Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан СссрfiledCriticalИнститут Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU752146878ApriorityCriticalpatent/SU710007A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU710007A1publicationCriticalpatent/SU710007A1/ru
Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like
(AREA)
Description
(54) СПОС:ОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Claims (1)
Формула изобретения
Способ измерения распределения носителей заряда в полупроводниках, включающий подачу на контакт металлполупроводник постоянного или медленно меняющегося обратного смещения и высокочастотного тока постоянной амплитуды и измерение выделяющегося на контакте напряжения первой гармоники высокочастотного тока, о т личающийс ятем, что, с целью повышения точности и локальности измерений за счет уменьшения влияния паразитных емкостей, образец закорачивают по частоте второй гармоники, измеряют ток второй гармоники, перемножают амплитуды тока, второй гармоники и напряжения первой гармоники и |ПО зависимости результата перемножения от амплитуды напряжения первой гармоники при различных величинах обратного смещения судят о распределении носителей заряда.
SU752146878A1975-06-101975-06-10Способ измерени распределени носителей зар да в полупроводниках
SU710007A1
(ru)
Конденсаторный способ измерени контактной разности потенциалов Осеп на Р.И. и Кочарова Э.А. и устройство Осеп на Р.И. и Кочарова Э.А. дл его осуществлени