SU693575A1 - Apparatus for separating and purifying substances - Google Patents
Apparatus for separating and purifying substances Download PDFInfo
- Publication number
- SU693575A1 SU693575A1 SU752145868A SU2145868A SU693575A1 SU 693575 A1 SU693575 A1 SU 693575A1 SU 752145868 A SU752145868 A SU 752145868A SU 2145868 A SU2145868 A SU 2145868A SU 693575 A1 SU693575 A1 SU 693575A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- container
- axis
- centrifuge
- substance
- substances
- Prior art date
Links
Landscapes
- Centrifugal Separators (AREA)
Abstract
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ -И ОЧИСТКИ ВЕШЕСТВ направленной кристаллизацией расплава, содержащее .герметичный трубчатый контейнер с очищаемым веществом, установленный с возможностью вращени вокруг оси, и нагреватель, отличающее- с тем, что, с целью повышени эффективности разделени и очистки веществ за счет уменьшени поверхности загр знени растущего кристалла, контейнер снабжен центрифугой, ось которой расположена на рассто нии от оси контейнера, равном или большем радиуса контейнера.A DIVISION DEVICE - AND CLEANING CLEANINGS directional solidification of the melt, containing a sealed tubular container with a substance to be cleaned, mounted for rotation around an axis, and a heater, characterized in that, in order to increase the efficiency of separation and purification of substances by reducing the surface load knowledge of a growing crystal, the container is provided with a centrifuge, the axis of which is located at a distance from the axis of the container equal to or greater than the radius of the container.
Description
а: ;о со :п елa:; about with: ate
..
Изобретение относитс к устройствам дл разделени и очистки веществThe invention relates to devices for the separation and purification of substances
Известна установка дл очистки веществ направленной кристаллизацией расплава. Это устройство имеет горизонтально установленный герметичный трубчатый контейнер, нагреватель и привод вращени контейнера вокруг горизонтальной оси 1. Такое устройство не позвол ет получить мате- риалы высокой степени чистоты, например , при кристаллизации полупроводниковых металлов, так как в процессе кристаллизации примеси оттесн ютс вглубь расплава конвенционными перемешивани ми (или механическими ) от фронта кристаллизации и примесь в основном концентрируетс вблизи растущего кристалла, образу так называемый диффузионный слой. Это приводит к загр знению получаемого материала.A known installation for the purification of substances by directional melt crystallization. This device has a horizontally installed hermetic tubular container, a heater, and a drive for rotating the container around the horizontal axis 1. Such a device does not allow obtaining materials of high purity, for example, during crystallization of semiconductor metals, since in the process of crystallization impurities are displaced mixing (or mechanical) from the crystallization front and the impurity is mainly concentrated near the growing crystal, forming the so-called diffusion layer. This results in contamination of the resulting material.
Цель изобретени - повышение эффективности разделени и очистки веществ за счет уменьшени поверхности загр знени растущего кристалла .The purpose of the invention is to increase the efficiency of separation and purification of substances by reducing the surface of the growing crystal contamination.
Поставленна цель достигаетс тем, что контейнер с очищаемым веществом снабжён центрифугой, ось которой расположена на рассто нии от оси контейнера, равном или большем радиуса .контейнера. Это позвол ет использовать центробежные силы , возникающие при вращении, под ) воздействием которых примеси удал ютс от фронта кристаллизации. Эффект удалени примеси из диффузионного сло тем больше, чем выше плотность удал емой примеси в случае, если фронт кристаллизации йеремещаётс от центра к периферии.The goal is achieved by the fact that the container with the substance to be cleaned is equipped with a centrifuge, the axis of which is located at a distance from the axis of the container equal to or greater than the radius of the container. This allows the use of centrifugal forces arising from rotation, under the action of which impurities are removed from the crystallization front. The effect of removing impurities from the diffusion layer is the greater, the higher the density of the removed impurities, if the crystallization front moves from the center to the periphery.
На фиг.1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 график распределени примеси в зависимости от скорости вращени центрифуги .Figure 1 schematically shows the proposed device; in fig. 2 is a plot of the impurity distribution versus the rotational speed of the centrifuge.
Устройство cocToliT ч из герметичного горизонтально установленного контейнера 1 с очищаемь м веществом, помещенного в центрифугу 2. Дл создани расплавленной зоны предназначен нагреватель 3 выполненный в виде печи , дл передвижени которой вдоль контейнера 1 предусмотрен механизм 4 передвижени и вращени .A cocToliT device from a sealed, horizontally mounted container 1 with a substance to be cleaned, placed in a centrifuge 2. To create a molten zone, a heater 3 is designed as an oven, for which movement and rotation mechanism 4 is provided along the container 1.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
Контейнер 1 загружаетс веществом, предназначенным дл очистки, затем контейнер 1 помещаетс в центрифугуThe container 1 is loaded with the substance to be cleaned, then the container 1 is placed in a centrifuge
2. Включаетс нагреватель 3, выполненный в виде печи расплавленной зоны. После расплавлени вещества включаетс центрифуга 2, скорость вращени которой задаетс в зависимости от2. The heater 3 is turned on, made in the form of a furnace of the molten zone. After the substance is melted, the centrifuge 2 is turned on, the rotation speed of which is set depending on
требуемой чистоты вещества. После этого включаетс механизм 4 передвижени и вращени печи, осуществл ющий перемещение последней вдоль кристаллизующего вещества. В результате такого перемещени фронт кристаллизации смещаетс от центра к периферии . При достижении нагревателем 3 конца контейнера 1 механизм 4 передвижени и центрифуга 2 отключаютс . Контейнер 1 извлекаетс из центрифуги 2 и освобождаетс от очищенного ;вещества.required purity of the substance. After this, the mechanism 4 for moving and rotating the furnace is switched on, moving the latter along the crystallizing substance. As a result of this movement, the crystallization front shifts from the center to the periphery. When the heater 3 reaches the end of the container 1, the movement mechanism 4 and the centrifuge 2 are turned off. The container 1 is removed from the centrifuge 2 and released from the purified; substance.
Предлагаемое устройство дл .очистки и разделени с целью получени чистых материалов, например полупроводников и металлов,позвол ет повысить эффективность очистки в несколько раз. Из приведенного графика видно, что, например, при проведении очистки вещества без использовани центрифуги количество примеси в получаемом веществе равн лось 10 вес. %, что соответствует на графике распределению, обозначенномуThe proposed device for cleaning and separating in order to obtain pure materials, such as semiconductors and metals, makes it possible to increase the cleaning efficiency several times. It can be seen from the above graph that, for example, when cleaning a substance without using a centrifuge, the amount of impurity in the resulting substance was 10 wt. %, which corresponds in the graph to the distribution indicated
0 светлыми кружками.0 light circles.
При применении центрифуги количество примеси в получаемом веществе резко снижаетс до величины пор дка .% в зависимостиWhen using a centrifuge, the amount of impurities in the resulting substance decreases sharply to a value of the order of.%, Depending on
С ОТ скорости вращени центрифуги. Таким образом, использование предлагаемого устройства позвол ет получать материалы высокой степени чистоты.FROM the spin speed of the centrifuge. Thus, the use of the proposed device allows to obtain materials of high purity.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU752145868A SU693575A1 (en) | 1975-06-19 | 1975-06-19 | Apparatus for separating and purifying substances |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU752145868A SU693575A1 (en) | 1975-06-19 | 1975-06-19 | Apparatus for separating and purifying substances |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU693575A1 true SU693575A1 (en) | 1984-06-07 |
Family
ID=20623247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU752145868A SU693575A1 (en) | 1975-06-19 | 1975-06-19 | Apparatus for separating and purifying substances |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU693575A1 (en) |
-
1975
- 1975-06-19 SU SU752145868A patent/SU693575A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Авторское свидетельство СССР » 199106, кл. В 01 D 9/02, 11.05.66 (прототип).' * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2876147A (en) | Method of and apparatus for producing semiconductor material | |
US7959730B2 (en) | Method for processing silicon powder to obtain silicon crystals | |
US4373950A (en) | Process of preparing aluminum of high purity | |
JPH0753569B2 (en) | Silicon purification method | |
US3966445A (en) | Freeze refining method | |
JP4187892B2 (en) | Metal purification apparatus and purification method | |
SU693575A1 (en) | Apparatus for separating and purifying substances | |
JPH0754070A (en) | Refining method for aluminum scrap | |
EP0167401A2 (en) | Procedure and means for separating or purifying organic substances | |
US2598449A (en) | Purification of naphthalene | |
RU2641760C1 (en) | Method of cleaning melt surface when growing germanium monocrystals | |
FR2390994A1 (en) | PROCESS FOR PURIFICATION, BY FUSION FOLLOWED BY SOLIDIFICATION, SOLID SUBSTANCES SUCH AS SILICON | |
JP2000351616A (en) | Production of high-purity silicon | |
SU445463A1 (en) | The method of cleaning and growing single crystals | |
JP2000351616A5 (en) | ||
JPS5799301A (en) | Purification of crystalline substance | |
JPS5692192A (en) | Method for growing semiconductor single crystal | |
JP3980998B2 (en) | Method and apparatus for purifying gallium | |
JPS5738397A (en) | Apparatus and method for growing crystal | |
US4366951A (en) | Apparatus for refining metal melts from insuluble impurities | |
SU1142533A1 (en) | Apparatus for cleaning the surface of metal melts from surface pollutants | |
SU645666A1 (en) | Apparatus for separating substances by counter-current multistage crystallisation | |
JPS56149399A (en) | Liquid phase epitaxial growing method | |
JP3267318B2 (en) | Crystal slurry centrifugation method and apparatus | |
KR950004887Y1 (en) | Al refining apparatus |