SU720366A1 - Device for monitoring power of shf emission - Google Patents

Device for monitoring power of shf emission Download PDF

Info

Publication number
SU720366A1
SU720366A1 SU772467480A SU2467480A SU720366A1 SU 720366 A1 SU720366 A1 SU 720366A1 SU 772467480 A SU772467480 A SU 772467480A SU 2467480 A SU2467480 A SU 2467480A SU 720366 A1 SU720366 A1 SU 720366A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
amplifier
input
microwave radiation
meter
shf
Prior art date
Application number
SU772467480A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Татьяна Георгиевна Иванова
Владимир Федорович Конурин
Юрий Викторович Никандров
Георгий Михайлович Орлов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1824
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1824 filed Critical Предприятие П/Я А-1824
Priority to SU772467480A priority Critical patent/SU720366A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU720366A1 publication Critical patent/SU720366A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

II

Изобретение относитс  к технике измерений на сверхвысоких, частотах.This invention relates to a technique for measuring at ultrahigh frequencies.

Известно устройство дл  контрол  мощности сверхвысокочастотного излуче ни , содержащее датчик, подключенный к измерителю с усилителем на входе 1A device for monitoring the power of microwave radiation is known, comprising a sensor connected to an meter with an input amplifier 1.

Однако известное устройство не обеспечивает высокую точность измерений.However, the known device does not provide high accuracy measurements.

Цель изобретени  повьииение точности измерений.The purpose of the invention is the variation of measurement accuracy.

Дл  в устройстве дл  контрол  мощности сверхвысокочастотного излучени , содержащем датчик, подключенный к измерителю с усилителем на входе, датчик выполнен в виде размещенного в радиопрозрачном корпусе планарно-эпитаксиального транзистора, плоскости переходов которого ориентированы перпендикул рно относительно электрической составл ющей контролируемого сверхвысокочастотного излучени , планарно-эпитаксиальни .й транзистор включен по схеме усилител  с .общим эмиттером, его базаIn the device for monitoring the power of microwave radiation, which contains a sensor connected to an amplifier with an input, the sensor is designed as a planar-epitaxial transistor located in a radio transparent case, the transition planes of which are oriented perpendicular to the electric component of the controlled microwave radiation, and planar-epitaxial the transistor is connected according to the amplifier circuit with a common emitter, its base

включена в цепь обратной св зи, а коллектор к входу усилител  измерител .connected to the feedback circuit, and the collector to the input of the amplifier meter.

На чертеже приведена схема устройст ва .The drawing shows a device diagram.

Устройство дл  контрол  мощности сверхвысокочастотного излучени , содержит датчик, подключенный к измерителю 1 с усилителем 2 на входе, выполненный в виде размещенного в радиопрозрачном корпусе плана-рно-эпитаксиального транзистора 3, плоскости переходов которого ориентировань перпендикул рно относи- тельно электрической составл ющей контролируемого сверхвысокочастотного излуче1{и , при этом планарно-эпитаксиальный транзистор 3 включен по схеме усилител , с общим эмит-тером, его база включена в цепь обратной св зи, а коллектор к входу усилител  2 измерител  1.A device for monitoring the power of microwave radiation, contains a sensor connected to the meter 1 with the amplifier 2 at the input, made in the form of a plan-epitaxial transistor 3 placed in a radio transparent case, the transition plane of which is oriented perpendicularly relative to the electric component of the controlled microwave radiation 1 {and, while the planar-epitaxial transistor 3 is connected according to the amplifier circuit, with a common emitter, its base is connected to the feedback circuit, and the collector to the input amplifier row 2 1 meter.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

При действии электромагнитного СВЧ пол  на плоскости переходов транзистора 3 его основные носители зар да ориентиUnder the action of electromagnetic microwave field on the transition plane of the transistor 3, its main carriers of charge are

Claims (2)

Ф о р ( м у л а изобретенияF about r ( m at l of an invention 1. Устройство для контроля МОЩНОСТИ сверхвысокочастотного излучения, содер—1. Device for monitoring the power of microwave radiation, the content of 720366 4 жащее датчик, подключенный к измерителю с усилителем на входе, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности, датчик выполнен в виде720366 4 live sensor connected to a meter with an amplifier at the input, further, in order to increase the accuracy, the sensor is made in the form 5 размещенного в радиопрозрачном корпусе планарно-эпитаксиального транзистора, плоскости переходов которого ориентированы перпендикулярно относительно электрической составляющей контролируемого5 of a planar-epitaxial transistor located in a radio-transparent housing, the transition planes of which are oriented perpendicular to the electrical component of the monitored 10 сверхвысокочастотного излучения.10 microwave radiation. 2. Устройство по π. 1, о т л и чающее с я тем, что планарно-эпитаксиальный транзистор включен по схеме усилителя с общим эмиттером, его база 15 включена в цепь обратной связи, а коллектор - к входу усилителя измерителя.2. The device according to π. 1, the fact is that the planar epitaxial transistor is connected according to the amplifier with a common emitter circuit, its base 15 is included in the feedback circuit, and the collector is connected to the input of the meter amplifier.
SU772467480A 1977-03-25 1977-03-25 Device for monitoring power of shf emission SU720366A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772467480A SU720366A1 (en) 1977-03-25 1977-03-25 Device for monitoring power of shf emission

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772467480A SU720366A1 (en) 1977-03-25 1977-03-25 Device for monitoring power of shf emission

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU720366A1 true SU720366A1 (en) 1980-03-05

Family

ID=20701452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772467480A SU720366A1 (en) 1977-03-25 1977-03-25 Device for monitoring power of shf emission

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU720366A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2290751A1 (en) ELECTRONIC CURRENT TRANSFORMER WITH VARIABLE GAIN AND ACTIVE ELECTRICAL ENERGY MEASUREMENT DEVICE EQUIPPED WITH THIS TRANSFORMER
SE7613624L (en) SCREEN ELECTRODES
SU720366A1 (en) Device for monitoring power of shf emission
ES342568A1 (en) Device of detection and measurement of very small displacements. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
SU813284A1 (en) Shf selective pickup
SU637688A1 (en) Magnetic field measuring device
SU425123A1 (en) DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER
KEY IMPATT diode amplifier(Microwave amplifier circuit for testing avalanche diode)[M. S. Thesis]
AT356946B (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR AN ELECTROCHEMICAL MEASURING DEVICE
US3360725A (en) Semiconductor microwave power detector employing the bulk thermoelectric effect
SU505957A1 (en) Moisture measuring device
SU136799A1 (en) Method for measuring pulsed transmitted microwave power using semiconductor
SU528541A1 (en) Time Meter
SU542331A1 (en) Amplitude limiter
US3375442A (en) Paramagnetic microwave power detector wherein interacting electric and magnetic fields exist in a single plane
SU873164A1 (en) P-n transition m-factor and saturation currentmeter
SU520547A1 (en) Device for measuring the power of microwave oscillations
SU597978A1 (en) Arrangement for measuring microwave power
Pavlenko et al. Highly sensitive radio-frequency mass spectrometer for studying the ion and neutral composition of the upper atmosphere(RF mass spectrometer with small dimensions and power requirements and high sensitivity designed for analysis of upper atmosphere ion and neutral composition)
SU629524A1 (en) Threshold arrangement
SU1483409A1 (en) Method of diagnosing two-dimensional conductivity in semiconductor materials
DD139169A1 (en) MICROWAVE CIRCUIT FOR EPR SPECTROMETERS HIGH SENSITIVITY WITH LARGE PERFORMANCE
SU498515A1 (en) Temperature measuring device
SU553551A1 (en) UHF floor voltage sensor
SU138282A1 (en) The method of measuring the transmitted high-frequency power and the device for its implementation