(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано дл формировани импульсов, амплитуда ко... торых превышает напр жение источника питани . Известен формирователь импульсов, содержащий П. -конденсаторов, П. -ключевых транзисторов, зар дный транзистор противоположного гипа проводимости и 2(tr -1) диодов 1 . В этом формирователе во врем , фор)- мировани выходного импульса зар дный транзистор испытывает напр жение икъАр. Е-|ивь,И-(Е-и5)1ивь,.+U5, (i) гае - напр жение, питающее формирователь; вых в п итуда напр жени импуль са на выходе формировател ; UQ - падение напр жени на пр мосмещенном зар дном диоде,Диод -Зц формировател испытывает при этом напр жение ,. 2.) Из (1) и (2) следует . iAp. допустимое зп. до ПУСТ и мое . Таким образом амплитуда выходного импульса , вырабатываемого указанным формирователем , не может превышать величину допустимого напр жени на транзисторах и диодах, вход щих в формирователь. Известен формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, п. - чеек, кажда из которых состоит из питающего транзистора, резистора, диода, конденсатора .2 1 . Конденсаторы формировател в исходном состо нии зар жены с помощью зар дных диодов и входнотх) транзистора до напр жени , близкого к напр женшо Е источника питани . Во врем формировани выходного импульса, амплитуда | I которого близка к (ц +) напр жение 17, входном транзисторно эавтго Ука вх llJet ix I Напр жете l/ji на диоде 3 при этом удовлетвор ет усповгао. Напр ение на диоде 4.f равно U5i |VBbix I Е i ич ивых|-Е-17кэ2«.1иамх1-Е. Из приведенных выражений следу err, что амйпитудЬ вьгходного импульса ограшчена величиной допустимого напр жени на транзисторах и диодах, аходгодих в фо мирователь. Цепь изобретени - расширение диапазона амплитуды напр жени выходного им пульса формировател . Дл достижени этой цепи в формироват;елЪ импульсов, содержащий входной транзистор, базой соединен1ц.1й с входной шиной, а эмиттером - с шиной нулевого потенциала, и tt - чеек, кажда из которых содержит питающий транзистор, база которого через последовательно сое дшшнные резистор и диод подключена к его эмиттеру и одной обкладке конденса тора, анод диода первой чейки подключе к шине питани , введен шунтирующий транзистор, а в кажщао чейку введен р зистор и ключевой транзистор, база которого подключена к аноду диодачерез введенный резистор, коллектор - к коллектору питающего транзистора, а aivmTtep к другой обкпадке конденсатора, причем эмиттер ключевого транзистора каждой, кроме первой чей1 :и подключен к коллектору ключевого транзистора дыдущей чейки, а анод диода каждой, кроме первой, чей1СЕг, подключен к катоду циона предыдущей чейки, при атом анод диода первой чейки соединен с эмиттером шунтирующего транзистора, базой подключенного к входной шине, а коллектором к коллектору входного тр - зистора и эмиттеру ключевого транзисто первой чейки. На чертеже представлена принципиаль на схема устройства. Устройство содерндатвходной транзистор 1, питающие транзисторы 2-1- 2- It резисторы 3-1-3- -Ц , диоды 4-1 - 4- tL, конденсаторы 5-1 - 5- tt шунтирующий транзистор 6, резисторы 7-1 - 7 - rv , ключевые травзисторы 8-1 - 8- -И., Формирователь работает следующ: м образом. .При наличии на входе потенциала,, бл кого к Е , шунтирующий транзистор 6 закрыт, а входной транзистор 1 открыт и насьпцен. При этом каждый питающий транзистор 2-1-2-Пзакрыт напр жением,, падающим на соответсГтвующем диоце 4-1- 3 -ru,a транзисторы8-1-8-ноткрыты и насыщены . Каждый конденсатор 5-1-5-п зар жаетс при этом до напр жени , близкого к напр жению Е источника питани . Потегшиал выхода форм{фовател близок к нулю. При этом потенциал любой точки формировател находитс в пределах от О до Е . Следовательно в исходном сос то нии падение напр жени на каждом элементе формировател не превышает Е . При поступлении на вход формировател управл ющего сигнала нулевого потенциала ) транзистор 1 закрываетс , а транзистор 6 открываетс и насыщаетс . Вследствие этого потенциал эмиттера транзистора 8-1, а значит и потенциал эмиттера транзистора 2-1, повышаютс , транзистор 8-1 закрываетс , транзистор 2-1 открываетс и насыщаетс , а диод 4-1 смещаетс в обратном направлении. При этом также закрываютс все транзисторы 8-1-8- -и, , открываютс и насыщаютс все транзистора 2-1-2- п. , а все диоды 4-1-4- tt смещаютс в обратном направлении. Конденсаторы 5-1-5-ti соедин ютс последовательно и разр жаютс на нагрузку. Обозначим падение напр жени на элементе Х символом Uo. . Тогда при наличии на входе формировател (см. чертеж) нулевого потенциала имеем Uj. Е (Ui,... tt), (3) так как конденсаторы при этом разр жаютс , т.е. разность потенциалов между обкладками каждого такого конденсатора уменьшаетс . С учетом (3) имеем икэ81 Е и,, --tl5L-l K32l-l- U, Е, Им. u.UKjfc «1- , Us- - U -1/532 L U,i --VK,iL-iV Bi n Таким образом, в предлагаемом формиователе напр жение на каждом транзисоре , диоде, конденсаторе и резисторе не ревышает напр жение, питающее формиователь , ни при каком количестве конденсаторов ни в одном режиме работы (см. соотношени (3) -(8). Поэтому амплитуда напр жени выходного импульса ормировател может многократно превышать допустимое напр жение на любом элементе , вход щем в формирователь. Л это означает, что диапазон амплитуды напр жени выходного импульса предлагаемого op v иpoвaтeл многократно расширилс . Так, например, еспи транзисторы и диоды вход щие в преобразователь, допускают воздействие напр жений соответствеггао между коллектором и эмиттером и обратного напр жени на диодах, равного 10О то предлагаемый формирователь импульсо способен вырабатывать импульсы напр же ни амплитудой втыс чи Вольт, не созда ва при этом перенапр жени ни на одном элементе. формула изобретени формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, базой соединенный с входной шиной, а эмиттером с шиной нулевого потенциала, и П - чеек, кажда из которых содержит питающий транзистор база которого через последовательно соединенные резистор и диод подключена к его эмиттеру и одной обклашсе конденсатора, анод диода первой чейки подключен к шине питани , о т л и ч а - ю щ и и с тем, что, с целью расширени 1иапазона амплитудь напр жени выходного импульса, в него введен шутгги- рующий транзистор, а в каждую чейку введен резистор и ключевой транзистор, база которого подключена к аноду диода через введенный резистор, коллектор - к коллектору питающего транзистора, а эмиттер - к другой обкладке конденсатора , причем эмиттер ключевого транзистора каждой, кроме первой, чейки подкгаочен к коллектору ключевого транзистора предыдущей чейки, а анод диода каждой, кроме первой, чейки подключен к катоду диода предыдущей чейки при анод диода первой чейки соединен с эмиттером шунтирующего транзистора, базой подключенного к входной шине, а коллектором - к коллектору входного транзистора и эмиттеру ключевого транзистора первой чейки. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетепьство СССР № 406296, кл. Н 03 К 1/12, 28,06.71. 2.Авторское свидетельство СССР № 445138, KJI.H ОЗ К 5/01, 29.05. 72. (прототип).