SU381036A1 - DEVICE FOR MEASURING PASSING POWER - Google Patents
DEVICE FOR MEASURING PASSING POWERInfo
- Publication number
- SU381036A1 SU381036A1 SU1676163A SU1676163A SU381036A1 SU 381036 A1 SU381036 A1 SU 381036A1 SU 1676163 A SU1676163 A SU 1676163A SU 1676163 A SU1676163 A SU 1676163A SU 381036 A1 SU381036 A1 SU 381036A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- coaxial
- passing power
- measuring
- semiconductor
- power
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к измерительной технике СВЧ, и может использоватьс при измерени х проход щей мощности в коаксиальных трактах.The invention relates to microwave measurement technology, and can be used in measurements of transmitted power in coaxial paths.
Известно устройство, в котором полупроводникова пластина-магниторезистор помещена в середину пр моугольного волновода. На магниторезистор действуют электрическа составл юща электромагнитного пол (создающа ток в магниторезисторе), магнитна составл юща пол и посто нное магнитное иоле.A device is known in which a semiconductor magnetoresistor plate is placed in the middle of a rectangular waveguide. The magnetoresistor is affected by an electrical component of the electromagnetic field (creating a current in the magnetoresistor), a magnetic component of the field, and a permanent magnetic field.
Недостаток известной конструкции состоит в том, что магниторезистор вносит существенное искажение в режим работы канализирующего тракта, не позвол ет измер ть значительные уровни мощности, а также указанный принцип не может быть распространен на коаксиальную конструкцию измерител мощности.A disadvantage of the known construction is that the magnetoresistor introduces a significant distortion in the channeling mode of operation, does not allow to measure significant power levels, and this principle cannot be extended to the coaxial design of the power meter.
Целью изобретени вл етс разработка проходного коаксиального магниторезистивного измерител больших уровней мощности, внос щего минимальные искажени в режим работы канализирующего тракта.The aim of the invention is to develop a pass-through coaxial magnetoresistive meter of high power levels that introduces minimal distortion in the channeling path operation mode.
Эта цель достигаетс тем, что соединенные последовательно пластины полупроводникового датчика расположены внутри коаксиала по периметру его внешнего проводника и изолированы от него тонкой диэлектрической пленкой.This goal is achieved by the fact that the plates of a semiconductor sensor connected in series are located inside the coaxial along the perimeter of its outer conductor and are insulated from it by a thin dielectric film.
Устройство дл измерени проход щей мощности представлено на чертеже.A device for measuring the transmitted power is shown in the drawing.
Устройство состоит из коаксиального тракта (/ - нарулсный проводник коаксиала, 2 -The device consists of a coaxial tract (/ - coax axial conductor, 2 -
внутренний проводник коаксиала), токопровод щих медных пластин 3, набора полупроводниковых пластин (магниторезисторов) 4, изолирующей диэлектрической пленки 5, контактных выводов 6.inner conductor of coaxial), conductive copper plates 3, a set of semiconductor plates (magneto-resistors) 4, an insulating dielectric film 5, contact leads 6.
При распространении в коаксиальной линии энергии сверхвысоких частот в ней устанавливаетс иоле. Последовательно соединенные друг с другом с помощью медных пластин 3 образцы полупроводника 4 измен ют свое сопротивление току внешнего источника, подключенного через контактные выводы в зависимости от величины магнитной компоненты пол распростран ющейс волны. Диэлектрическа пленка 5 служит дл изол ции цепи посто нного тока источника от поверхности внешнего проводника коаксиала. Измер сопротивление цепочки полупроводниковых пластин, можно определить величину СВЧмощности , распростран ющейс в коаксиале.When the ultra-high frequency energy is distributed in the coaxial line, it is established in the field. The semiconductor 4 samples, successively connected to each other using copper plates 3, change their resistance to the current of an external source connected via the contact leads depending on the magnitude of the magnetic field component of the propagating wave. The dielectric film 5 serves to isolate the direct current circuit of the source from the surface of the outer conductor of the coaxial. By measuring the resistance of a chain of semiconductor wafers, it is possible to determine the magnitude of the microwave power propagating in the coaxial.
Предмет изобретени Subject invention
Устройство дл измерени проход щей мощности, содержащее индикатор, коаксиальную линию передачи, внутри которой расположен датчик из последовательно соединенных пластин полупроводника, отличающеес A device for measuring the transmission power, comprising an indicator, a coaxial transmission line, inside which is located a sensor of series-connected semiconductor plates, characterized by
teM, что, с целью уменьшени инерционности и вли ни датчика на режим работы СВЧтракта , цластины датчика располол ецы поteM, that, in order to reduce the inertia and the influence of the sensor on the operation mode of the microwave tract, the sensor plates are open
иериметру внешнего проводника коаксиала и изолированы от него тонкой диэлектрической пленкой.The external meter of the coaxial outer conductor is insulated with a thin dielectric film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1676163A SU381036A1 (en) | 1971-07-05 | 1971-07-05 | DEVICE FOR MEASURING PASSING POWER |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1676163A SU381036A1 (en) | 1971-07-05 | 1971-07-05 | DEVICE FOR MEASURING PASSING POWER |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU381036A1 true SU381036A1 (en) | 1973-05-15 |
Family
ID=20481205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1676163A SU381036A1 (en) | 1971-07-05 | 1971-07-05 | DEVICE FOR MEASURING PASSING POWER |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU381036A1 (en) |
-
1971
- 1971-07-05 SU SU1676163A patent/SU381036A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3777561A (en) | Faraday effect speedometer | |
US2859407A (en) | Method and device for measuring semiconductor parameters | |
US2496541A (en) | Bridge for measuring electromagnetic wave energy | |
US3417329A (en) | Toroidal conductivity measuring system | |
US2602828A (en) | Radio-frequency power measuring system | |
SU381036A1 (en) | DEVICE FOR MEASURING PASSING POWER | |
US2489092A (en) | High-frequency surface testing instrument | |
JPH06100629B2 (en) | Magnetic field measurement probe | |
US1565519A (en) | Apparatus for magnetic spring testing | |
GB966443A (en) | Improvements in multi-range hook-on electrical indicating instrument | |
US3218549A (en) | Impedance plotter for coaxial smith chart | |
SU995005A1 (en) | Microwave power measuring device | |
RU2247365C1 (en) | Device for measuring liquid media conductivity | |
US3229195A (en) | Apparatus for testing magnetic materials | |
US2989699A (en) | Multi-mode standing wave indicator | |
US3283265A (en) | Apparatus for detecting and appraising signals on cables | |
US3375442A (en) | Paramagnetic microwave power detector wherein interacting electric and magnetic fields exist in a single plane | |
US3411084A (en) | Microwave devices utilizing magnetoresistance effect | |
SU1109626A1 (en) | Device for electromagnetic checking of electroconductive materials and articles | |
SU425123A1 (en) | DEVICE FOR MEASURING UHF-POWER | |
SU487351A1 (en) | Measuring line | |
SU342144A1 (en) | METHOD OF MEASUREMENT OF AMPLITUDE OF MAGNETIC COMPONENT OF ELECTROMAGNETIC FIELD | |
SU480018A1 (en) | Electromagnetic speed sensor electrically conductive medium | |
SU879483A1 (en) | Device for measuring current in high-voltage circuits | |
SU494707A1 (en) | Method for measuring nonlinearity coefficient of semiconductor conductivity |