SU715609A1 - Solution for pickling crystalline quartz piezoelements - Google Patents
Solution for pickling crystalline quartz piezoelements Download PDFInfo
- Publication number
- SU715609A1 SU715609A1 SU782620167A SU2620167A SU715609A1 SU 715609 A1 SU715609 A1 SU 715609A1 SU 782620167 A SU782620167 A SU 782620167A SU 2620167 A SU2620167 A SU 2620167A SU 715609 A1 SU715609 A1 SU 715609A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- solution
- crystalline quartz
- piezoelements
- pickling
- hydrofluoric acid
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
(54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТОВ ИЗ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА(54) SOLUTION FOR Etching PIEZO ELEMENTS FROM A CRYSTALLINE QUARTZ
,,J. ./., ..: :, 3 ;715609,, J. ./., ..::, 3; 715609
Пример у, В In воды раствор ют 00 г бифторида аммони . К полученному аствору добавл ют 1,53 л 45% плавиковой ислоты, 2,3 мл хинолина и 1,3 г каптакса. ри этом получают следующее соотношениеsExample y, In In water dissolve 00 g of ammonium bifluoride. To the resulting solution, 1.53 liters of 45% hydrofluoric acid, 2.3 ml of quinoline and 1.3 g of captax are added. At that, the following relations are obtained
омпонентов, вес.%:Components, wt.%:
Плавикова кислота25Hydrofluoric acid25
Аммоний бифторид .25Ammonium bifluoride .25
ХинолинОДQuinolinOD
Каптакс0,0510Kaptaks0.0510
ВодаОстальноеWaterEverything
Скорость растворени кварца в з азанном растворе 0,15 мкм/мин, врем устойчивости мтадгослрйных покрытий в растворе 20 ч. Металлическое покрытие, сохранилось. Щели 15 протравились на ,150 мкм. Кра четкие. Пример 2. Ъ1л воды раствор ют 540 г бифторида аммони . К полученному раствору доливают 640 мл 45% плавиковой кислоты и 2,1 мл хинолина. После чего до- 20 бавл ют 1,2 г каптакса. При этом получаетс следующее соотношение компонентов, вес.%: Плавикова кислота15The rate of dissolution of quartz in this solution is 0.15 µm / min, the stability time of the mixed coatings in the solution is 20 h. The metallic coating is preserved. Gaps 15 were etched on, 150 microns. Kra clear. Example 2. 540 g of ammonium bifluoride is dissolved in water. 640 ml of 45% hydrofluoric acid and 2.1 ml of quinoline are added to the resulting solution. After that, 1.2 g of captax are added. This gives the following ratio of components, wt.%: Hydrofluoric acid 15
Аммоний бифторид23,3Ammonium bifluoride23,3
Хинолин 0,125Quinoline 0.125
Каптакс0,05 . .Kaptaks0.05. .
ВодаIОстальное.Water is the rest.
Скорость растворени кварца 0,067 мкм/мин, врем устойчивости более 22 ч. Меуаллическое покрытие сохранилось. Щели протрави- 30 лись на 100 мкм. Кра рисунка четкие.The dissolution rate of quartz is 0.067 µm / min, the stability time is more than 22 hours. The meuallic coating is preserved. The slits were treated with 100 μm. The edge of the picture is clear.
T asnewim подвергались кварцевые пластаны среза 2УВ/+5° размером 19,8x24x0,2 мм с нанесенным рисунком металлических электродов . Металлические покрыти толщиной 35 нихром 0,05 мкм/серебро 0,2 мкм. После нанесени электродов пластины покрывались гидрофобизующим веществом - фенилтрихлЬрсиланом и затем наносилась защитна маска из позитивного кислотостойкого фоторезиста в форме группы пьезоэлементов.T asnewim were exposed to quartz sheets of a 2UV / + 5 ° slice with a size of 19.8x24x0.2 mm with a printed pattern of metal electrodes. Metallic coatings with a thickness of 35 microns of 0.05 microns / silver 0.2 microns. After applying the electrodes, the plates were coated with a hydrophobic substance — phenyl trichlorosilane — and then a protective mask of a positive acid resistant photoresist was applied in the form of a group of piezoelements.
Предлагаемый состав раствора дл травлени пьезоэлементов из кристаллического кварца позвол ет одновременно получать целую (Серию пьезоэлементов, обеспечивает гладкую границу среза пьезоэлемента, не разрушает нанесенные на пьезоэлемеНт метал лические электроды. Защитна маска фоторезиста при использовании предлагаемого раствора сохран етс на поверхности кварца 20-22 ч, и подтравливание кварца при- этом не наблюдаетс . Готовые издели имеют заданные геометрические параметры с точностью до 2 мкм. Травление происходит при комнат ной температуре.The proposed composition of the etching solution of piezoelectric elements made of crystalline quartz allows you to simultaneously obtain a whole (series of piezoelectric elements, provides a smooth cut edge of the piezoelectric element, does not destroy the metallic electrodes deposited on the piezoelement. no quartz undercut is observed. Finished products have specified geometrical parameters with an accuracy of 2 µm. Etching occurs at room temperature temperature
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782620167A SU715609A1 (en) | 1978-05-26 | 1978-05-26 | Solution for pickling crystalline quartz piezoelements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782620167A SU715609A1 (en) | 1978-05-26 | 1978-05-26 | Solution for pickling crystalline quartz piezoelements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU715609A1 true SU715609A1 (en) | 1980-02-15 |
Family
ID=20766555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782620167A SU715609A1 (en) | 1978-05-26 | 1978-05-26 | Solution for pickling crystalline quartz piezoelements |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU715609A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5348617A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-20 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Selective etching process |
CN111992331A (en) * | 2020-09-01 | 2020-11-27 | 安徽南玻石英材料有限公司 | Continuous pickling production method and production equipment for quartz sand |
-
1978
- 1978-05-26 SU SU782620167A patent/SU715609A1/en active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5348617A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-20 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Selective etching process |
CN111992331A (en) * | 2020-09-01 | 2020-11-27 | 安徽南玻石英材料有限公司 | Continuous pickling production method and production equipment for quartz sand |
CN111992331B (en) * | 2020-09-01 | 2022-03-01 | 安徽南玻石英材料有限公司 | Continuous pickling production method and production equipment for quartz sand |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4554050A (en) | Etching of titanium | |
DE68912351T2 (en) | ETCH SOLUTION FOR METAL LAYER WITH PHOTO PAINT STRUCTURE. | |
CA1101765A (en) | Process for etching holes | |
SE441878B (en) | PLASMAETSNINGSFORFARANDE | |
SU715609A1 (en) | Solution for pickling crystalline quartz piezoelements | |
KR970703280A (en) | PROCESS FOR PREPARING PRECIPITATE OF METAL OXIDE | |
EP0022280A1 (en) | Process for the chemical etching of silicon substrates | |
BR8402693A (en) | PROCESS OF PREPARATION AND USE OF ELECTRODES | |
ES504762A0 (en) | A METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRODE FOR USE IN ELECTROLYTIC PROCEDURES | |
DE2635245C2 (en) | Process for the production of electrically conductive indium oxide patterns on an insulating carrier and their use | |
US5451426A (en) | Method for formation of barium titanate film | |
EP0168706B1 (en) | Process for forming titane structures with precise dimensions | |
JP2003253482A (en) | Method for removing titanium film and titanium oxide | |
JPS57196589A (en) | Manufacture of nonlinear element | |
JPH0311093B2 (en) | ||
JPS5923403B2 (en) | Method for manufacturing transparent conductive film | |
SU1511229A1 (en) | Etching composition | |
SU528631A1 (en) | A method of manufacturing multi-point autoelectronic emitters | |
JPH01147077A (en) | Etching solution | |
RU2016915C1 (en) | Liquid for etching of refractory metals | |
JPS61148871A (en) | Corrosion resisting comb shaped electrode | |
JPS5670966A (en) | Ink jet head and production thereof | |
JPS5730816A (en) | Liquid crystal electrode substrate | |
CH616708A5 (en) | Etching fluid for aluminium or aluminium alloys. | |
JPS5613731A (en) | Manufacture of semiconductor device |