Изобретение относитс к измерению параметров полупроводниковых приборов и предназначено дл измерени т-факто ра и тока насыщени р-п-переходой. Известно устройство дл измерени тока насыщени р-п-переходов, содержащее источники тока, амперметры и вольтметр ij. Недостатком этого устройства также вл етс больша погрешность измерений , обусловленна вли нием температуры окружающей среды. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому вл етс измеритель т-фактора и тока насыщени р-п-переходов, содержащий амперметр, операционный усилитель, цепь обратной св зи которого содержит клеммы дл последовательного включени испытуеигого прибора, причем, инвертирующий вход усилител соединен с источником тока, второй вывод которого соединен с неинвертирующим входом усилител ру Недостатком данного устройства вл етс высока погрешность измерений , обусловленна вли нием температуры окружающей среды, вследствие чего данное устройство может быть использовано только совместно с термостатированной камерой. Цель изобретени - уменьшение погрешности измерений, обусловленной вли нием температуры окружающей среды на результат измерений. Указанна цель достигаетс тем, что в устройство, содержащее амперметр , операционный усилитель, цепь обратной св зи которого содержит клеммл дл последовательного включени испытуемого прибора, инвертирующий вход усилител соединен с источником тока, второй вывод которого соединен с неинвертирующим входом усилител , введен транзистор, эмиттер которого соединен с выходом операционного усилител , база - с его неинвертирующим входом, а коллектор соединен с амперметром, второй вывод которого соединен с базой транзистора . Введение в устройство транзистора позвол ет снизить погрешность измерений , обусловленную вли нием температуры окружающей среды за счет взаимной компенсации температурных зависимостей тока насыщени и теплового потенциала р-п-переходов измер емого прибора и транзистора.The invention relates to the measurement of the parameters of semiconductor devices and is intended to measure t-factor and saturation current by pn-junction. A device for measuring the saturation current of pn junctions is known, which contains current sources, ammeters and a voltmeter ij. A disadvantage of this device is also a large measurement error due to the influence of the ambient temperature. The closest technical solution to the proposed is a t-factor and saturation current of pn-junctions, containing an ammeter, an operational amplifier, the feedback circuit of which contains terminals for sequentially switching on the test instrument, and the inverting input of the amplifier is connected to a current source, The second pin of which is connected to the non-inverting input of the amplifier. The disadvantage of this device is the high measurement error due to the influence of the ambient temperature due to of the device can be used only in conjunction with a thermostatic chamber. The purpose of the invention is to reduce measurement errors due to the influence of the ambient temperature on the measurement result. This goal is achieved in that a device containing an ammeter, an operational amplifier, the feedback circuit of which contains a terminal for sequentially switching on the device under test, the inverting input of the amplifier is connected to a current source, the second terminal of which is connected to the non-inverting input of the amplifier connected to the output of the operational amplifier, the base to its non-inverting input, and the collector connected to the ammeter, the second terminal of which is connected to the base of the transistor. The introduction of a transistor into the device allows one to reduce the measurement error due to the influence of the ambient temperature due to the mutual compensation of the temperature dependences of the saturation current and the thermal potential of the pn-junctions of the measuring device and the transistor.