SU722429A1 - Contact pair for microwelding integrated circuits - Google Patents

Contact pair for microwelding integrated circuits Download PDF

Info

Publication number
SU722429A1
SU722429A1 SU772489668A SU2489668A SU722429A1 SU 722429 A1 SU722429 A1 SU 722429A1 SU 772489668 A SU772489668 A SU 772489668A SU 2489668 A SU2489668 A SU 2489668A SU 722429 A1 SU722429 A1 SU 722429A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
contact
aluminum
gold
alloy
earth metal
Prior art date
Application number
SU772489668A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.М. Колешко
В.Ф. Белицкий
Original Assignee
Институт электроники АН БССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт электроники АН БССР filed Critical Институт электроники АН БССР
Priority to SU772489668A priority Critical patent/SU722429A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU722429A1 publication Critical patent/SU722429A1/en

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

1. КОНТАКТНАЯ ПАРА ДЛЯ МИКРОСВАРКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержаща  в качестве элементов проволочный вывод и контактную площадку, выполненные из сплава алюмини  или сплава золота, отличающа"  с  тем, что, с целью увеличени  механической прочности контакта и температуры его эксплуатации, по крайней мере один из элементов выполнен из сплава алюмини  и редкоземельного металла или золота и редкоземельного металла.2.Контактна  пара по п.1, о т - личающа с  тем, что проволочный вывод выполнен из сплава алюмини  и редкоземельного металла, а контактна  площадка выполнена из алюмини ,"3.Контактна  пара по п.1, о т - личающа  с  тем, что проволочный вывод выполнен из алюмини , а контактна  площадка - из сплава алюмини  и редкоземельного металла.4.Контактна  пара по п.1, о т - личающа с  тем, что проволочный вывод выполнен из сплава золота и редкоземельного металла, а контактна  площадка - из алюмини .5.Контактна  пара по п.1, о т - личающа с  тем, что прово- лочньш вывод выполнен из золота, а контактна  площадка - из сплава алюмини  и редкоземельного металла.6.Контактна  пара по п.1, о т - л и ч-а ю щ а   с   тем, что прово- лочньй вывод выполнен из алюмини , а контактна  площадка - из сплава золота и редкоземельного металла.7.Контактна  пара по п.1, о т - личающа с  тем, что проволочный вывод выполнен из сплава алюмини  и редкоземельного металла, а контактна  площадка - из золота.8.Контактна  пара по п.1, о т - личающа с  тем, что прово-- лочный вывод выполнен из золота, а контактна  площадка - из сплава золота и редкоземельного металла.9.Контактна  пара по п.1, о т - личающа с  тем, что проволочный вывод выполнен из сплава золота и редкоземельного металла, а контактна  площадка - из золота.?^^ISD гоN|^N5СО1. CONTACT VAPOR FOR MICROWELDING INTEGRAL SCHEMES, containing as elements a wire lead and a contact pad made of an aluminum alloy or gold alloy, characterized in that, in order to increase the mechanical strength of the contact and the temperature of its operation, at least one of the elements are made of an alloy of aluminum and a rare earth metal or gold and a rare earth metal. 2. The contact pair according to claim 1, about t is characterized in that the wire lead is made of an alloy of aluminum and a rare earth metal, and the contact the platform is made of aluminum, "3. The contact pair according to claim 1, about t is characterized in that the wire lead is made of aluminum, and the contact pad is made of an alloy of aluminum and rare earth metal. 4. The contact pair according to claim 1, t is characterized by the fact that the wire lead is made of an alloy of gold and rare earth metal, and the contact pad is made of aluminum .5. The contact pair according to claim 1, about t is characterized by the fact that the wire lead is made of gold, and the contact area is made of an alloy of aluminum and a rare-earth metal. 6. The contact pair according to claim 1, about t - l and h the fact that the wire output is made of aluminum, and the contact area is made of an alloy of gold and rare-earth metal. 7. The contact pair according to claim 1, about t is characterized by the fact that the wire output is made of an alloy of aluminum and rare-earth metal, and the contact pad is made of gold. The contact pair according to claim 1, about t is characterized by the fact that the wire terminal is made of gold, and the contact pad is made of an alloy of gold and rare earth metal. 9. The contact pair according to claim 1, t - characterized by the fact that the wire lead is made of an alloy of gold and rare earth metal , and the contact area is made of gold.? ^^ ISD goN | ^ N5CO

Description

В rtIn rt

:о1: o1

йа::1 . Изобретение относитс  к области изготовлени  интегральных схем (ИС) и полупроводниковых приборов и может быть использовано дл  улучшени  качества сварного контакта типа металл металл при микросварке и пайке. При сборке ИС и полупроводниковых приборов используютс , в основном, золота  и алюминиева  проволоки, которые при помощи микросварки соедин ютс  с металлизированной контактно площадкой из алюмини  или золота. Однако вследствие образовани  интерметаллических соединений, низкой адгезии металлической пленки к полупроводниковому кристаллу, а также несплошного сварного соединени  такие сварные соединени  обладают пониженным качеством и воспроизводимостью , ограниченным температурным интервалом безотказной работыит.д. Известна контактна  пара дл  микросварки ИС, содержаща  в качестве элементов проволочный вывод и контактную площадку, выполненные из сплава алюмини  или сплава золота. Однако известна  контактна  пара не обеспечивает достаточной механической прочности контакта и температуры эксплуатации. Цель изобретени  - увеличение механической прочности контакта и температуры его эксплуатации. Это достигаетс  тем, что в контактной паре дл  микросварки ИС по крайней мере один из элементов выполнен из сплава алюмини  и редкоземельного металла или золота и редкоземельного металла, причем проволочный вывод выполнен из сплава алюмини и редкоземельного металла, а контакт , на  площадка выполнена из алюмини . Проволочный вывод может быть выполнен из алюмини , при этом контакт на  площадка выполнена из сплава алю мини  и редкоземельного металла или из сплава золота и редкоземельного металла. Проволочный вывод может быть выполнен из золота, при этом контакт на  площадка выполнена из сплава алю мини  и редкоземельного металла или из сплава золота и редкоземельного металла. Проволочный вывод может быть выполнен из сплава алюмини  и редкоземельного металла, а контактна  пло щадка - из золота. Проволочный вывод можетбыть выполнен из сплава золота и редкоземельного металла, при этом онтактна  площадка выполнена люмини  или из золота. Контактна  площадка из пленки алюмини  и/или золота легируетс  примесью редкоземельного элемента (РЗЭ) известными методами. Проволока из алюмини  и/или золота также легируетс  примесью РЗЭ, т.е. волочение осуществл етс  уже легированной проволокой . Например, использование контактной пары алюминий - алюминий, легированной церием в количестве 0,2-3%, позвол ет значительно увеличить адгезию пленки к кристаллу кремни . При этом заметно увеличиваетс  сплошность пленки, микротвердость, устойчивость к коррозии. Это позвол ет использовать такие более прогрессивные методы соединени -, как ультразвукова  сварjKa , так как пленки, обладающие низкой адгезией к подложке, не поддаютс  качественной сварке. Проволока, изготовленна  из алюмини  с добавлением цери , обладает, увеличенным более чем в два pafea пределом прочности. Микро .сварка осутцествл етс  при меньших значени х времени воздействи  ультразвука . При использовании итри  (0,03-3%) в качестве легирующего компонента дл  алюмини  микротвердость последнего увеличиваетс  более чем в 3 par за. Использование в качестве легирующих компонентов дл  алюмини  и золота примесей РЗЭ от 10-6 до 2-3% позвол ет получить как пленки, так и проволоку с более равномерным зерном. Проволока из алюмини  или золота, содержаща  в качестве примесей РЗЭ, обладает увеличенной прочностью на разрыв (более чем в 2 раза относительно проволок того же диаметра, изготовленных из чистых металлов). Существенным  вл етс  и то, что примеси РЗЭ в контакте алюминий золото увеличивают температуру образовани  интерметаллических фаз, образу  сварное соединение с меньшим чисг лом пустот, увеличива  тем самым надежность контакта, что позвол ет пропускать через такие контакты ток повышенной плотности. Это обусловливаетс  тем, что примеси РЗЭ в контактной паре вступают во взаимодействие с примес ми газов, например кислорода (так как РЗЭ обладают большим сродством к кислороду), что влечет образование уплотненного поверхностного окисного сло , предотвращающего пленку и проволоку от загр знений, коррозии, электромиграции. Взаимодействие алюмини  и золота с РЗЭ происходит по эвтектическому типу аналогично системе Al-Si, однако температура образовани  эвтектики значительно выше. Так, например, дл  алюмини  с итрием, цехием, неодимом, лантаном, а также презеодимом температура эвтектики на выше, чем дл  .системы алюминий - кремний. Это позвол ет использовать предложенные контактные пары при повышенных температурах ,ya :: 1. The invention relates to the field of manufacturing integrated circuits (ICs) and semiconductor devices and can be used to improve the quality of a metal-to-metal weld contact during micro-welding and brazing. In assembling ICs and semiconductor devices, mainly gold and aluminum wires are used, which are connected to a metallized aluminum or gold contact pad using micro-welding. However, due to the formation of intermetallic joints, the low adhesion of the metal film to the semiconductor crystal, as well as the incomplete welded joint, such welded joints have a reduced quality and reproducibility, limited by the temperature range of trouble-free operation and so on. A known contact pair for micro-welding of ICs, which contains wire lead elements and a contact pad made of an aluminum alloy or a gold alloy as elements. However, the known contact pair does not provide sufficient mechanical strength of the contact and operation temperature. The purpose of the invention is to increase the mechanical strength of the contact and the temperature of its operation. This is achieved by the fact that in a contact pair for micro-welding of IC, at least one of the elements is made of an aluminum alloy and a rare earth metal or gold and a rare earth metal, the wire lead is made of an aluminum alloy and a rare earth metal, and the contact, on the platform, is made of aluminum. The wire lead can be made of aluminum, while the contact to the platform is made of an alloy of aluminum and a rare earth metal or of an alloy of gold and a rare earth metal. The wire lead can be made of gold, while the contact to the platform is made of an alloy of aluminum and a rare earth metal or of an alloy of gold and a rare earth metal. The wire lead can be made of an alloy of aluminum and rare earth metal, and the contact point can be made of gold. The wire lead can be made of an alloy of gold and rare earth metal, while the onact pad is made of lumini or gold. The contact area of the film of aluminum and / or gold is alloyed with an admixture of a rare earth element (REE) by known methods. Aluminum and / or gold wire is also alloyed with REE impurity, i.e. the drawing is carried out already by alloyed wire. For example, the use of an aluminum – aluminum contact pair doped with cerium in an amount of 0.2–3% makes it possible to significantly increase the adhesion of the film to a silicon crystal. This significantly increases the continuity of the film, microhardness, corrosion resistance. This allows the use of such more advanced bonding methods, such as ultrasonic welding, since films with low adhesion to the substrate are not amenable to high-quality welding. A wire made of aluminum with the addition of cerium has a tensile strength increased by more than two pafea. Micro-welding is weakened at smaller times of exposure to ultrasound. When using itri (0.03-3%) as an alloying component for aluminum, the microhardness of the latter increases by more than 3 par per. The use of REE impurities from 10–6 to 2–3% as alloying components for aluminum and gold makes it possible to obtain both films and wires with a more uniform grain. Aluminum or gold wire containing REE as impurities has an increased tensile strength (more than 2 times relative to wires of the same diameter made of pure metals). It is significant that the REE impurities in the contact aluminum gold increase the temperature of formation of intermetallic phases, forming a welded joint with a smaller number of voids, thereby increasing the reliability of the contact, which allows a higher density current to pass through such contacts. This is due to the fact that REE impurities in the contact pair interact with gas impurities, such as oxygen (since REEs have a high affinity for oxygen), which leads to the formation of a compacted surface oxide layer that prevents the film and wire from pollution, corrosion, electromigration . The interaction of aluminum and gold with REE occurs in a eutectic type, similar to the Al-Si system, however, the temperature of eutectic formation is much higher. So, for example, for aluminum with itrium, a workshop, neodymium, lanthanum, as well as preodimy, the temperature of the eutectic is higher than the length of the aluminum – silicon system. This allows the use of the proposed contact pairs at elevated temperatures,

При ультразвуковой микросварке алюминиевой проволоки диаметром 40 мкм, содержащей 0,27-3% цери , с легированными церием пленками алюмини  или золота прочностьсоединени  возрастает примерно в 2,5 раза, воспроизводимость качества увеличиваетс  в 2-2,5 раза, температура эксплуатации контакта возрастает до .When ultrasonic micro-welding of aluminum wire with a diameter of 40 µm containing 0.27-3% cerium with cerium-doped aluminum or gold films, the bonding strength increases about 2.5 times, the reproducibility of quality increases 2-2.5 times, the operating temperature of the contact increases to .

Примерно такими же характеристиками обладает микросварной контакт (металлическа  пленка - проволока) алюминий - алюминий, алюминий - золото , золото - золото, золото - алюминий , где в качестве РЗЭ ввод т примеси итри , лантана, неодима или празеодима в интервале концентраций 10-6-3%, Качество микросварного контакта резко улучшаетс , если готовый контакт легировать примесью РЗЭ.About the same characteristics has a micro-welded contact (metal film - wire) aluminum - aluminum, aluminum - gold, gold - gold, gold - aluminum, where impurities of itri, lanthanum, neodymium or praseodymium in the concentration range 10-6- are introduced as REE. 3%. The quality of the micro-welded contact improves dramatically if the finished contact is alloyed with REE impurities.

П р и м е р. На готовую микросварную контактную пару тонкий слой толщиной около 500 А цери  и проводили диффузию при . Сравнение качества этих контактов с микросварными контактами без легировани , но термо,9бработанными при 400С, показало увеличение качества готового контакта в 1,5-1,7 раза.PRI me R. On the finished micro-welded contact pair, a thin layer with a thickness of about 500 A is cerium and diffused at. Comparison of the quality of these contacts with micro-welded contacts without doping, but thermo, processed at 40 ° C, showed an increase in the quality of the finished contact by 1.5-1.7 times.

Таким образом, использование описанного контакта позвол ет улучшить свариваемость, повысить качество микросварки при изготовлении ИМ и полупроводниковых приборов. Контактна  пара может быть использована при изготовлении СВЧ-транзисторов, где к качеству контакта предъ вл ютс  особые требовани , св занные с увеличе|Нием плотности тока через контакт металл - металл.Thus, the use of the described contact allows to improve the weldability, improve the quality of micro-welding in the manufacture of MI and semiconductor devices. The contact pair can be used in the manufacture of microwave transistors, where the quality of the contact has special requirements associated with an increase in the current density through the metal-to-metal contact.

Claims (9)

1. КОНТАКТНАЯ ПАРА ДЛЯ МИКРОСВАРКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащая в качестве элементов проволочный вывод и контактную площадку, выполненные из сплава алюминия или сплава золота, отличающа'я ся тем, что, с целью увеличения механической прочности контакта и температуры его эксплуатации, по крайней мере один из элементов выполнен из сплава алюминия и редкоземельного металла или золота и редкоземельного металла.1. CONTACT PAIR FOR MICROWELDING OF INTEGRAL CIRCUITS, comprising as an element a wire terminal and a contact pad made of an aluminum alloy or a gold alloy, characterized in that, in order to increase the mechanical strength of the contact and its operating temperature, at least one of elements made of an alloy of aluminum and rare earth metal or gold and rare earth metal. 2. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что проволочный вывод выполнен из сплава алюминия и редкоземельного металла, а контактная площадка выполнена из алюминия .2. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of an alloy of aluminum and rare earth metal, and the contact area is made of aluminum. 3. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что прово лочный вывод выполнен из алюминия, а контактная площадка - из сплава алюминия и редкоземельного металла.3. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of aluminum, and the contact area is made of an alloy of aluminum and rare earth metal. 4. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что проволочный вывод выполнен из сплава золота и редкоземельного металла, а контактная площадка - из алюминия.4. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of an alloy of gold and rare earth metal, and the contact area is made of aluminum. 5. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что проволочный вывод выполнен из золота, а контактная площадка - из сплава алюминия и редкоземельного металла.5. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of gold, and the contact area is made of an alloy of aluminum and rare earth metal. 6. Контактная пара по п.1, отличающая с я тем, что проволочный вывод выполнен из алюминия, а контактная площадка - из сплава золота и редкоземельного металла.6. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of aluminum, and the contact pad is made of an alloy of gold and rare earth metal. 7. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что проволочный вывод выполнен из сплава алюминия и редкоземельного металла, а контактная площадка - из золота.7. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of an alloy of aluminum and rare earth metal, and the contact area is made of gold. 8. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что проволочный вывод выполнен из золота, а контактная площадка - из сплава золота и редкоземельного металла.8. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of gold, and the contact pad is an alloy of gold and rare earth metal. 9. Контактная пара по п.1, о т личающаяся тем, что проволочный вывод выполнен из сплава золота и редкоземельного металла, а контактная площадка - из золота.9. The contact pair according to claim 1, characterized in that the wire terminal is made of an alloy of gold and rare earth metal, and the contact area is made of gold.
SU772489668A 1977-03-23 1977-03-23 Contact pair for microwelding integrated circuits SU722429A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772489668A SU722429A1 (en) 1977-03-23 1977-03-23 Contact pair for microwelding integrated circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772489668A SU722429A1 (en) 1977-03-23 1977-03-23 Contact pair for microwelding integrated circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU722429A1 true SU722429A1 (en) 1986-12-07

Family

ID=20710501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772489668A SU722429A1 (en) 1977-03-23 1977-03-23 Contact pair for microwelding integrated circuits

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU722429A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006052158A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Bronya Tsoy Material for components of radio-electronic devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Интегральные схемы. Основы проектировани и технологии.. Пер . с англ, под ред. К.И.Марюшова.'М., "Сов.радио", 1970, с.53-54.Патент US № 3403308, кл. 317-234, 1968. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006052158A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Bronya Tsoy Material for components of radio-electronic devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0435009B1 (en) Semiconductor package connecting method and semiconductor package connecting wires
JP4479577B2 (en) Semiconductor device
US6444562B1 (en) Nickel alloy films for reduced intermetallic formation in solder
KR20180006928A (en) High reliability lead-free solder alloy for electronic applications in harsh environments
JPH071178A (en) Three component solder
US6727587B2 (en) Connection device and method for producing the same
CN102017107B (en) Joint structure and electronic component
JP4635715B2 (en) Solder alloy and semiconductor device using the same
JP2001246493A (en) Soldering material, device or apparatus using same and its producing method
SU722429A1 (en) Contact pair for microwelding integrated circuits
JP2004114093A (en) High temperature brazing filler metal
US4504849A (en) Semiconductor devices and a solder for use in such devices
JP4147875B2 (en) Brazing material, method of assembling semiconductor device using the same, and semiconductor device
JP2701419B2 (en) Gold alloy fine wire for semiconductor element and bonding method thereof
JP2731277B2 (en) Die bonding solder
JPH0650748B2 (en) Wafer backside metallization method
KR20220113362A (en) Copper/ceramic bonded body, and insulated circuit board
JP2962351B2 (en) Bonding structure to semiconductor chip and semiconductor device using the same
JP3673366B2 (en) Semiconductor element
KR0146356B1 (en) Brazing material for forming a bond between a semiconductor wafer and a metal contact
JP2005177842A (en) Brazing material, manufacturing method of semiconductor device using the same and semiconductor device
JP2620697B2 (en) Semiconductor device
JP3437687B2 (en) Semiconductor element mounting structure and liquid crystal display device
JP2834593B2 (en) Lead frame material for bare bonding
JP3147601B2 (en) Pb alloy solder for semiconductor device assembly with excellent high temperature strength