SU752552A1 - Method of determining electrodynamic parameters of delay systems - Google Patents

Method of determining electrodynamic parameters of delay systems Download PDF

Info

Publication number
SU752552A1
SU752552A1 SU782609490A SU2609490A SU752552A1 SU 752552 A1 SU752552 A1 SU 752552A1 SU 782609490 A SU782609490 A SU 782609490A SU 2609490 A SU2609490 A SU 2609490A SU 752552 A1 SU752552 A1 SU 752552A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electronic
gain
parameters
determining
electron
Prior art date
Application number
SU782609490A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Дмитриевич Жарков
Александр Иванович Мирошниченко
Валерий Александрович Рачков
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им. Н.Г.Чернышевского
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им. Н.Г.Чернышевского filed Critical Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им. Н.Г.Чернышевского
Priority to SU782609490A priority Critical patent/SU752552A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU752552A1 publication Critical patent/SU752552A1/en

Links

Description

гаетс  благодар  тому, что ток пучка выбирают соответствующим рабочему режиму ЛБВ, oпpeдev  ют диапазон изменеии  коэффициеита электроиного усилени  в области затухани , варьиру  ускор ющее напр жение , фиксируют и измер ют несколько величин коэффициеита электронного усилени  в этой области, включа  окрестность минимального электронного усилени  (максимального затухани ) и измер ют ио два различных напр жени , соответствующих каждой величине усилени .This is due to the fact that the beam current is chosen to correspond to the working mode of the TWT, the range of variation of the electron amplification coefficient in the attenuation region is exceeded, the accelerating voltage varies, the several values of the electron amplification coefficient in this region are measured and measured, including the vicinity of the minimum electron gain (maximum attenuations) and measured by two different voltages corresponding to each magnitude of the gain.

Указанна  последовательность операций позвол ет достаточно просто получать экспериментальную зависимость коэффициента электронного затухани  от ускор ющего напр жени  и но ней одновременно определить три основных электродинамических параметра ЗС.This sequence of operations allows one to rather simply obtain the experimental dependence of the electron attenuation coefficient on the accelerating voltage, and at the same time determine the three main electrodynamic parameters of the ES.

Сущность изобретени  по сн етс  чертежами . На фиг. 1 изображены экспериментальна  и теоретическа  зависимости коэффициента электронного усилени  /( от ускор ющего напр жени  f/o; на фиг. 2 - блок-схема измерительной установки, котора  использовалась дл  реализации предложенного споеоба измерений.The invention is illustrated in the drawings. FIG. Figure 1 shows the experimental and theoretical dependences of the electron gain factor / (on the accelerating voltage f / o; Fig. 2 is a block diagram of a measurement setup that was used to implement the proposed measurement probe.

Установка содержит стандартный генератор СВЧ (ГСС) 1, .плавные аттенюаторы 2, 3, детекторные камеры 4, 5, усилитель 6, осциллограф 7, прозрачную ЛБВ с блоком питани  8, вольтметр 9.The installation contains a standard microwave generator (GSS) 1, floating attenuators 2, 3, detector chambers 4, 5, amplifier 6, oscilloscope 7, transparent TWT with power supply 8, voltmeter 9.

Дл  определени  еопротивлени  св зи, коэффициента замедлени  и распределенных потерь исследуемой ЗС необходимо с помощью электронного пучка «прозрачной ЛБВ либо электронного зонда сн ть часть зависимости К от UQ. При этом данную зависимость с целью уменьщени  погрещности измерений из-за наличи  отражений в тракте исследуемой ЗС, лучще всего снимать в области электронного затухани  (фиг. 1). Затем, иепользу  линейную теорию ЛБВ, позвол ющую рассчитать зависимость К от L/0 нри различных электродинамических и геометрических параметрах ЗС, а также электрических и геометрических параметрах электронного пучка, участвующего во взаимодействии , добитьс  совпадени  теоретической и экспериментальной зависимости К от Uo, в области максимального затухани .To determine the coupling resistance, deceleration ratio, and distributed losses of the studied CS, it is necessary to remove a part of the dependence of K on UQ using the electron beam of the transparent TWT or the electron probe. At the same time, this dependence, in order to reduce the measurement error due to the presence of reflections in the path of the studied ES, is best taken in the electronic attenuation region (Fig. 1). Then, using the linear theory of the TWT, which allows calculating the dependence of K on L / 0 at various electrodynamic and geometric parameters of the ZP, as well as the electrical and geometric parameters of the electron beam participating in the interaction, to achieve a coincidence of the theoretical and experimental dependence of K on Uo, in the region of maximum fading out.

Представлеииа  на фиг. 2 измерительна  установка включает в себ  только стандартную аппаратуру и может быть использована дл  измерений электродинамических параметров ЗС в любой части диапазоиа СВЧ.The representation in FIG. 2, the measurement setup includes only standard instrumentation and can be used to measure the ES electrodynamic parameters in any part of the microwave range.

Измерение усиленн  осуществл етс  следующим образом.The measurement is enhanced as follows.

Аттенюатор 3 (фиг. 2) устанавливаетс  в положение, соответствующее минимальному затуханию. С помощью аттенюатора 2 на выбранной частоте сигнала ГСС 1 осуществл етс  баланс при отсутствии электронного пучка 8. Включают электрон1 1Й пучок и устанавливают величину тока пучка (/р), близкую к рабочему режиму ЛБВ. При данном токе электронного нучка измер ют , напр жение Uo максимальный коэффициент электронного затухани  с помощью аттенюатора 2 и таким образом определ ют диапазон изменени  коэффициента электронного затухани . Затем выключают электронный пучок и вновь осуществл ют баланс с помощью аттенюатора 2. Далее приступают к измерению чаети зависимости /( от UQ (фиг. 1).Attenuator 3 (FIG. 2) is set to the position corresponding to the minimum attenuation. Using attenuator 2 at the selected frequency of the GSS 1 signal, a balance is achieved in the absence of an electron beam 8. The electron 1 beam is turned on and the beam current (/ p) is set close to the TWT operating mode. With this current of the electronic device, the voltage Uo is measured by the maximum electronic attenuation coefficient using attenuator 2, and thus the range of variation of the electronic attenuation coefficient is determined. Then, the electron beam is turned off and the balance is again performed using attenuator 2. Next, we start measuring the dependence of / (on UQ (Fig. 1)).

Аттенюатор 3 устанавливают на величину затухани , равную К. (фиг. 1), включают нучок и устанавливают ток пучка равным /р. Измен   ускор ющее напр жение с помощью блока питани  АБВ, вольтметром 9 измер ют напр жени  Ui и Ui (фиг. 1), соответствующие электронному затуханию -Ki. Затем с помощью аттенюатора 3 устанавливают затухание, равное -Kz, н процеес измерений повтор ют. Таким образом последовательно измер ют -Ki, Hi, Ui, -Кг, Uz, Uz; -Ks, Us, Us и т. д. и получают чаеть зависимости коэффициеита электронного затухани  от ускор ющего напр жени  и окреетиости максимального электронного затухани . Дл  определени  искомых нараметров ЗС достаточно 4-х, 6-ти экспериментальных точек /С от UQ. Далее, использу  линейную теорию ЛБВ, с помощью ЭВМ наход т теоретическую зависимость /С от UQ, соответствующую экспериментальной , н путем расчетов определ ют сопротивление св зи, коэффициент замедлени  и распределенные потери ЗС.Attenuator 3 is set to the attenuation value equal to K. (Fig. 1), turn on the knob and set the beam current to be equal to / p. Changing the accelerating voltage with the help of an ABV power supply unit, a voltmeter 9 measures voltages Ui and Ui (Fig. 1), corresponding to the electronic decay -Ki. Then, attenuator 3 is used to set the attenuation equal to -Kz, and the measurement process is repeated. Thus, -Ki, Hi, Ui, -Kg, Uz, Uz are successively measured; -Ks, Us, Us, etc., are obtained from the dependence of the electronic attenuation coefficient on the accelerating voltage and the maximum electronic attenuation coefficient. To determine the desired parameters of the CS, 4, 6 experimental points / С from UQ are sufficient. Further, using a linear theory of the TWT, a computer determines the theoretical dependence of / C on UQ, corresponding to the experimental value, and by calculating the connection resistance, retardation factor, and distributed losses of the ES, by calculations.

Использование предлагаемого способа измерени  электродииамических нараметров замедл ЕОЩих систем обеспечпвает но срав0 с существующими способами следующие преимущества:The use of the proposed method for measuring electrodiamiamic delay systems for ESP systems provides, but compares with the existing methods, the following advantages:

обеспечение одновременного измерени  трех основных электродинамических параметров ЗС и вследствие этого уменьщение погрешности или упрощение измерений; измерение распределенных потерь ЗС, не включающих в себ  переходное ослабление СВЧ-сигнала, обусловленного выводами энергии ЗС, что  вл етс  особенно важным прн исследовании ЗС коротковолновой части СВЧ-диапазона; измерение сопротивлени  св зи ЗС с учетом геометрических размеров реального электроиного нучка ЛБВ и его месторасположени  в пространстве взаимодействи .ensuring the simultaneous measurement of three basic electrodynamic parameters of the ES and, consequently, a decrease in the error or simplification of measurements; measurement of distributed losses of the ES, which do not include the transient attenuation of the microwave signal, due to the conclusions of the energy of the ES, which is especially important for the study of the ES of the shortwave part of the microwave range; measuring the resistance of a CS connection, taking into account the geometrical dimensions of the real electronic nuchion TWT and its location in the interaction space.

Использование изобретени  позвол ет сократить врем  и повысить точность определени  параметров замедл ющих еистем.The use of the invention allows to reduce the time and improve the accuracy of determining the parameters of the decelerating systems.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ определени  электродинамических параметров замедл ющих систем, основанный на исиользовании взаимодействи  электроиного пучка с электромагнитной 3 волной, характерного дл  ламны бегущейThe method of determining the electrodynamic parameters of decelerating systems, based on the use of the interaction of an electron beam with an electromagnetic 3 wave, characteristic of a traveling lamp : ;::rO;aio;u:m выбор величины тока i; --Jsa, 1. ;-.,:.и:.L коэффициента электрон ) усилени  волны в системе и ускор ющего нанр жени  и расчет параметров, отличают , и и с   тем, что, с целью уменьшени  погрешности при упрощении процесса измерений, путем обеспечени  одновременного определени  коэффициента замедлени , сопротивлени  св зи и распределенных потерь, ток пучка выбирают соотвстствующим рабочему режиму лампы, диапазон изменени  коэффициента электронного усилени  онредел ют в области затухани , варьиру  ускор ющее напр жение, фиксируют и нзмер ют по крайней мере четыре величины коэффициента электронного усилени  в этой области, включа  окрестность минимального электронного усилени , и измер ют но два различных напр жени , соответствующих каждой величине усилени .:; :: rO; aio; u: m select current i; --Jsa, 1.; -.,:. And: .L of the electron coefficient of the amplification of the wave in the system and of the accelerating nanometer, and the calculation of the parameters, are distinguished, and so that, in order to reduce the error while simplifying the measurement process, By providing a simultaneous determination of the deceleration ratio, coupling resistance and distributed loss, the beam current is chosen according to the lamp's operating mode, the range of variation of the electronic gain is determined in the attenuation region, the accelerating voltage is varied, at least four masks electronic gain coefficient in the art, including electronic neighborhood minimum gain, and is measured but two different voltage corresponding to each value of the gain. Электронное усилениеElectronic amplification Теори Theorie SKcnepuMBHfnSKcnepuMBHfn
SU782609490A 1978-04-27 1978-04-27 Method of determining electrodynamic parameters of delay systems SU752552A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782609490A SU752552A1 (en) 1978-04-27 1978-04-27 Method of determining electrodynamic parameters of delay systems

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782609490A SU752552A1 (en) 1978-04-27 1978-04-27 Method of determining electrodynamic parameters of delay systems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU752552A1 true SU752552A1 (en) 1980-07-30

Family

ID=20761923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782609490A SU752552A1 (en) 1978-04-27 1978-04-27 Method of determining electrodynamic parameters of delay systems

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU752552A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0457294A1 (en) * 1990-05-16 1991-11-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electromagnetic field analyzer for devices in which electromagnetic field is present near conductor and electric charge moves in the electromagnetic field, and method of analyzing electromagnetic field

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0457294A1 (en) * 1990-05-16 1991-11-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electromagnetic field analyzer for devices in which electromagnetic field is present near conductor and electric charge moves in the electromagnetic field, and method of analyzing electromagnetic field
US5315233A (en) * 1990-05-16 1994-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electromagnetic field analyzer for devices in which an electromagnetic field is present near a conductor and an electric charge moves in the electromagnetic field, and method of analyzing an electromagnetic field

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kuffel Influence of humidity on the breakdown voltage of sphere-gaps and uniform-field gaps
Richardson Mode-stirred chamber calibration factor, relaxation time, and scaling laws
SU752552A1 (en) Method of determining electrodynamic parameters of delay systems
McPherson et al. Microwave transient-response measurements of elastic momentum-transfer collision frequencies in argon
Lorents et al. Stopping of Low-Energy H+ and He+ Ions in Plastics
US3319165A (en) Apparatus for measuring the phase delay of a signal channel
Andrews An impulse spectral intensity measurement system
Gál et al. A random tail pulse generator for simulation of nuclear radiation detector signals
JPS57111457A (en) Voltage measuring device using electron beam
JPS552939A (en) Water content measuring instrument for circulation type grain drier
SU693476A1 (en) Method of measuring electrodynamic parameters of travelling-wave tube decelerating systems
SU1081578A1 (en) Method of determination of specimen temperature
SU780076A1 (en) Method of measuring coupling resistance of delay systems
SU834586A1 (en) Device for measuring ac voltage waveform coefficient
Walsh XLIV. The Measurement of Space Charge Wavelength in an Electron Beam
SU457909A1 (en) Ion densitometer for measuring gas density
SU561147A1 (en) Dynamic Performance Analyzer
SU735946A1 (en) Device for testing flanged connection states
SU953684A1 (en) Electronic multiplier gain automatic measuring method
SU125311A1 (en) Method for analyzing the reverse current of the control grid of electron tubes
SU1102478A1 (en) Method of measuring high-frequency characteristics of accelerating structures
SU970254A1 (en) Device for measuring amplifier background noise level
SU828130A1 (en) Method of alternating magnetic field parameter determination
SU574599A1 (en) Device for measuring thickness of coatings
SU79605A1 (en) Electronic Fluxmeter