SU758475A1

SU758475A1 - Amplitude modulator

Info

Publication number: SU758475A1
Application number: SU782565827A
Authority: SU
Inventors: Тамара Михайловна Колесникова
Original assignee: Ленинградское Отделение Центрального Научно-Исследовательского Института Связи
Priority date: 1978-01-09
Filing date: 1978-01-09
Publication date: 1980-08-23

Description

II

Изобретение относитс к радиотехнике и может использоватьс в качестве балансного модул тора и демодул тора, например, в аппаратуре вещани и телевидени .The invention relates to radio engineering and can be used as a balanced modulator and demodulator, for example, in broadcasting equipment and television.

Известен амплитудный модул тор, содержащий первый и второй транзисторы, в цеп х коллекторов и эмиттеров которых включены резисторы, причем база первого транзистора соединена с источником модулируемого сигнала, а также третий транзистор, в змиттерную цепь которого включен резистор, а база соединена с источником модулирующего сигнала, и источник питани 1 .The amplitude modulator is known, which contains the first and second transistors, in which the collectors and emitters are connected with resistors, the base of the first transistor is connected to the source of the modulated signal, and the third transistor, in the zmitter circuit of which the resistor is connected and power source 1.

Однако в таком амплитудном модул торе имеютс значительные нелинейные искажени выходного сигнала за счет недостаточной балансировки побочных продуктов преобразовани .However, in such an amplitude modulator, there are significant non-linear distortions of the output signal due to insufficient balancing of the conversion by-products.

Цель изобретени - уменьшение нелинейных искажений выходного сигнала.The purpose of the invention is to reduce the nonlinear distortion of the output signal.

Это достигаетс тем, что в амплитудный модул тор , содержащий первый и второй транзисторы , в цеп х коллекторов и эмиттеров которых включены резисторы, причем база первого транзистора соединена с источником модулируемого сигнала, а также третий транзистор, в эмиттерную цепь которого включен резистор, а база соединена с источником модулирующего сигнала, и источник питани , введены четверт1 1Й и п тый транзисторы, между эмиттерами которых и общей щиной включены резисторы, а коллекторы их подключены к щине источника питани и через введенный дополнительный резистор - к коллектору третьего транзистора, базы четвертого и п того транзисторов соединены соответственно с коллектором и эмиттером третьего транзистора, а эмиттеры четвертого и п того транзисторов через введенные RC цепи соед1шены соответственно с резисторами эмиттерных цепей первого и второго транзисторов , при этом между резистором эмиттерной цепи третьего транзистора и общей шиной включен диод, а база второго транзистора соединена с базой первого транзистора.This is achieved in that the amplitude modulator containing the first and second transistors, in the collectors and emitters of which the resistors are connected, the base of the first transistor connected to the source of the modulated signal, and the third transistor, in the emitter circuit of which connected to the source of the modulating signal, and the power supply, fourth quarter 1 and 5 transistors are introduced, between the emitters of which and the common length are resistors, and their collectors are connected to the power supply terminal and th additional resistor - to the collector of the third transistor, the base of the fourth and fifth transistors are connected respectively to the collector and emitter of the third transistor, and the emitters of the fourth and fifth transistors through the RC circuits connected respectively to the emitter circuits of the first and second transistors the emitter circuit of the third transistor and the common bus included a diode, and the base of the second transistor is connected to the base of the first transistor.

На чертеже представлена принципиальна электрическа схема предлагаемого устройства.The drawing shows a circuit diagram of the proposed device.

Амплитудный модул тор содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, в цеп х коллекторов и змиттеров которых включены резисторы - соответственно, 3 и 4 и 5 и б, третий тра 1зистор 7, в-эмиттерную цепь которого включен резистор 8, источник 9 модулирующего сигнала, источник 10 питани , четвертый и п тый транзисторы 11 и 12, с резисторами в эмиттерных цеп х соответственно - 13 и 14, дополнительный резистор 15, RC цепи 16 и 17, а также диод 18 и источник 19 модулируемого CHriiaJ ia.The amplitude modulator contains the first and second transistors 1 and 2, in the collector circuits and the emitters of which resistors are included - 3 and 4 and 5 and b, respectively, the third trap 1 resistor 7, the resistor 8 in the emitter circuit, the modulating signal source 9 , power supply 10, fourth and fifth transistors 11 and 12, with resistors in the emitter circuits, respectively, 13 and 14, additional resistor 15, RC circuit 16 and 17, as well as diode 18 and source 19 modulated by CHriiaJ ia.

Aмплитyдl ь й моду/г тор работает следующим образом.Amplitude mode / g torus works as follows.

Транзисторы 1 и 2 работают в режиме усилени , а модулируемый сигнал подаетс на их базы. Напр жение модулируемого сигнала должно быть намного больще напр жени модулирующего сигнала. При отрицательной полуволне модулируемого .сигнала токи Через резисторы 3 и 4 направлены встречно и значение модулируемого сигнала на выходе амплитудного модул тора близко к нулю.Transistors 1 and 2 operate in an amplified mode, and the modulated signal is applied to their bases. The voltage of the modulated signal should be much greater than the voltage of the modulating signal. With a negative half-wave of the modulated signal, the currents are directed opposite through resistors 3 and 4 and the value of the modulated signal at the output of the amplitude modulator is close to zero.

Напр жение модулирующего сигнала от источника 9, поступающее на базу транзистора 7, удваиваетс на резисторах 15 и 8 и, повернутое на 180°, подводитс к каскаду на транзисторах 11 и 12, имеющему малое выходное сопротивление , дл обеспечени которого целесообразно использовать транзисторы 11 и 12 с большим коэффициентом усилени тока.The voltage of the modulating signal from the source 9 supplied to the base of the transistor 7 is doubled on the resistors 15 and 8 and rotated 180 ° is supplied to the cascade on transistors 11 and 12, having a low output resistance, for which it is advisable to use transistors 11 and 12 with high current gain.

По отнощению к последующему каскаду преобразовани , выполненному на транзисторах 1 и 2, каскад на транзисторах 11 и 12 вл етс генератором напр жени с симметричным относительно земли выходом.In relation to the subsequent conversion stage, performed on transistors 1 and 2, the stage on transistors 11 and 12 is a voltage generator with a symmetrical output.

При сопротивлении резисторов 5(6), многоWhen the resistance of the resistors 5 (6), a lot

TgTg

большем - , где г сопротивление базыGreater is where r base resistance

транзистора 1 (2), а )3 - коэффициент усилени тока транзистора, входное сопротивление каскада преобразовани не зависит от j3 коэффициента усилени тока транзисторов.transistor 1 (2), a) 3 —gain of the transistor current, the input resistance of the conversion stage does not depend on j3 of the transistor current gain factor.

Входной ток этого каскада, практически не отличающийс от выходного , определ етс величиной резисторов 5 и 6. При одинаковых сопротивлени х резисторов 2, 3, 4, 5 и 6 и малом выходном сопротивлении каскада на транзисторах 11 и 12 обеспечиваетс высокое подавление побочных продуктов преобразовани со + 2SI и to - 4Г2 (где со - частота колебаний модулируемого сигнала, а Г2 - частота .колебаний модулирующего сигнала), и исключено требование идентичности транзисторов.The input current of this stage, which is practically the same as the output one, is determined by the value of resistors 5 and 6. With the same resistance of resistors 2, 3, 4, 5 and 6 and a low output resistance of the cascade, transistors 11 and 12 provide high suppression of conversion by-products. + 2SI and to - 4Г2 (where with is the oscillation frequency of the modulated signal, and G2 is the frequency of the oscillation of the modulating signal), and the requirement of transistor identity is excluded.

Включение диода 18 обеспечивает практически безыскаженный режим работы транзисторов 11 и 12.The inclusion of the diode 18 provides a virtually indiscriminate mode of operation of the transistors 11 and 12.

В случае необходимости, балансировка остатка частоты модулируемого сигнала может производитьс изменением сопротивлени резисторов RC цепей 16 и 17.If necessary, the balance of the modulated signal's frequency can be balanced by varying the resistance of the resistors of the RC circuits 16 and 17.

Таким образом, в предлагаемом амплитудном модул торе значительно уменьшаютс нелинейные искажени выходного сигнала, а также , значительно упрощаетс его изготовление и настройка за счет исключени необходимости подбора транзисторов.Thus, in the proposed amplitude modulator, the nonlinear distortion of the output signal is significantly reduced, and its manufacture and tuning is significantly simplified by eliminating the need for selecting transistors.

Claims

Invention Formula

The amplitude modulator containing the first and second transistors, the collectors and emitters of which include resistors, the base of the first transistor connected to the source of the modulated signal, and the third transistor in the emitter circuit of which includes a resistor, and a power source, characterized in that, in order to reduce non-linear distortion of the output signal,

Fourth and fifth transistors are inserted into it, between the emitters of which and the common bus are connected resistors, and their collectors are connected to the power supply bus and through the introduced additional resistor to the collector

The third transistor, the base of the fourth and fifth transistors are connected respectively to the collector and emitter of the third transistor, and the emitters of the fourth and fifth transistors are connected via RC circuits respectively to the emitter circuit resistors of the first and second transistors, while the third transistor has an emitter circuit resistor and a common diode is connected to the diode, and the base of the second transistor is connected to the base of the first transistor.

Sources of information taken into account in the examination 1. USSR author's certificate in application No. 2404916 / 18-09, cl. H 03 C 1/38, 09/14/76 (prototype).