости чертежа расположен держатель 7) и соединйют провод щей перемычкой (не показано). Затем колокол 1 устанавливают, в данном случае при промежуточном монтаже уплотнени 6, на серебр нную пластину 3 и закрывают резервуар 2 высокого давлени . Перед включением потока реакционного газа и подогрева несущих стержней резервуар 2 высокого давлени наполн ют инертным газом с достаточным дл уплотнени избыточным давлением от 0,1 до 2 атм. Вследствие этого колокол 1 крепко прижимаетс к серебр ной пластине 3 и достигаетс герметичное сочленение . Потом в реакционный сосуд впускают водород и включают электрический ток, вызьшающий нагрев носителей 8. Как только они нагреваютс до Температуры осаждени , в реакционный сосуд может быть впущен собственно реакционный газ, например смесь На и ЗШСГз, так как после этого 1;меет место осаждение на гор чую поверхность нагретых носителей 8. Дл контрол за режимом работы резерву ар 2 высокого давлени оснащен устойчивым к воздействию давлени смотровым окном 18 и манометром IT. Средства, требующиес дл контрол за потоком газа-носител , а та же за нагревом несущих каркасов, вл ютс общеупотребительными. Следует отметить, чгго рекомендуетс впускать свежий реакционный газ в реакщюнное пространство под таким высоким давлением, чтобы имелась возможность дл образовани интенсивного потока вплоть до верхней части реакционного пространства . Тубус (фиг. 2) 12 несет контрольное окно 13и с помощью тефлонового уплотнени 11 вакуум плотно установлен в опорную плиту 4. Кварцевый тубус 12 на своем нижнем конце имеет плоскоотщлифованньп фланец 19. Под уплотнением 20 при помощи болтового приспособлени 21 з реплен стальной цилиндр, к которому присоединено грубообразное устройство 22, несущее (показано схематически) регулируемое поворотное зеркало 14. Траектори лучей проходит из глаза наблюдател 15 через поворотное зеркало 14сквозь стальной тубус 23, кварцевый тубус 12, контрольное okHo 16 к подлежащему контролю полупроводниковому стержню. Дл контролировани процесса осаждени и/или измерени температуры на продолжении осн тубуса снаружи корпуса реактора расположено регулируемое поворотное зеркало 14, которое установлено с возможностью наблюдени полупроводникового стержн при выполненных U-образными носител х, и предпочтительно креАШиевые перемычки, соедин ющие друг с другом оба кремниевых стержн . Если осуществл ют измерение температуры то на место глаза наблюдател 15 помещают известцый (на чертеже не показан) чувствительный злемент температуры, предпочтительно пирометр излучени . Определение численного значени температуры и установка номинальных значений остальных параметров осаждени осуществл етс известным способом. 6 Очевидно, что такое устройство в несколько изменеА|ом внде пригодно также дл осаждени других полупроводниковых материалов и дл нанесени полупроводниковых слоев на полупроводниковые щайбы. В этом случае на серебр ной пластине находитс подложка , например сусцептор, который нагревают посредством электромагнитного пол индуктивной катущки, охватьгаающей снаружи колокол, и. который на своей верхней плоской стороне несет положенные на него полупроводниковые щайбы. При известных услови х носители могут быть также телами по. упроводниковых щайб. Форму л а изобретени 1.Устройство дл получени полупроводвикового материала осаждением его из газов (ж фазы на нагретом носителе, включающее реакционную камеру, герметично установленную на (торной плите, размещенные в ней держатели дл креплени носител и средства дл подвода и отвода газов, о тличающеес тем, что, с целью обеспечени контрол процесса осаждени и псжышени его точности, в плите вьшолнено отверстие, в которое установлен тубус с контрольным окном, соединенным со средством контрол процесса осаждени , расположенным снаружи реакцис шой камеры.
2.Устройство по п. 1, о т л и ч а ющ е е с тем, что средство дл контрол процессом осаждени выполнено в виде регулнруемснч ) поворотного зеркала, соединенного с пирометром дл измерени температуры полупроводникового материала.
3.Устройство по п. 1,отличающ е е с тем, что тубус выполнен кварца , керамики или специальной, инструментальной стал, а KOHTpojfbHoe окно вьшолнено из кварца и в виде плоскопараллельного диска герметично вплавлено в тубус. Источники информаци , прин тые во внимание при экспертизе 1. Акцептованна за вка ФРГ № 2324365, кл. В 01 J 17/32, 08.09.77 (прототип).
Фи
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2743950A DE2743950C2 (de) | 1977-09-29 | 1977-09-29 | Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU810086A3 true SU810086A3 (ru) | 1981-02-28 |
Family
ID=6020264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2667252A SU810086A3 (ru) | 1977-09-29 | 1978-09-29 | Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5458350A (ru) |
BR (1) | BR7806432A (ru) |
DE (1) | DE2743950C2 (ru) |
IN (1) | IN149401B (ru) |
IT (1) | IT1099206B (ru) |
PL (1) | PL115365B1 (ru) |
SU (1) | SU810086A3 (ru) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3107421C2 (de) * | 1981-02-27 | 1985-02-14 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Glocke aus Quarzgut für die Abscheidung von Poly-Silizium |
JPH0239525A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体熱処理装置 |
US9656782B2 (en) | 2010-03-18 | 2017-05-23 | Jong Soo Park | Structure for detachable coupling of containers |
US8613358B2 (en) | 2010-03-18 | 2013-12-24 | Jong Soo Park | Structure for detachable coupling of containers |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1221612B (de) * | 1962-09-15 | 1966-07-28 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Konstanthalten der Temperatur eines bei einer pyrolitischen Zersetzung einer Halbleiterverbindung benutzten Traegers |
GB1209580A (en) * | 1969-03-17 | 1970-10-21 | Hamco Mach & Elect Co | Automatic control for crystal growing apparatus |
DE2518853C3 (de) * | 1975-04-28 | 1979-03-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas |
-
1977
- 1977-09-29 DE DE2743950A patent/DE2743950C2/de not_active Expired
-
1978
- 1978-08-31 IN IN958/CAL/78A patent/IN149401B/en unknown
- 1978-09-21 PL PL1978209746A patent/PL115365B1/pl unknown
- 1978-09-28 JP JP11986878A patent/JPS5458350A/ja active Granted
- 1978-09-28 BR BR7806432A patent/BR7806432A/pt unknown
- 1978-09-28 IT IT28167/78A patent/IT1099206B/it active
- 1978-09-29 SU SU2667252A patent/SU810086A3/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1099206B (it) | 1985-09-18 |
JPS5458350A (en) | 1979-05-11 |
PL209746A1 (pl) | 1979-06-04 |
DE2743950C2 (de) | 1987-02-12 |
DE2743950A1 (de) | 1979-04-12 |
IN149401B (ru) | 1981-11-28 |
JPS5639048B2 (ru) | 1981-09-10 |
PL115365B1 (en) | 1981-03-31 |
BR7806432A (pt) | 1979-05-08 |
IT7828167A0 (it) | 1978-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4421592A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
US3751539A (en) | Use of vapor deposition to form a hollow tubular body closed on one end | |
SU810086A3 (ru) | Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА | |
US4410504A (en) | Method of producing high density carbon | |
JPS594374B2 (ja) | 元素状シリコンを析出するための反応容器 | |
US4424193A (en) | Constituent members of a semiconductor element-manufacturing apparatus and a reaction furnace for making said constituent members | |
EP1380674A2 (en) | Apparatus and process for producing crystal article, and thermocouple used therein | |
KR101455061B1 (ko) | 단결정 성장을 위한 고온화학기상증착 장치용 도가니 및 이를 이용한 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치 | |
JPS59112611A (ja) | 気相成長装置 | |
US4255463A (en) | Method of deposition of silicon in fine crystalline form | |
Fontijn et al. | Tubular Fast Flow Reactor for High Temperature Gas Kinetic Studies | |
US3243174A (en) | Dissociation-deposition apparatus for the production of metals | |
US4065533A (en) | Process for the continuous production of silicon rods or tubes by gaseous deposition into a flexible wound band | |
US5240685A (en) | Apparatus for growing a GaAs single crystal by pulling from GaAs melt | |
EP4259863A1 (en) | Method and device for producing a sic solid material | |
JPS5918360B2 (ja) | ガドリニウムガ−ネツトを製造する為の方法 | |
US3950479A (en) | Method of producing hollow semiconductor bodies | |
US3316121A (en) | Epitaxial deposition process | |
US4609424A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
US5747096A (en) | Method for measuring the depositions, densification of etching rate of an electrically conductive body | |
KR20190074149A (ko) | 적어도 가열부와 챔버가 상호 분리가능하게 구성되는 결정 성장 장치 | |
JPS59150417A (ja) | 気相成長方法およびその装置 | |
JPS6343357B2 (ru) | ||
SU817092A1 (ru) | Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу | |
JP3241040B2 (ja) | 加熱処理装置 |