SU664132A1 - Magnetic sensitive device - Google Patents

Magnetic sensitive device

Info

Publication number
SU664132A1
SU664132A1 SU772522172A SU2522172A SU664132A1 SU 664132 A1 SU664132 A1 SU 664132A1 SU 772522172 A SU772522172 A SU 772522172A SU 2522172 A SU2522172 A SU 2522172A SU 664132 A1 SU664132 A1 SU 664132A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
charge
magnetic field
output
input
hall
Prior art date
Application number
SU772522172A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владислав Валентинович Попов
Original Assignee
Уфимский авиационный институт имени Серго Орджоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уфимский авиационный институт имени Серго Орджоникидзе filed Critical Уфимский авиационный институт имени Серго Орджоникидзе
Priority to SU772522172A priority Critical patent/SU664132A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU664132A1 publication Critical patent/SU664132A1/en

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Claims (2)

(54) МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО 10 и 11, входного блока 12 и выходны блоков 13 и 14, систему 15 двухтакт ного питани , дифференциальный усили тель 16, полевой транзистор 17 с ко тактами Холла, дифференциальный уёил тель 18 и регистрирующий прибор 19. Устройство работает следующим оЪразом. При воздействии магнитного пол  одновременно на магниточувствительный прибор 1с зар довой св зью и полевой транзистор 17 (на чертеже показано стрелкой в) на контактах Холла последнего по вл етс  напр жение Холла, которое усиливаетс  усилителем 16 и подаетс  на входной бло.к 12. Диффузионный диод входного блока 12, образованный р -областью и полупроводниковой ПОДЛОЖКОЙ 2 П типа ,откроетс  и происходит инжек ,ци  неосновных носителей зар да в полупроводниковую подложку 2. Так как зависимрсть напр жени  Холла UH От воздействующего магнитного пол  В  вл етс  линейнОй, то величина инжектированных входных зар дов оказь1ваетс  пропорциональной величине магнитного пол . Далее инжектированный зар д при наличии разрёшсцощего импульсного потенциала на входном затворе 4 с помощью системы 15 двухтактного питани  известным образом переметаетс  по подложке 2 к входным блокам 13 и 14. Под дейстгнем магнит ной сктал поток зар да в прдпожкё 2 отклон етс  и раздел етс  выводами 10 и 11. При наличии разреша1011);е)го импульсного потенциёша на затворе 5 носители зар да экстрагируютс  обр&тносмёщенными диффузионными област ми типа выходных устройст 13 и 14, и сигналы напр жени  с эти устройств подаютс  на входы усилител  18, разностный сигнал с которого поступает на регистрирующий прибор 19 и свидетельствует :о величине магнитного пол .. При возрастании величины магнитно го пол  увеличиваетс  напр жение хол ла UH на контактах Холла транзистора 17, которое вызывает большую ннгКёкцию носителей зар да из входног блока 12. Поток зар да в подложке 2 увеличиваетс ,на выходном устройст ве 13 по вл етс  больший выходной си н.ал, пропорциональный возросшему магнитному полю. Разностный сигнзш с усилител  18 дакже увеличиваетс  и по вл етс  на регистрирующем устройстве 19. Таким образом,увеличение или уменьшение величины магнитного пол  увеличивает или уменьшает инжекцию входных зар дов, пропорциональных магнитному полю, а следовательно, обеспечивает пропорциональность выходнь1Х сигналов воздействующему магнитному полю. Введение в устройство полевого транзистора 17 с контактг ми Холла и усилител  16 позвол ет повысить точность измерени  величины магнитного пол  и расширить функцио.нальные возможности устройства, так как при обработке аналоговых сигналов важно, чтобы дл  прибора с зар довой св зью обеспечивалось инжёктирование пакетов зар да, пропорциональных величине сигнала. Формула изобретени  Магниточувствительное устройство , содержащее магниточувствнтельный прибор с зар довой св зью с входным и выходными блоками,систему двухтактного питани , подключенную к первому и второму входам магниточувствительного прибора с зар довой св зью, и регистрирующий прибор, подключенный через первый дифференцигшьный усилитель к выходны блркам магниточувстви;тельного прибора с зар довой св зью, р т л и ч а ю щ е е с   тем, что, с целью повышени  точности измерени , в него введены второй дифференцисШ| ный усилитель и полевой транзистор с контактами Холла, подключенными к входам второго дифференциального усилител , выход которого соединен с вхрдным блокрм магниточувствительного прибора с зар довой св зью, при этом последний магниторв зан с полевым транзистором. Источники информации, прин тие во внимание при экспертизе 1.Патент США 3714523, кл. 317-235 R, 30.05.73. (54) MAGNETIC SENSING DEVICE 10 and 11, input block 12 and output blocks 13 and 14, two-phase power supply system 15, differential amplifier 16, field-effect transistor 17 with Hall clocks, differential amplifier 18 and recording device 19. The device works as follows ozrazom. When a magnetic field is applied simultaneously to a magnetically sensitive device 1 with a charge coupling and a field-effect transistor 17 (shown in arrow in the drawing), a Hall voltage appears at the terminals of the latter, which is amplified by amplifier 16 and fed to the input block 12. 12. Diffusion diode the input unit 12, formed by the p-region and the semiconductor SUBSTITUTE 2 P type, will open and injects, a minority of charge carriers into the semiconductor substrate 2. Since the voltage dependence of the Hall voltage UH If V is linear, the magnitude of the injected input charge is proportional to the magnetic field. Next, the injected charge, in the presence of a dissipative pulsed potential at the input gate 4 using the push-pull power supply system 15, in a known manner is swept across substrate 2 to the input blocks 13 and 14. Under the influence of the magnetic x-ray, the flow of charge in the pre-charge 2 is diverged and separated by leads 10 and 11. If there is a resolution of 1011); e) th pulse potential at gate 5, the charge carriers are extracted by amplified diffusion regions such as output devices 13 and 14, and the voltage signals from these devices are fed to the inputs of amplifier 18, the difference signal from which arrives at the registering device 19 and indicates: the magnitude of the magnetic field. As the magnitude of the magnetic field increases, the voltage of the UH hall on the Hall contacts of the transistor 17 increases, which causes a large NNF charge carrier discharge from the input unit 12. The charge current Yes, in substrate 2 increases, on output device 13, a higher output al sinus appears, which is proportional to the increased magnetic field. The difference signal from the amplifier 18 is also increased and appears on the recording device 19. Thus, increasing or decreasing the magnitude of the magnetic field increases or decreases the injection of input charges proportional to the magnetic field, and therefore ensures the proportionality of the output signals to the acting magnetic field. Introduction of Hall contact transistor 17 and amplifier 16 to the device allows improving the accuracy of measuring the magnetic field and expanding the functional capabilities of the device, since it is important in processing analog signals that charge-packet injection is provided for the charge-coupled device proportional to the magnitude of the signal. A magnetically sensitive device comprising a magnetically sensitive device with charge coupling with input and output units, a push-pull power system connected to the first and second inputs of a magnetically sensitive device with charge coupling, and a recording device connected through the first differential amplifier to the output of the magnetically sensitive device. a mobile device with a charge connection, which is designed so that, in order to improve the measurement accuracy, the second differential | A power amplifier and a field-effect transistor with Hall contacts connected to the inputs of the second differential amplifier, the output of which is connected to an arrester block of a magnetically sensitive device with a charge coupling, the latter magnetorus being connected to a field-effect transistor. Sources of information taken into account in the examination 1. US patent 3,714,523, cl. 317-235 R, 05.05.73. 2.Патент дшА 3906359, кл. 324--43 R, 06,08.73i2. Patent DShA 3906359, cl. 324--43 R, 06.08.73i
SU772522172A 1977-09-08 1977-09-08 Magnetic sensitive device SU664132A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772522172A SU664132A1 (en) 1977-09-08 1977-09-08 Magnetic sensitive device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772522172A SU664132A1 (en) 1977-09-08 1977-09-08 Magnetic sensitive device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU664132A1 true SU664132A1 (en) 1979-05-25

Family

ID=20724029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772522172A SU664132A1 (en) 1977-09-08 1977-09-08 Magnetic sensitive device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU664132A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5530345A (en) An integrated hall•effect apparatus for detecting the position of a magnetic element
US4397714A (en) System for measuring the concentration of chemical substances
CN101082506B (en) Magnetic sensor and physical quantity sensor
US8085035B2 (en) Hall element and magnetic sensor
GB1468551A (en) Magnetic playback transducer
Wilhelm et al. pH sensor based on differential measurements on one pH-FET chip
US4071775A (en) Charge coupled differential amplifier for transversal filter
US4109284A (en) Self-scanning photo-sensitive circuits
US4586010A (en) Charge splitting sampler systems
US5099298A (en) Magnetically sensitive semiconductor device
SU664132A1 (en) Magnetic sensitive device
EP0846340A1 (en) Switched magnetic field sensitive field effect transistor device
GB1470587A (en) Linear imaging arrays
EP0377959A3 (en) A method of driving a charge detection circuit
JPS63501394A (en) Filling spill for charge input to CCD
Clark Split-drain MOSFET magnetic sensor arrays
JPH06249825A (en) Fet sensor
US9721980B2 (en) MOS-transistor structure as light sensor
SU1702458A1 (en) Lateral bipolar magnetotransistor
GB1505585A (en) Sensing circuits
JPH0369159A (en) Semiconductor device
RU2300824C1 (en) Integrated current-magnetic sensor incorporating light-emitting diode display
GB1596475A (en) Circuit arrangement for measuring the stored charge in a charge-transfer device
JPS5752160A (en) Magnetoelectric transducer
SU696540A1 (en) Readout amplifier for charge-coupled register