SU734829A1 - Материал термоэлектронного эмиттера - Google Patents

Материал термоэлектронного эмиттера Download PDF

Info

Publication number
SU734829A1
SU734829A1 SU782630382A SU2630382A SU734829A1 SU 734829 A1 SU734829 A1 SU 734829A1 SU 782630382 A SU782630382 A SU 782630382A SU 2630382 A SU2630382 A SU 2630382A SU 734829 A1 SU734829 A1 SU 734829A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hexaboride
complex
emitters
atoms
hexaborides
Prior art date
Application number
SU782630382A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Иванович Файфер
Юрий Петрович Беляев
Александр Алексеевич Гугнин
Сергей Михайлович Жданов
Константин Павлович Редега
Анатолий Андреевич Лучин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2836
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2836 filed Critical Предприятие П/Я В-2836
Priority to SU782630382A priority Critical patent/SU734829A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU734829A1 publication Critical patent/SU734829A1/ru

Links

Landscapes

  • Solid Thermionic Cathode (AREA)

Description

(54) МАТЕРИАЛ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА
1
Изобретение относитс  к электронной технике и предназначено дл  изготовлени  эффективных термоэлектронных эмиттеров СВЧ-приборов магнетронного типа.
Известны материалы термоэлектронных катодов, высокие эмиссионные свойства которых обусловлены использованием твердых растворов боридов щелочноземельных (ЩЗМ) и редкоземельных (РЗМ) металлов 1. Эти материалы не могут быть использованы в качестве катодов приборов магнетронного типа из-за малых значений коэффициента вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) 1, в то врем  как дл  работы приборов М-типа КВЭЭ желательно иметь 2.
Вторично-эмиссионные свойства катодов такого типа можно повысить, использу  в качестве материала матрицы металлы, КВЭЭ которых лежит в интервале 1,6-1,8 (Re, Pt, Ir). Поскольку Pt и Ir - драгметаллы, наиболее предпочтительно применение рени .
Известны также катодные материалы на основе рени  с добавками гексаборида лантана . Катоды из таких материалов обладают значени ми работы выхода 2,7-2,8 эВ; величина КВЭЭ достигает лишь 1,95 2.
Однако такие, материалы имеют ограниченное применение.
Целью изобретени   вл етс  повышение уровн  термо- и вторичной эмиссии.
Sт,-- Дл  достижени  указанной цели в металлическую матрицу из тугоплавкого металла рени  ввод т сложные устойчивые соединени  - твердые растворы гексаборидов щелочноземельных металлов в гексабори10 дах редкоземельных металлов группы лантана в соотношении от 0,9:0,1 до 0,6:0,4 при содержании сложного гексаборида 0,4- 4 вес. %, например твердый раствор гексаборида бари  в гексабориде лантана.
5
Материалы на основе рени , в состав которых вводились указанные выше твердые растворы гексаборидов La и Ба, обладают высокими и стабильными термо-и вторичноэмиссионными параметрами.
го
Плотность тока насьщени  при различных температурах и значени х КВЭЭ дл  вышеу :азанных сплавов приведены в таблице .
(№;йас & за-аё йА й« б«й8б л:.,« iaiMAufe.,iu.«B. --. -sv...- 3734829
4
Из таблицы видно, что наилучшими термоэмиссионными свойствами обладают сплаBbf , в состав которых вводитс  сложный гексаборид с соотношением гексаборидов :ВаВб от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.
На чертеже представлены значени  КВЭЭ при различных температурах.
Из чертежа видно, что КВЭЭ сплавов с содержанием сложного гексаборида 0,5- 4 вес. % Таким образом, наилучшими эмиссионными свойствами в совокупности обладают сплавы, в которых, содержитс  0,5-4 вес. % сложного гексаборида с соотношением LaB $: :ВаВб от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.
Эмиссионные свойства предложенных материалов превышают аналогичные дл  сплаВОВ на основе рени  с добавками гексаборида лантана.

Claims (2)

  1. Высокие и стабильные эмиссионные характеристики предлагаемых материалов обусловлены свойствами сложного металлоподобного соединени  и процессом взаимодействи  материала основы с активными добавками . Известно, что образование моноатомиой пленки, атомов РЗМ и ЩЗМ на поверхности тугоплавких металлов значительйо улучшает эмиссионные свойства такой системы . При нагреве предложенных материалов до рабочей температуры в процессе взаимодействи  рени  с гексаборидом и Ва образуютс  свободные атомы La и Ва, диффундирующие на поверхность и образующие моноатомную пленку сложного состава . Использование сложных гексаборидов указанных выше составов обеспечивает как оптимальную скорость взаимодействи  матрицы с активным веществом и, следовательно , поступление атомов ЩЗМ и РЗМ на поверхность , так и оптимальный состав и струк туру пленки атомов на. поверхности, ответственной за высокие термо- и вторично-эмиссионные параметры материалов. Предлагаемый материал изготавливают следующим образом. Порошки бора, окисла РЗМ и карбоната ЩЗМ перемещйвают дл  равномерности распределени , затем прессуют в штабики при давлении 0,45-0,5 т/см2. Содержание окиси ЩЗМ в смесь вводитс  с 10-12 /о избытком . Щтабики подвергают термической обработке при 1900°С в течение 1 ч в вакууме не ниже 1 10 мм рт. ст., в результате которой образуютс  твердые растворы гексаборидов ЩЗМ в гексаборидах РЗМ. Гексаборид измельчают в порошок, используемый при изготовлении эмиттеров. Эмиттеры изготавливают обычными методами порошковой металлургии из шихты, представл ющей смесь.рени  и сложного гексаборида . Эмиттеры из предложенного материала стабильно работают в течение не менее 2000 ч. Формула изобретени  Материал термоэлектронного эмиттера на основе тугоплавкого металла, например, рени , содержащий в виде активного вещества гексаборид редкоземельного металла группы лантана, отличающийс  тем, что, с целью повышени  уровн  термо- и вторичной эмиссии, гексаборид редкоземельного металла введен в виде твердого раствора с гексаборидом щелочноземельного металла в соотношении от 0,9:0,1 до 0,6:0,4 при общем содержании сложного гексаборида 0,5- 4 вес. %. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 611260, кл. Н 01 J 1/14, 1975.
  2. 2.Кудинцева Г. А. и др. Электронна  техника, сери  Электроника СВЧ, 1,67, № 11, с. 73 «Эмиссионные свойства сложных эмиттеров на основе гексаборида лантана (прототип ).
SU782630382A 1978-05-19 1978-05-19 Материал термоэлектронного эмиттера SU734829A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782630382A SU734829A1 (ru) 1978-05-19 1978-05-19 Материал термоэлектронного эмиттера

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782630382A SU734829A1 (ru) 1978-05-19 1978-05-19 Материал термоэлектронного эмиттера

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU734829A1 true SU734829A1 (ru) 1980-05-15

Family

ID=20770870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782630382A SU734829A1 (ru) 1978-05-19 1978-05-19 Материал термоэлектронного эмиттера

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU734829A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0179513B1 (en) Method of manufacturing a scandate dispenser cathode and dispenser cathode manufactured by means of the method
JPS58154131A (ja) 含浸形陰極
US4083811A (en) Lanthanated thermionic cathodes
SU734829A1 (ru) Материал термоэлектронного эмиттера
US3458749A (en) Dispenser cathode made of tungsten powder having a grain size of less than three microns
US1552310A (en) Electrode for discharge tubes
KR100811719B1 (ko) 음극선관 및 산화물 음극
US3269804A (en) Dispenser cathode and method for the production thereof
JPH0765694A (ja) 電子管用の陰極
US2185410A (en) Metal compositions
US4236287A (en) Method of making a ruggedized high current density cathode
KR100776699B1 (ko) 산화물 캐소드 및 도핑된 산화물 캐소드를 포함하는 음극선관
US2769708A (en) Thermionic cathode and method of making the same
US2899299A (en) Method of manufacturing sintered
US2917415A (en) Method of making thermionic dispenser cathode and cathode made by said method
US20060076871A1 (en) Vacuum tube with oxide cathode
US1948445A (en) Electron emitting body and the process for its manufacture
JP3436609B2 (ja) 放電管及びその製造法
US2394095A (en) Activated electrode
US2686886A (en) Electric discharge tube
SU246684A1 (ru) Катод металлического типа
KR950013863B1 (ko) 전자관용음극
SU575710A1 (ru) Материал дл термоэлектронного катода
SU725115A1 (ru) Материал дл вторичноэлектронных эмиттеров
KR820001401B1 (ko) 열전자 방출음극