SU776389A1 - Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками - Google Patents

Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками Download PDF

Info

Publication number
SU776389A1
SU776389A1 SU792779474A SU2779474A SU776389A1 SU 776389 A1 SU776389 A1 SU 776389A1 SU 792779474 A SU792779474 A SU 792779474A SU 2779474 A SU2779474 A SU 2779474A SU 776389 A1 SU776389 A1 SU 776389A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
screen
investigation
dielectric
ion beams
sample
Prior art date
Application number
SU792779474A
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Н. Пучкарева
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им. С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им. С.М.Кирова filed Critical Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им. С.М.Кирова
Priority to SU792779474A priority Critical patent/SU776389A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU776389A1 publication Critical patent/SU776389A1/ru

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

щенного над образцом и снабженного отверсти ми дл  входа ионного пучка и выхода излучени , причем внутрен-г н   поверхность экрана выполнена из материала с высоким коэффициентом ионно-электронной эмиссии;
На чертеже показана схема ус|Тройства .
Оно включает источник 1 ионов, экран 2 узла нейт рализации зар да и приемник 3 излучени . Экран 2 полусферической размещен над металлическим держателем 4 с исследуемым образцом 5. Схема измерений включает измерит(эль б тока   йотенциометр 7. Экран 2 перекрывает пространство вблизи мишени, а дл  входа пучка и выхода излучени  снабжен соответствующими отверсти ми. Он изолирован от другихэлементов устройства и заземлен через потенциометр 7 Металлический держатель 4 образца заземлен через измеритель б .
Устройство работает следуивдим обpasoMV .,:
Ускоренный до некЬто роЙ э нёйгйй пучок первичньк ионов из источника 1 через отверстие в экране 2 пбсту пает на образец 5.
При взаимодействии первичного пучка ионов с поверхностью образца последний распыл етс  в виде нейтральных атомов, положительньк и отрицательных ионов. Часть пе1рвичных иопбё, претерпева  ynpyioe взаимодействие с атомами, рассеиваетс . Как вторйчИНё, так и рассе нные иОны несут информацию о составе и CTDVтуре поверхности, поскольку обладают определенной массой, зар дом и энергией. Анализируемые иЬны, попадан в щель приемника 3 излучени / ускор ютс  до необходимой энергии и поступают в камеру масс-анализатора и на коллектор, или поступают В энергоанализатор.
Нейтрализаци  положительного зар да на образце осуществл етс  электронами , эмиттируемыми экраном 2 в результате бомбардировки частью рассе нных и вторичных ионов, не попавших в апертуру приемника излучени . Энерги  падающих на экран частиц превышает пороговую энергию, при которой становитс  существенной ионно-элёктронна  эмисси . В диапазоне энергий падак цих на экран ионов 10010000 эв коэффициент вторичной ионно-электронной эмиссии достигает 515 . ИнтейейвШй йбнно-элёк 15онна  эмиси  дополнительно усиливаетс  за счет бомбардировки экрана распылен776389
ными нейтральными атомами, поэтому количество электронов, покидающих экран и ускор ющихс  в направлении положительно зар женной диэлектрической мишени может превысить необходимое дл  нейтрализации. Дл  установлени  нужного уровн  нейтрализации потенциометром 7 измен ют соотношение потенциалов экрана и образца соответственно интенсивности сигналов анализируемых ионов. Стабилизаци  нейтрализации на определенном уровне достигаетс  благодар  оОратной св зи, функцию которой выполн ет электрическое поле, свйэа1Сйое с зар дом. Ув еличениё Нар да стийулирует более интенсивную эМ1ссик электронов с поверхности экрана, которые ускор ютс  Hei полокитёльно зар женный образец, и наоборот,уменьшение зар да создаеттормоз гщее поле дл  электронов с экрана на образец. Инерционносг ь этих процессов достаточно МаЛй; По показани м нэмерИтел  тока контролируетс  стабильность нейтралйэа1лйи . -. . г.-: -/Описанное устройство обеспечивает высокую стабильность нейтрализации, имеет простую конструкцию и отличаетс  высоКоЯ надежностью в эксплуатации . .f.-;-;- ;---;. .; ;,: ,--., -;{:

Claims (2)

1.Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторичноэмиссирнные Методы исследовани  твердого тела. М., Наука, 1977, с. 327-329.
2.Патент США № 3665185,
кл. 250-495, опублик. 1975 (прототип
.
SU792779474A 1979-06-13 1979-06-13 Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками SU776389A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792779474A SU776389A1 (ru) 1979-06-13 1979-06-13 Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792779474A SU776389A1 (ru) 1979-06-13 1979-06-13 Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU776389A1 true SU776389A1 (ru) 1981-09-07

Family

ID=20833461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792779474A SU776389A1 (ru) 1979-06-13 1979-06-13 Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU776389A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4011449A (en) Apparatus for measuring the beam current of charged particle beam
JP3616714B2 (ja) 分析機器内の絶縁試料上を所定表面電位にするための装置
US4680467A (en) Electron spectroscopy system for chemical analysis of electrically isolated specimens
WO1989006044A1 (en) Mass spectrometer
JP4416949B2 (ja) 粒子ビーム電流モニタリング技術
US4249077A (en) Ion charge neutralization for electron beam devices
GB1365369A (en) Ion scattering spectrometer with neutralization
JPH0724209B2 (ja) イオン注入装置
Groenewold et al. Secondary ion mass spectrometry of sodium nitrate: comparison of ReO4− and Cs+ primary ions
US4146787A (en) Methods and apparatus for energy analysis and energy filtering of secondary ions and electrons
SU776389A1 (ru) Устройство дл исследовани диэлектриков ионными пучками
GB1533526A (en) Electro-static charged particle analyzers
US3356843A (en) Mass spectrometer electron beam ion source having means for focusing the electron beam
KR20000034962A (ko) 하전입자의 이중-모드 검출 장치 및 방법
EP0278736A2 (en) Secondary ion mass spectrometer
JPS5774957A (en) Ionizing device of mass spectrometer
GB1445963A (en) Ion beam apparatus
SU1711260A1 (ru) Вторично-ионный масс-спектрометр
JPH03176957A (ja) 二次イオン分析装置
JPH0547933B2 (ru)
JPS6419664A (en) Ion beam device
SU915654A1 (en) Electrostatic energy analyzer
US3831025A (en) Ion source for providing a supply of charged particles having a controlled kinetic energy distribution
SU1352268A1 (ru) Датчик высоковакуумного газоанализатора
JP2569517B2 (ja) イオンマイクロアナライザ