KR820001401B1 - 열전자 방출음극 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

열전자 방출음극

제1도는 종래의 텅스테이트 캐소우드의 예시도.

제2도는 본 발명의 1실시 예시도이다.

본 발명은 고전류 밀도에 견뎌낼 수 있고, 또 소형화가 가능한 텅스테이트 음극에 관한 것이다.

Ni 또는 Ni에 Mg등의 미량의 환원성활성제(還元性活性劑)를 첨가한 기체금속(基體金屬)상에, (Ba,Sr,Ca) 0 또는 (Br,Sr) 0로된 에미미터층을 형성한 산화물 음극이 종래 널리 일반 전자관에 사용되고 있었다. 이것은 산화물 음극이 열전자 방출효율이 좋고, 1,000°K∼1,150°K 정도의 낮은 동작온도에 있어서 적당한 온도의 전자방출이 얻어지는 점 및 그 기체금속은 기계가공이 용이하므로 소형화가 가능한 것 등에 의한 것이다.

종래에는 음극선관 예컨데, 텔리비젼 수상관에도 일반적으로 산화물 음극이 사용되어 왔었다. 그러나 근년 음극선관에 대하여 고해상도화(高解像度化:high resolution)의 요구가 심해져 있기 때문에 종래보다 세밀하고 또한 전류값은 종래와 같은 또는 그 이상의 즉, 고전류 밀도의 전자비임이 필요로 되어왔다. 이 경향은 결국 음극선관의 음극에 대하여도 고전류 밀도에서 전자방출을 하는 것을 요구하게 되지만, 산화물 음극은 고전류 밀도의 전자방출에는 부적당하여 무리하게 고전류 밀도로 전자 방출시키려고 하면 과부하로 인해 음극이 파괴되어 버린다.

종래 고전류 밀도가 필요한 경우에 W음극, 1∼2중량%의 ThO₂를 첨가한 W로된 단원자층음극(單原子層陰極), MO기체에 (Ba,Sr) 0를 도포하여 다공성 W의 뚜껑을 덮은 L캐소우드 등이 사용되어 왔지만, 이것들은 모두 열전자 방출효율이 낮고, 1,400°K∼2,600°K의 고온에서 동작키지 않으면 고전류 밀도의 전자방출 특성을 발휘할 수 없다. 또 이들 음극은 고온동작에 견뎌내도록 W,MO등의 고융점 금속이 기체로 사용되고 있지만, 이들의 금속은 기체적 가공성이 나쁘고, 소형화가 곤란하기 때문에 고온 동작이 불가결한 특성과 함께 산화물 음극과의 호환성(互換性)이 없다. 따라서 상기의 각종 고전류밀도 음극은 음극선관에 채용하는 것은 대단히 곤란하다.

비교적 동작온도가 낮은 고전류밀도 음극으로써 종래로부터 텅스테이트 캐소우드가 검토되고 있다.

제1도는 종래의 텅스테이트의 예를 나타낸 도면이다.

상부에 캡모양凹부를 가진 원통상의 MO제(製) 기체금속(1)의 凹부에는 W분(紛)과 Ba₃WO₆분과 Zr분과의 혼합소결체(混合燒結體)로 된 에미터층(2)이 격납되어 히이터(3)에 의해 870°K∼1,370°K로 가열하여 사용한다. 동작온도의 점에서는 텅스테이트 캐소우드는 산화물 음극과 호환성이 있지만 MO제 기체금속(1)의 소형화가 곤란하여 결국 음극선관 예컨대, 텔리비젼 수상관에 채용하는 것은 곤란하다.

본 발명은 동작온도가 비교적 낮고, 가공이 용이한 기체금속을 사용하여 소형화가 가능하고, 음극선관등에 있어서 산화물 음극을 치환할 수 있는 고전류밀도의 열전자 방출음극을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 있어서는 종래의 텅스테이트 캐소우드가 가공이 곤란한 MO를 기체금속으로써 사용하고 있는데 대하여 프래스 판금가공이 가능한 10∼30중량%의 W를 Ni에 첨가한 합금을 기체금속으로써 채용하여 소형화를 가능하게 했다. 또 기체금속의 변경에 수반하는 텅스테이트 캐소우드에서는 MO제 기체금속에 캡모양 凹부를 설치하여 에미터층을 격납하고 있지만, 본 발명에서는 기체형상을 간단하게 하여 에미터층은 주변에 상승부를 갖지 않은 기체금속면에 부착시키는 것으로 했다.

사용조건이 까다로운 경우에는 기체금속면에 기체금속과 동일조성의 합금분(合金粉)을 고착시켜 분체층(粉體層)을 만들어 이 분체층을 개재하여 에미터층을 기체금속면에 견고하게 고착시키도록 했다. 또 사용조건이 까다로운, 기체금속의 약간의 변형도 허용되지 않는 경우에는 에미터층을 (W분이 아님) 기체금속과 동일조성의 합금분, Ba₃WO₆분 및 Zr분의 혼합체로 형성하는 것으로 했다.

제2도는 본 발명의 1실시예도이다.

제2도에 있어서, 11은 원통상 기체금속, 12는 에미터층, 13은 히이터, 14는 분체층을 나타낸다. 기체(11)는 Ni에 10∼30중량%의 W를 첨가한 Ni-W합금제로써 이 합금은 MO등 보다 훨씬 전연성(展延性)이 높고 프레스 작업에 의해 도시된 것과 같은 형상으로 가공할 수 있다. 그리고 W의 첨가량을 10중량% 이하로 하면 텅스테이트 캐소우드 사용시에 고온 강도 부족으로 되고, W를 30중량% 이상으로 하면 소기의 가공성이 얻어지지 않는다. 그리고 전자방출 특성에 관해서는 MO기체금속의 경우와의 차이는 인정되지 않는다. 에미터층(12)은 종래 공지의 텅스테이트 캐소우드의 경우와 같은 89∼90중량%의 W분, 7.5∼11중량%의 Ba₃Wo₆분, 0.5∼1.8중량%의 Zr분의 혼합 소결체이다.

대기중 보관시에 ZrH₂가 단체(單體)의 Zr보다 안정하여 산화하기 어렵다. 또 열처리시에 ZrH₂는 H₂를 방출하여 환원성 분위기로 하기 쉬운등의 이점이 있기 때문에 Zr분 대신 ZrH₂분을 사용하여도 좋다. 원통상 기체금속(11)에는 제1도에 나타낸 종래의 텅스테이트 음극의 MO제 기체금속(1)과 같은 캡모양의 凹부는 설치되 있지 않다. 이것은 본 발명에 사용하는 Ni-W합금이 가공하기 쉬운 이점을 살려 소형화했기 때문이다. 종래의 기체금속(1)과 같이 에미터층 주연에 상승부가 없어도 기체금속면을 조면(粗面)으로 하는 등을 배려하면 통상 에미터층은 기체면에 부착할 수 있다.

또 에미터층 중의 W분을 10∼30중량%의 W를 포함하는 Ni-W분으로 바꿔 놓으면 에미터와 기체의 접착력이 증가하여 에미터층은 보다 견고하게 기체면에 고착된다. 이때 전자방사 특성에 변화는 없다. 그러나 일층 확실하게 통상 에미터층(12)을 기체금속(11)에 고착시키고 싶은 경우에는 제2도에 나타낸 바와 같이 기체금속면에 기체금속의 합금과 동일조성의 입경(粒徑) 1∼10㎛의 합금분이 0.5∼5.0㎎／㎤의 밀도로 분포하여 고착한 분체층(14)을 형성시켜 에미터층(12)은 분체층(14)을 개재하여 기체금속(11)에 견고하게 고착시키면 좋다. 분체층(14)은 상기의 합금분을 기체금속면에 산포(散布)되어 있어서 진공중이나 수소중 등에서 1,000℃정도로 가열하면 매우 용이하게 형성할 수 있다. 에미터층과 기체금속사이에 개재하는 이 Ni-W합금 분체층의 열전자 방출특성에 미치는 영향은 거의 인정되지 않는다.

에미터층의 분말의 입경, Ni-W합금분말의 입경등에 의해 상기의 분체층의 에미터층의 박리방지에 효과를 발휘하는 분체분포 밀도가 변화한다. 일반적으로 합금분이 기체금속을 60∼80% 피복한 때 가장 효과가 인정됐다. 본 발명자의 실험과 연구에 의하면 그량은 0.5∼5.0㎎／㎤로써, 5.0㎎／㎤이상이 되면 효과가 감소하고, 물론 음극의 열용량이 증가하는만큼 불리하게 된다. 또 단지 에미터층의 박리방지만의 목적에는 분체층은 기체금속합금과 동일조성의 합금분에 의해 형성할 필요는 없으면 Ni분 W분이여도 좋다. 그러나 Ni분, W분을 사용하면 열음극으로써 동작중의 고온상태에서 기체금속간에 상호확산이 행해져 기체금속의 변형이 발생한다. 이 때문에 분체층(14)은 기체금속합금과 동조성의 합금분으로 형성시키지 않으면 않된다. 또 같은 이유로 종래 텅스테이트 캐소우드의 에미터층을 형성하는데 통상 사용되어 왔던 W분을 기체금속합금과 동 조성의 Ni-W합금분으로 치환하면 음극사용중의 기체금속의 변형은 현저하게 적어지고, 또한 그 효과는 음극이 소형으로 되면 그만큼 현저했었다. W분을 Ni-W합금분으로 치환한 경우 열전자 방출량에 변화는 없었고 Ni의 스퍼터도 문제가 되지 않은 정도였다.

이와 같이 하여 얻어진 본 발명 음극은 1,000°K에서 0.2A/㎠의 전자방출을 40,000시간, 1,050°K에서 0.5A/㎠의 전자방출을 46,000시간 유지할 수 있었다. 이 결과는 종래의 산화물 음극이 0.4A/㎠의 전자방출을 시키면서 동작시킨때 10,000시간후에 초기값의 60%로 열화하는데 비하여 대단히 우수했었다.

그리고 제1도에 나타낸 종래의 텅스테이트 캐소우드의 대비가 용이한 것처럼 제2도에는 본 발명에 관한 방열형 음극을 설명했지만, 본 발명의 적용은 단지 방열형 음극만에 한정되는 것이 아니고 기체금속에 전류를 흘려 발열시켜 소정의 온도로서 동작시킨다. 소위 직열형 음극에도 적용할 수 있다. W를 10∼30중량% 함유하는 Ni-W합금은 비교적 높은 비저항(非抵抗), 고온강도등을 가진 직열형 음극의 경우의 기체금속에 적합하다. 그리고 용도는 음극선관에 한정하지 않고 소형 고전류 밀도음극이 요구되는 경우에 널리 이용할 수 있는 것은 명확하다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 종래 산화물 음극이 사용되어 오던 소형이 필요한 용도에 산화물 음극을 치환하여 이용 가능한 고전류 밀도음극을 얻는 효과가 있다.

Claims (1)

1. Ni에 10∼30중량%의 W를 첨가한 합금으로된 기체금속(基體金屬)상에, 10∼30중량% W와, 잔여 Ni합금물과, Ba₃Wo₆분(粉)과 Zr분과의 혼합체로 된 에미터층을 형성한 것을 특징으로 하는 열전자 방출음극.

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