SU425123A1 - DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER - Google Patents

DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER

Info

Publication number
SU425123A1
SU425123A1 SU1800102A SU1800102A SU425123A1 SU 425123 A1 SU425123 A1 SU 425123A1 SU 1800102 A SU1800102 A SU 1800102A SU 1800102 A SU1800102 A SU 1800102A SU 425123 A1 SU425123 A1 SU 425123A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
power
waveguide
microwave
measuring
semiconductor
Prior art date
Application number
SU1800102A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
В. А. Завистанавичюте , К. К. Репшас Институт физики полупроводников Литовской ССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В. А. Завистанавичюте , К. К. Репшас Институт физики полупроводников Литовской ССР filed Critical В. А. Завистанавичюте , К. К. Репшас Институт физики полупроводников Литовской ССР
Priority to SU1800102A priority Critical patent/SU425123A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU425123A1 publication Critical patent/SU425123A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к области применени  полупроводников в измерительной технике СВЧ.This invention relates to the field of application of semiconductors in microwave measurement technology.

Известно устройство дл  измерени  СВЧмощности , состо щее из полупроводникового датчика в виде пр моугольной пластинки, к концам которой прикреплены проводники, отрезка пр моугольного волновода и посто нного магнита, причем полупроводникова  пластинка помещена в отрезках волновода таким образом, чтобы ее плоскость была перпендикул рна направлению магнитного СВЧ-пол , а съемочные провода выведены через отверсти  в центрах широких стенок волновода. Отрезок волновода с полупроводниковой пластинкой помещен между полюсами посто нного магнита так, чтобы направление магнитного пол  посто нного магнита было параллельно направлению магнитного СВЧ-пол  в волноводе. Измерение СВЧ-мощности проводитс  путем измерени  э.д.с., возникающей на съемочных контактах при одновременном воздействии на полупроводник СВЧ-пол  и магнитного пол  посто нного магнита.A device for measuring microwave power is known, consisting of a semiconductor sensor in the form of a rectangular plate, to the ends of which conductors are attached, a segment of a rectangular waveguide and a permanent magnet, the semiconductor plate being placed in the waveguide segments so that its plane is perpendicular to the magnetic direction. Microwave floor, and the shooting wires are bred through the holes in the centers of the wide walls of the waveguide. A segment of the waveguide with a semiconductor plate is placed between the poles of the permanent magnet so that the direction of the magnetic field of the constant magnet is parallel to the direction of the magnetic microwave field in the waveguide. The measurement of microwave power is carried out by measuring the emf produced at the shooting contacts while simultaneously exposing the semiconductor to the microwave field and the magnetic field of the permanent magnet.

Однако в известном устройстве возникает паразитна  контактна  э.д.о., так как съемочные контакты наход тс  в области максимального значени  напр женности электрического СВЧ-пол . Кроме того, так как измер ема  э.д.с. возникает в направлении напр женности электрического СВЧ-пол , то при уровн х мощности, когда электропроводность полупроводника начинает зависеть от напр женности электрического пол , в том же направлении , что и полезный сигнал, будет про вл тьс  так называема  «гармоэдс из-за параметрического детектировани  высших гармоник, которые в СВЧ-трактах в обычных услови х всегда имеютс . Эта э.д.с. в определенных услови х может даже превосходить полезный сигнал.However, in the known device, a parasitic contact emf occurs, since the shooting contacts are located in the region of the maximum value of the electric microwave field strength. In addition, since the measured emf. arises in the direction of the intensity of the electric microwave field, then at power levels, when the electrical conductivity of the semiconductor begins to depend on the intensity of the electric field, in the same direction as the useful signal, so-called "harmonic emf will appear higher harmonics that always exist in the microwave paths under normal conditions. This emf under certain conditions it may even exceed the useful signal.

Все это существенным образом снижает тончость измерений. Целью изобретени   вл етс  повышениеAll this significantly reduces the fineness of the measurements. The aim of the invention is to increase

точности измерени .measurement accuracy.

Дл  этого полупроводниковый датчик нитеобразной формы со съемочными проводами па концах расположен параллельно широким стенкам волновода, а съемочные провода выведены через отверсти  в узких стенках волновода , причем посто нный магнит установлен на широких стенках пр моугольного волновода . На чертеже приведена схема устройства.For this purpose, a filament-shaped semiconductor sensor with filming wires at the ends is located parallel to the wide walls of the waveguide, and the filming wires are led out through holes in the narrow walls of the waveguide, with a permanent magnet mounted on the wide walls of the rectangular waveguide. The drawing shows a diagram of the device.

Устройство дл  измерени  СВЧ-мощности содержит пр моугольный волновод 1, магнит 2, полупроводниковый датчик нитеобразной формы 3 со съемочными проводами 4 на концах и индикатор 5.A device for measuring microwave power comprises a rectangular waveguide 1, a magnet 2, a semiconductor sensor of a thread-shaped form 3 with filming wires 4 at the ends and an indicator 5.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

SU1800102A 1972-06-23 1972-06-23 DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER SU425123A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1800102A SU425123A1 (en) 1972-06-23 1972-06-23 DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1800102A SU425123A1 (en) 1972-06-23 1972-06-23 DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU425123A1 true SU425123A1 (en) 1974-04-25

Family

ID=20518813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1800102A SU425123A1 (en) 1972-06-23 1972-06-23 DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU425123A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60002319D1 (en) ELECTRIC CURRENT SENSOR
AR205061A1 (en) ELECTRICAL CIRCUIT BREAKER WITH PASSIVE SOLID STATE DEVICE OVERLOAD CURRENT SENSOR
ES523793A0 (en) IMPROVEMENTS IN A MEASUREMENT VALUE SENSOR.
SU425123A1 (en) DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER
FR2274926A1 (en) CIRCUIT FOR MEASURING THE EFFECTIVE VALUE OF AN ELECTRICAL SIGNAL
US2914712A (en) Electric instrument
SU720366A1 (en) Device for monitoring power of shf emission
SU370551A1 (en) DEVICE FOR MEASURING THE INSULATION RESISTANCE
SU1083122A1 (en) Device for measuring uhf-power
SU252462A1 (en) MEASURING ELEMENT OF CONSTANT TOJKA ^^^^^ «OTEKA |
BE748571A (en) MAGNETIC FIELD OR CURRENT MEASUREMENT BY FARADAY EFFECT
SU505957A1 (en) Moisture measuring device
SU637688A1 (en) Magnetic field measuring device
SU480018A1 (en) Electromagnetic speed sensor electrically conductive medium
SU479036A1 (en) Magnetoelectric measuring mechanism
SU381043A1 (en) DEVICE FOR MEASUREMENT OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF DIELECTRICS
SU670823A1 (en) Device for contact-free measuring of vibration
SU1525595A1 (en) Contactless converter of strong d.c.
SU381036A1 (en) DEVICE FOR MEASURING PASSING POWER
SU93593A1 (en) Magnetoelectric Dynamometer
ES342568A1 (en) Device of detection and measurement of very small displacements. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
RU150123U1 (en) DEVICE FOR MEASURING CURRENTS ON THE SURFACE OF FILM METAL-ELECTRIC STRUCTURE UNDER THE INFLUENCE OF POWERFUL ELECTROMAGNETIC FIELDS
SU138282A1 (en) The method of measuring the transmitted high-frequency power and the device for its implementation
SU672573A1 (en) Arrangement for measuring electric signal constant component
SU119259A1 (en) Device for measuring direct currents