SU726212A1 - Устройство дл осаждени материалов из газовой фазы - Google Patents
Устройство дл осаждени материалов из газовой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- SU726212A1 SU726212A1 SU762385343A SU2385344A SU726212A1 SU 726212 A1 SU726212 A1 SU 726212A1 SU 762385343 A SU762385343 A SU 762385343A SU 2385344 A SU2385344 A SU 2385344A SU 726212 A1 SU726212 A1 SU 726212A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- substrates
- diameter
- substrate
- gas mixture
- deposition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ МАТРРИАЛОВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
I
Изобретение относитс к технике получени металлических и неорганических материалов путем химического осаждени из газовой фазы. Оно может быть использовано в металлургии, электронике, радиотехнике и электротехнике при создании конструкций с покрыти ми различного назначени и изготовлени изделий из труднообрабатываемых материалов.
При осаждении из газовой фа-зы металлсодержащие соединени взаимодействуют с другими компонентами газовой смеси на нагретой поверхности подложки и образуют слой металла, интерметаллического соединени , окисла, карбида, силицида, нитрида или других соединений. Дл осуществлени этого процесса газовую смесь заданного состава пропускают над поверхностью подложки , нагретой до температуры осаждени требуемого материала.
Известно устройство дл осаждени материалов из газовой фазы, состо щее из вертикально расположенной цилиндрической камеры, внутри которой размещены, обогреваемые нити (подложки), и съемных днищ, одно из которых (верхнее) имеет приспособление дл креплени подложек. Газова смесь вводитс в реакционную камеру через отверстие в боковой стенке перпендикул рно ос м подложек и выводитс через отверстие в нижнем днище 1.
Недостатком данного устройства вл етс неравномерное осаждение материала как по диаметру, так и по длине подложек. В частности, разнотолщинность осадки , получаемого на трубчатой подложке диаметром 20-22 мм, достигает по диаметру 80%, а по длине увеличиваетс на 20-30% на каждые 100 мм.
Наиболее близким к предложенному вл етс устройство дл осаждени материалов из газовой фазы, рабочий объем которого ограничен цилиндрическим корпусом и двум съемными днищами, снабженными приспособлени ми дл вертикального закреплени съемных обогреваемых подложек , а также смесител ми с каналами дл подачи и вывода газовой смеси, расположенными концентрически относительно подложки 2.
Claims (2)
- В этом устройстве газова смесь движетс в направлении оси подложки, обеспечивает равномерное осаждение материала как rro диаметру, так и по длине издели при высокой эффективности процесса. Недостаток данного устройства заключаетс в том, предназначено дл получени одного издели . При массовом производстве изделий необходимо большое количество установок, одновременное обслуживание которых создает определеииые трудности. Кроме того, возрастает объем капитальных затрат. Увеличение количества подложек при том же конструктивном выполнении устройства сопровождаетс значительным ухудшением равномерности осаждаемого сло . В частности, неравномерность осаждени по диаметру при использовании трубчаты-х подложек диаметром 20 мм достигает 60--ЮО. Цель изобретени - повышение равномерности осаждени материалов при одновременной обработке нескольких подложек. Поставленна цель достигаетс тем, что ОСИ смежных подложек расположены на рассто нии 2-4 их диаметров, а смесители снабжены перфорированными перегородками , суммарное проходное сечение которых в каждой последующей, в направлении рабо .чего объема, перегородке меньше, чем в предыдущей. Каналы дл подачи и вывода газовой смесирасположены по окружности диаметром , составл ющим 1,6-3,0 диаметра подложки, а отверсти в смежных перегородках взаимно смещены по углу и/кли диаметру. Предложенное устройство в двух вариантах выполнени представлено на фиг. 1 и 2. Устройство состоит из вертикально расположенного цилиндрического корпуса 1 и двух съемных днищ 2, снабженных приспособлени ми 3 дл вертикального закреплени нескольких съемных обогреваемых .подложек 4, причем последние равномерно расположены па сечению рабочего объема таким образом, чтобы рассто ние между ос ми смежных подложек было равным 2-4 их диаметрам. Например, при наличии 3-6 подложек (фиг. 1), их равномерно распола- rarottio .окружности диаметром 0,5Ь-0,65 диаметра корпуса, равного 5-12 диаметрам подложки; при размещении одной подложки по оси корпуса остальные располагаютс по шестиугольной решетке с шагом S, равным 2-4 диаметрам подложки при общем количестве подложек 1 +Д 6п, где п 1--г5 (предпочтительно) -- число р дов подложек ,Концентрически расположенных относительно центральной подложки: Диаметр корпуса в этом случае выбираетс равным (0,,1) 5(1-f2n). В днищах также предусмотрены объемы 5 дл смещени компонентов газовой смеси и перфорированные перегородки 6. Каналы 7 дл ввода газовой смеси в рабочий объем И вывода продуктов реакции из него распо ложены концентриг|ески относительно оси каждой Подложки равномерно по окружности диаметром равным 1,6-3,0 диаметра подложки. Отверсти 8 в смежных перегородках взаимно смещены по углу и/или диаметру . При этом суммарное проходное сечение отверстий в перегородках и каналов уменьшаетс в направлении рабочего объема. Устройство работает следующим образом. В приспособлени х 3 закрепл ют необходимое количество подложек 4. Через одно из днищ 2 напускают инертный газ. В среде инертного газа или водорода нагревают подложки до температуры осаждени с помощью нагревателей, расположенных -внутри подложек (не показаны), или пр мым пропусканием электрического тока. После этого через верхнее днище в рабочий объем устройства подают газовую смесь заданного состава , а продукты реакции вывод т через нижнее днище. По истечении определенного времени (обычно 50-80°/о общей продолжительности процесса)направление движени газовой смеси измен ют на обратное, т. е. ввод т ее через нижнее днище и вывод т про-дукты реакции через верхнее. Равномерность покрыти может быть повышена за счет положительного градиента температуры подложки по длине, компенсирующего снижение скорости осаждени при обеднении газовой смеси по основным реагентаь. Предложенное устройство обеспечивает одновременное получение нескольких дес тков изделий (до 9 шт.) в едином технологическом цикле при высокой равномерности осаждени (неравномерность покрытий не превьнпает 10% при длине изделий 360 мм) и эффективном использовании исходных реагентов (50--70%), что позвол ет повысить произвбдительность труда, сэкономить используемые дорогосто щие материалы и улучшить качество получаемых, изделий. Формула изобретени 1.Устройство дл осаждени агериалов из газовой фазы, рабочий объем которого ограничен цилиндрическим корпусом и двум съемными днищами, снабженными приспособлени ми дл вертикального закреплени съемных обогреваемых подложек, а так.же смесител ми с каналами дл подачи и вывода газовой смеси, расположенными концентрически относительно подложки, огли 1ающеес тем, что, с целью повыщени равномерности осаждени материалов при одновременной обработке нескольких подложек , оси смежных подложек расположены на рассто нии 2-4 их диаметров, а смесители снабжены перфорированными перегородками , суммарное проходное сечение которых в каждой последующей, в направ-, лении рабочего объема, меньше, чем в предыдущей .
- 2.Устройство по п. 1, отличающеес тем, что каналы расположены по окружности диаметром 1,6-3,0 диаметра подложки.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762385343A SU726212A1 (ru) | 1976-07-09 | 1976-07-09 | Устройство дл осаждени материалов из газовой фазы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762385343A SU726212A1 (ru) | 1976-07-09 | 1976-07-09 | Устройство дл осаждени материалов из газовой фазы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU726212A1 true SU726212A1 (ru) | 1980-04-15 |
Family
ID=20670275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762385343A SU726212A1 (ru) | 1976-07-09 | 1976-07-09 | Устройство дл осаждени материалов из газовой фазы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU726212A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2717450C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-23 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
RU2717620C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-24 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
-
1976
- 1976-07-09 SU SU762385343A patent/SU726212A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2717450C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-23 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
RU2717620C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-24 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4062318A (en) | Apparatus for chemical vapor deposition | |
KR100513920B1 (ko) | 화학기상증착 반응기 | |
US6812157B1 (en) | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition | |
KR101044355B1 (ko) | 가스 헤드 및 박막제조장치 | |
US6835416B2 (en) | Apparatus for growing thin films | |
US6240875B1 (en) | Vertical oven with a boat for the uniform treatment of wafers | |
TWI392761B (zh) | 具設在平面上之前室的氣體分佈器 | |
US20060249077A1 (en) | Multiple inlet atomic layer deposition reactor | |
EP1226286A1 (en) | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition | |
KR20070103465A (ko) | 고온 화학 증기 증착 장치 | |
US8298337B2 (en) | Gas inlet element for a CVD reactor | |
KR102056705B1 (ko) | 대용량 cvd 장치 | |
SU726212A1 (ru) | Устройство дл осаждени материалов из газовой фазы | |
US20220270860A1 (en) | Spatially controlled plasma | |
KR910700360A (ko) | 화학적 증착 반응기 | |
KR100980397B1 (ko) | 유기금속가스의 농도분포조절이 가능한 화학기상증착반응기 | |
KR100944186B1 (ko) | 화학기상증착 반응기의 가스분사장치 | |
JPH06172093A (ja) | 半導体級多結晶シリコン製造反応炉 | |
KR101670494B1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
JPH0341722A (ja) | 薄膜製造装置 | |
SU992611A1 (ru) | Реакционный аппарат дл нанесени покрытий из газовой фазы | |
JPS63151355A (ja) | 化合物薄膜の製造装置 | |
JPS58167766A (ja) | 化学蒸着装置 | |
JP2534081Y2 (ja) | 人工ダイヤモンド析出装置 | |
JP2024031872A (ja) | 基板処理装置 |