SU743032A1 - Магнитный накопитель - Google Patents
Магнитный накопительInfo
- Publication number
- SU743032A1 SU743032A1 SU782672069A SU2672069A SU743032A1 SU 743032 A1 SU743032 A1 SU 743032A1 SU 782672069 A SU782672069 A SU 782672069A SU 2672069 A SU2672069 A SU 2672069A SU 743032 A1 SU743032 A1 SU 743032A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- holes
- information
- columns
- magnetic storage
- magnetic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
Изобретение относитс к области вычислительной техники и может быть использовано дл построени запоминающих устройств с неразрушающим считыванием информации .
Известен магнитный накопитель, содержащий ферритовые числовые линейки с трем р дами отверстий, прошитых адресными и разр дными щинами I.
Недостатком известного накопител вл етс зависимость амплитуды выходного сигнала от кода записанной информации в соседних разр дах.
Наиболее близким техническим решением к данному изобретению вл етс магнитный накопитель, содержащий ферритовые числовые линейки, кажда из которых содержит два р да адресных отверстий н расположенный между ними р д информационных отверстий, адресные шины, каж,1а из которых прошивает последовательно, адресные отверсти соответствующей .Ьерритовой числовой линейки, а кажда разр дна шина прошивает последовательно два столбца информационных отверстий, образованных ферритовыми числовыми линейками 2.
Этот накопитель имеет тот недостаток, что величина амплитуды выходного сигнала с запоминающего элемента зависит от информации , записанной в соседние разр ды данного адреса. Амплитуда имеет максимальную величину при записи в соседние запоминающие элементы одинаковой информации и минимальную - при записи противоположной информации.
Цель изобретени - повысить надежность накопител .
Дл этого кажда разр дна шина прошивает последовательно два столбца четных и два столбца нечетных информационных отверстий, образованных ферритовыми числовыми линейками.
На чертеже представлена схема предлагаемого -магнитного накопител . Накопитель содержит ферритовые линейки 1 с трем р дами отверстий, адресные отверсти 2, 3, информационные отверсти 4, разр дные шины 5, адресные шины 6.
Предлагаемый .магнитный накопитель работает следующим образом.
расположенные i четных столбцах и два информационных отнорсти 4 в нечетных столбцах . Запись ишЫюмации осуществл етс также как и в изпоотных устройствах, например , способом . В результате записи вокруг инфсрмационных отверстий 4 заноминаюшего элемента замыкаютс магнитные потоки заданного направлени .
Рассмотрим работу запомипающего элемента , включающего информационные отверсти 4 во втором и четвертом столбце первой ферритовой числовой линейки 1. На состо ние магнитного потока вокруг отверсти 4 второго столбца вли ет только характер информации, записанной в ЗЭ с отверсти ми 4 в первом и третьем столбцах, имеющей с ним общие перемычки. При этом .уммарный магнитный поток вокруг отверсти 4 второго столбца не мен етс при записи в ЗЭ с отверстием 4 в первом и третьем столбцах любой информации, поскольку в общих перемычках между отверсти ми 4 в нервом и втором столбцах магнитные потоки направлены в одном направлении, а между отверсти ми 4 со втором и третьем столбцах в противоположном направлении, либо наоборот , в перемычках между отверсти ми 4 первого и второго столбца в противоположном , а между отверсти ми 4 второго и третьего столбца в одном.
Магнитный поток вокруг отверсти 4 четвертс )го столбца первой ферритовой числовой линейки 1 зависит от информации, записываемой как в ЗЭ с отверстием 4 третьего столбца, так и в ЗЭ с отверстием 4 п того столбца.
При считывании информации выходной сигнал складываетс из ЭДС, образующихс при перемагничивании материала вокруг каждого из информационных отверстий 4,
образующих разр д. При этом одна из его составл ющих пе зависит от информации, записанной в соседние разр ды.
Использование предлагаемого магнитного накопител по сравнению с известными обеспечивает у.меньщение вли ни записанной информации на амплитуду выходного сигнала. При этом амплитуда минимального выходного сигнала с модул возрастает на 10-20°/о, что увеличивает отношение сигнала к помехе.
Таким образом, применение предлагаемого накопител повыщает надежность работы магнитных накопителей и запоминающих устройств в целом.
Claims (2)
1.Авторское свидетельство СССР № 502395, кл. G 11 С 11/08, 1975.
2.Авторское свидетельство СССР
Го 529484, кл. G И С 11/08, 1976 (:фототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782672069A SU743032A1 (ru) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Магнитный накопитель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782672069A SU743032A1 (ru) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Магнитный накопитель |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU743032A1 true SU743032A1 (ru) | 1980-06-25 |
Family
ID=20788519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782672069A SU743032A1 (ru) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Магнитный накопитель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU743032A1 (ru) |
-
1978
- 1978-10-11 SU SU782672069A patent/SU743032A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR860003608A (ko) | 직렬데이타 입력회로 및 직렬데이타 출력회로를 갖춘 반도체 메모리 장치 | |
JPS558135A (en) | Rewritable programable logic array | |
JPS5986097U (ja) | ランダム・アクセス・メモリ | |
JPS62194561A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR910003663A (ko) | 다이나믹형 반도체메모리장치 | |
KR870005473A (ko) | 반도체 프로그램어블 메모리 장치 | |
KR850008570A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
JPS5693189A (en) | Field programable element | |
KR910020724A (ko) | 반도체 기억장치 | |
SU743032A1 (ru) | Магнитный накопитель | |
KR920010624A (ko) | 반도체기억장치 | |
JPH07201170A (ja) | 半導体記憶装置 | |
SU1462418A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
KR910006982A (ko) | 멀티포트 · 랜덤 · 액세스 · 메모리(multiport · random · access · memorry) | |
SU847377A1 (ru) | Запоминающее устройство с самоконтролем | |
SU1274004A1 (ru) | Запоминающее устройство с автономным контролем | |
JPS6321279B2 (ru) | ||
SU446109A1 (ru) | Магнитный запоминающий элемент | |
SU393771A1 (ru) | Долговременное запоминающее устройство трансформаторного типа с записью чисел в системе счисления с основанием р, большим двух | |
SU447757A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
KR960002355A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 어레이 배열방법 | |
SU771697A1 (ru) | Магнитный преобразователь угла поворота вала в код | |
SU750562A1 (ru) | Посто нное запоминающее устройство | |
SU1251187A1 (ru) | Устройство дл контрол блоков пам ти | |
SU395903A1 (ru) | Постоянное запоминающее устройство с линейной выборкой |