SU755056A1 - Устройство для формирования электронных полей облучения 1 - Google Patents

Устройство для формирования электронных полей облучения 1 Download PDF

Info

Publication number
SU755056A1
SU755056A1 SU782668585A SU2668585A SU755056A1 SU 755056 A1 SU755056 A1 SU 755056A1 SU 782668585 A SU782668585 A SU 782668585A SU 2668585 A SU2668585 A SU 2668585A SU 755056 A1 SU755056 A1 SU 755056A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
screens
fields
irradiation
distribution
reflecting screen
Prior art date
Application number
SU782668585A
Other languages
English (en)
Inventor
K A Vinogradov
I N Shvetsov-Shilovskij
Original Assignee
Mo Inzh Fiz Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mo Inzh Fiz Inst filed Critical Mo Inzh Fiz Inst
Priority to SU782668585A priority Critical patent/SU755056A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU755056A1 publication Critical patent/SU755056A1/ru

Links

Landscapes

  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Description

Изобретение относится к области ускорительной техники, а более конкретно - к устройствам для формирования электронных полей облучения с заданным распределением плотности электронного потока.
Известны устройства для формирования электронного поля облучения, в которых используют рассеивающую фольгу'и магнитную фокусирующую линзу [1 ].
Эти устройства обладают ограниченными возможностями регулирования распределения плотности электронного потока.
Известно устройство для формирования электронного поля облучения с равномерным распределением, содержащее рассеивающую фольгу и расположенную 3¼ ней поглощаемую и рассеивающую пластинку [2 ]. За счет соответствующего подбора геометрических параметров системы можно добиться Практически равномерной интенсивности электронного пучка по облучаемой поверхности.
Недостатком этого устройства является Низкий коэффициент использования пучка, неравномерность энергии по полю облучения, невозможность регулиро2
вания размеров дозных полей при сохранении геометрических параметров.
Наиболее близким техническим решением является устройство для формирования электронных полей облучения, содержащее рассеивающую фольгу и отражающий экран в виде фигуры вращения с экспоненциальной образующей [3 ]. Это устройство позволяет полу’θ чить поле облучения круглого сечения с минимальными потерями интенсивности и может быть использовано для импульсного облучения с любой длительностью, задаваемой длительностью 15 тока ускорителя.
Недостатком устройства является сложность регулирования размеров поля облучения, определяемых размерами 20 рассеивателей. Использование статических магнитных полей для регулирования размеров приводит к неоднородности энергетического состава поля облучения из-за вносимой диспер25 сии. Использованию линз на выходе устройства препятствует, кроме того, сильная расходимость пучка, приводя- * щая к нарушению равномерности распре деления плотности тока в пространст30 ве дрейфа.
3
755056
Цель изобретения заключается в том, чтобы упростить получение полей облучения с задаваемым распределением плотности электронного потока.
Поставленная цель достигается тем, что в устройство для формирования электронных полей облучения, содержащее рассеивающую фольгу и отражающий экран в виде тела вращения, введены дополнительно, по крайней мере, еще одна рассеивающая фольга, причем фольги установлены с возможностью перемещения друг относительно друга и относительно отражающего экрана, и установленный внутри отражающего экрана набор тонких экранов, состоящий из цилиндрических коаксиальных экранов и радиальных экранов.
На фиг. 1 изображен общий вид _ устройства; на фиг. 2 - поперечное сечение основного отражающего экрана; на фиг. 3 - распределение плотности тока электронов на выходе формирователя .
Устройство состоит из импульсного магнита линейного сканирования 1, формирователя, включающего в себя основной экран 2, рассеивающие фольги 3 и вспомогательные радиальные 4 и коаксиальные 5 экраны, а также корректирующие, постоянные магниты 6.
Для получения равномерного распределения в плоскости мишени необходимо создать на выходе формирователя распределение плотности тока С(х, у) ^следующего вида (кривые I на фиг. 3):
(Лх) у) ~ 1 / (К2 — х2- у2/'*, 35
где К — размер поля облучения по оси у, определяемый диаметром основного отражающего экрана.
В этом случае при сканировании рас-40 пределение плотности тока по оси у будет равномерным:
45
σι у) ~ {(χ. у) άχ = о
Необходимое распределение должно быть сформировано с минимальными потерями и малым эмиттансом пучка для зд того, чтобы оно не искажалось при прохождении пучка до мишени. Для этого служит система тонких металлических радиальных экранов 4 и коаксиальных цилиндрических экранов 5, образуюцань сечении решетку. Принцип их 33 действия основан на. том, что при падении пучка электронов'под углом на поверхность тонкого рассеивателя наблюдается максимум дифференциального альбедо в области зеркального угла 40 отражения. При прохождении пучка электронов через решетку таких рассеивателей полный эмиттанс пучка не уменьшается по сравнению с эмиттан.. сом, получающимся в известном уст- 45
ройстве, однако происходит перераспределение плотности в фазовом объеме и она возрастает вблизи начала координат . Этот эффект можно трактовать как уменьшение частичного эмиттанса, измеренного на уровне, напри5 мер, 0,1 фазовой плотности.
Расчет методом Монте-Карло геометрии основного экрана 2 в данном случае затруднен и дает лишь качественный результат. В связи с этим предло10 жено вместо одиночной рассеивающей фольги использовать несколько рассеивателей 3, расположенных вдоль оси пучка перпендикулярно к ней. Экспериментальная проверка показала, что взаимное перемещение рассеивателей позволяет регулировать распределение плотности тока на выходе формирователя и добиваться одновременно не более 20% потерь интенсивности для _ достаточно произвольных форм основного экрана. В частности, он может иметь цилиндрическую, коническую или экспоненциальную поверхность. В действующей установке настройка формирователя производилась с помощью ме25 ханизма дистанционного перемещения четырех рассеивающих фольг по сигналу с датчика распределения плотности тока, имеющего выход на осциллограф. Реально удается получить распределе30 нйе, показанное на фиг. 2 (кривая 2), Такое размытие границ приводит к появлению узкой области неравномерности на краях поля облучения и к незначительному уменьшению коэффициента использования пучка.
В крайних по оси х областях поля облучения остается нескомпенсированная неравномерность плотности тока, снижающая коэффициент использования пучка. Эти области можно устранить, если использовать небольшие перемещаемые в зависимости от требуемых размеров дозного поля постоянные корректирующие магниты 6.
Форма выходной границы импульсного магнита определяется из условия постоянства размера поля облучения по оси у вдоль развертки.
Предлагаемое устройство позволяет простыми средствами получать равномерные поля облучения с регулировкой одного из размеров в тех случаях, когда требуется импульсный режим облучения.
ι

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Устройство для формирования электронных полей облучения, содержащее рассеивающую фольгу и отражающий экран в виде тела вращения, отличающ еес я тем, что, с целью упрощения получения полей обЛучения с задаваемым распределением плотности электронного потока, в него введены дополнительно, по крайней мере, еще одна рассеивающая
    5
    755056
    6
    фольга, причем фольги установлены с возможностью перемещения друг относительно друга и относительно отражающего экрана, и установленный внутри отражающего экрана набор тонких экранов, состоящий из цилиндрических коаксиальных экранов и радиальных экранов,.
SU782668585A 1978-09-26 1978-09-26 Устройство для формирования электронных полей облучения 1 SU755056A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782668585A SU755056A1 (ru) 1978-09-26 1978-09-26 Устройство для формирования электронных полей облучения 1

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782668585A SU755056A1 (ru) 1978-09-26 1978-09-26 Устройство для формирования электронных полей облучения 1

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU755056A1 true SU755056A1 (ru) 1981-09-07

Family

ID=20787080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782668585A SU755056A1 (ru) 1978-09-26 1978-09-26 Устройство для формирования электронных полей облучения 1

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU755056A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4736106A (en) Method and apparatus for uniform charged particle irradiation of a surface
Glinec et al. Radiotherapy with laser‐plasma accelerators: Monte Carlo simulation of dose deposited by an experimental quasimonoenergetic electron beam
US4767930A (en) Method and apparatus for enlarging a charged particle beam
Biggs et al. Electrons as the cause of the observed dmax shift with field size in high energy photon beams
US7295649B2 (en) Radiation therapy system and method of using the same
US7348569B2 (en) Acceleration of charged particles using spatially and temporally shaped electromagnetic radiation
KR20190085914A (ko) 방사선 전자 빔의 자기 제어를 위한 장치 및 방법
JPH0928823A (ja) 放射線発生装置からの放射を調節するための方法及び装置
EP2711048A2 (en) Device for generating beams of converging x-photons and electrons
US4442352A (en) Scanning system for charged and neutral particle beams
JP2018202146A (ja) キロボルト放射線療法
SU755056A1 (ru) Устройство для формирования электронных полей облучения 1
JPH0390900A (ja) 中性子ラジオグラフィー装置
US20230126790A1 (en) System and method for particle therapy
Kashy et al. A method for the uniform charged particle irradiation of large targets
JPH0747839Y2 (ja) X線発生装置
US7109502B1 (en) Device for irradiating a target with a hadron-charged beam, use in hadrontherapy
Bosser et al. Characteristics of the radiation emitted by protons and antiprotons in an undulator
Fukuda et al. Simulation of spiral beam scanning for uniform irradiation on a large target
US3567924A (en) Method and apparatus for bombardment of a target by modulated circular sweeping
Murray et al. A proton beam facility for single event research
Marinello et al. The study of a swept electron beam in order to apply Boag's theory for calculation of the collection efficiency: I. Beam and swept area characteristics
JPH0373093B2 (ru)
JP2003079753A (ja) 放射線治療装置
Svendsen Applications of Laser-Plasma Acceleration