SU734829A1 - Материал термоэлектронного эмиттера - Google Patents
Материал термоэлектронного эмиттера Download PDFInfo
- Publication number
- SU734829A1 SU734829A1 SU782630382A SU2630382A SU734829A1 SU 734829 A1 SU734829 A1 SU 734829A1 SU 782630382 A SU782630382 A SU 782630382A SU 2630382 A SU2630382 A SU 2630382A SU 734829 A1 SU734829 A1 SU 734829A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- hexaboride
- complex
- emitters
- atoms
- hexaborides
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
(54) МАТЕРИАЛ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА
1
Изобретение относитс к электронной технике и предназначено дл изготовлени эффективных термоэлектронных эмиттеров СВЧ-приборов магнетронного типа.
Известны материалы термоэлектронных катодов, высокие эмиссионные свойства которых обусловлены использованием твердых растворов боридов щелочноземельных (ЩЗМ) и редкоземельных (РЗМ) металлов 1. Эти материалы не могут быть использованы в качестве катодов приборов магнетронного типа из-за малых значений коэффициента вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) 1, в то врем как дл работы приборов М-типа КВЭЭ желательно иметь 2.
Вторично-эмиссионные свойства катодов такого типа можно повысить, использу в качестве материала матрицы металлы, КВЭЭ которых лежит в интервале 1,6-1,8 (Re, Pt, Ir). Поскольку Pt и Ir - драгметаллы, наиболее предпочтительно применение рени .
Известны также катодные материалы на основе рени с добавками гексаборида лантана . Катоды из таких материалов обладают значени ми работы выхода 2,7-2,8 эВ; величина КВЭЭ достигает лишь 1,95 2.
Однако такие, материалы имеют ограниченное применение.
Целью изобретени вл етс повышение уровн термо- и вторичной эмиссии.
Sт,-- Дл достижени указанной цели в металлическую матрицу из тугоплавкого металла рени ввод т сложные устойчивые соединени - твердые растворы гексаборидов щелочноземельных металлов в гексабори10 дах редкоземельных металлов группы лантана в соотношении от 0,9:0,1 до 0,6:0,4 при содержании сложного гексаборида 0,4- 4 вес. %, например твердый раствор гексаборида бари в гексабориде лантана.
5
Материалы на основе рени , в состав которых вводились указанные выше твердые растворы гексаборидов La и Ба, обладают высокими и стабильными термо-и вторичноэмиссионными параметрами.
го
Плотность тока насьщени при различных температурах и значени х КВЭЭ дл вышеу :азанных сплавов приведены в таблице .
(№;йас & за-аё йА й« б«й8б л:.,« iaiMAufe.,iu.«B. --. -sv...- 3734829
4
Из таблицы видно, что наилучшими термоэмиссионными свойствами обладают сплаBbf , в состав которых вводитс сложный гексаборид с соотношением гексаборидов :ВаВб от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.
На чертеже представлены значени КВЭЭ при различных температурах.
Из чертежа видно, что КВЭЭ сплавов с содержанием сложного гексаборида 0,5- 4 вес. % Таким образом, наилучшими эмиссионными свойствами в совокупности обладают сплавы, в которых, содержитс 0,5-4 вес. % сложного гексаборида с соотношением LaB $: :ВаВб от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.
Эмиссионные свойства предложенных материалов превышают аналогичные дл сплаВОВ на основе рени с добавками гексаборида лантана.
Claims (2)
- Высокие и стабильные эмиссионные характеристики предлагаемых материалов обусловлены свойствами сложного металлоподобного соединени и процессом взаимодействи материала основы с активными добавками . Известно, что образование моноатомиой пленки, атомов РЗМ и ЩЗМ на поверхности тугоплавких металлов значительйо улучшает эмиссионные свойства такой системы . При нагреве предложенных материалов до рабочей температуры в процессе взаимодействи рени с гексаборидом и Ва образуютс свободные атомы La и Ва, диффундирующие на поверхность и образующие моноатомную пленку сложного состава . Использование сложных гексаборидов указанных выше составов обеспечивает как оптимальную скорость взаимодействи матрицы с активным веществом и, следовательно , поступление атомов ЩЗМ и РЗМ на поверхность , так и оптимальный состав и струк туру пленки атомов на. поверхности, ответственной за высокие термо- и вторично-эмиссионные параметры материалов. Предлагаемый материал изготавливают следующим образом. Порошки бора, окисла РЗМ и карбоната ЩЗМ перемещйвают дл равномерности распределени , затем прессуют в штабики при давлении 0,45-0,5 т/см2. Содержание окиси ЩЗМ в смесь вводитс с 10-12 /о избытком . Щтабики подвергают термической обработке при 1900°С в течение 1 ч в вакууме не ниже 1 10 мм рт. ст., в результате которой образуютс твердые растворы гексаборидов ЩЗМ в гексаборидах РЗМ. Гексаборид измельчают в порошок, используемый при изготовлении эмиттеров. Эмиттеры изготавливают обычными методами порошковой металлургии из шихты, представл ющей смесь.рени и сложного гексаборида . Эмиттеры из предложенного материала стабильно работают в течение не менее 2000 ч. Формула изобретени Материал термоэлектронного эмиттера на основе тугоплавкого металла, например, рени , содержащий в виде активного вещества гексаборид редкоземельного металла группы лантана, отличающийс тем, что, с целью повышени уровн термо- и вторичной эмиссии, гексаборид редкоземельного металла введен в виде твердого раствора с гексаборидом щелочноземельного металла в соотношении от 0,9:0,1 до 0,6:0,4 при общем содержании сложного гексаборида 0,5- 4 вес. %. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 611260, кл. Н 01 J 1/14, 1975.
- 2.Кудинцева Г. А. и др. Электронна техника, сери Электроника СВЧ, 1,67, № 11, с. 73 «Эмиссионные свойства сложных эмиттеров на основе гексаборида лантана (прототип ).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782630382A SU734829A1 (ru) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | Материал термоэлектронного эмиттера |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782630382A SU734829A1 (ru) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | Материал термоэлектронного эмиттера |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU734829A1 true SU734829A1 (ru) | 1980-05-15 |
Family
ID=20770870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782630382A SU734829A1 (ru) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | Материал термоэлектронного эмиттера |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU734829A1 (ru) |
-
1978
- 1978-05-19 SU SU782630382A patent/SU734829A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0179513B1 (en) | Method of manufacturing a scandate dispenser cathode and dispenser cathode manufactured by means of the method | |
JPS58154131A (ja) | 含浸形陰極 | |
US4083811A (en) | Lanthanated thermionic cathodes | |
SU734829A1 (ru) | Материал термоэлектронного эмиттера | |
US3458749A (en) | Dispenser cathode made of tungsten powder having a grain size of less than three microns | |
US1552310A (en) | Electrode for discharge tubes | |
KR100811719B1 (ko) | 음극선관 및 산화물 음극 | |
US3269804A (en) | Dispenser cathode and method for the production thereof | |
JPH0765694A (ja) | 電子管用の陰極 | |
US2185410A (en) | Metal compositions | |
US4236287A (en) | Method of making a ruggedized high current density cathode | |
KR100776699B1 (ko) | 산화물 캐소드 및 도핑된 산화물 캐소드를 포함하는 음극선관 | |
US2769708A (en) | Thermionic cathode and method of making the same | |
US2899299A (en) | Method of manufacturing sintered | |
US2917415A (en) | Method of making thermionic dispenser cathode and cathode made by said method | |
US20060076871A1 (en) | Vacuum tube with oxide cathode | |
US1948445A (en) | Electron emitting body and the process for its manufacture | |
JP3436609B2 (ja) | 放電管及びその製造法 | |
US2394095A (en) | Activated electrode | |
US2686886A (en) | Electric discharge tube | |
SU246684A1 (ru) | Катод металлического типа | |
KR950013863B1 (ko) | 전자관용음극 | |
SU575710A1 (ru) | Материал дл термоэлектронного катода | |
SU725115A1 (ru) | Материал дл вторичноэлектронных эмиттеров | |
KR820001401B1 (ko) | 열전자 방출음극 |