SU658631A1 - Сверхвысокочастотный п-манипул тор - Google Patents

Description

Сверхвысокочастотный /Г-манипул тор содержит два полупроводниковых диода 1 и 2, один из которых подключен к двум св занным между собой четвертьволновым проводникам 3 и 4, два дополнительных, св занных между собой четвертьволновых проводника 5 и 6, причем начало первого четвертьволнового проводника 3  вл етс  входом сверхвысокочастотного ТГ -манипу715ггора, а кон«эд его через последовательно включенный первый полупроводниковый диод 1 сое динен с концом первого дополнительного четвертьволнового проводника 5, начапо которого  вл етс  выходом сверхвьгсокочастотного ТС-манипуп тора; при этом концы вторых четвертьволновых проводников 4 и 6 заземлены, а их начала соединены через параллельно включенный второй полупроводниковый диод 2,

Сверхвысокочастотный 1Г -манапуи тор работает следующим образом.

При нахождении полупроводниковых диодов 1 и 2 в замкнутом состо нии (состо ние 1) сигнал пройдет с входа сверхвысокочастотного II-манипул тора на его выход через ива св занных между собой четвертьволновых прово ниха 3 и 4, последоватепьно включенный первый полупроводннковый  иоа I и два исполните пьных св занных между собой четвертьволновых проводника 5 и 6, Сквиг фазы при этом будет опрецеп ьс  выражением:

4-2 СО

где 6 - длина двух св занных между собой четвертьволновых проводника 3 и 4 (5 и 6);

Ш- частота;

С - скорость света.

При приведении по гупроводниковых диодов 1 и 2 в разомкнутое состо ние (состо ние 2) сигнал проходит с входа сверхвысокочастоного 1Г -манипул тора на его выход через два св занных между собой четвертьволновых проводника 3 и 4, параллельно установленный попупроводниковый диод 2 и два дополнительных св занных между собой четвертьволновых проводника 5 и 6.

При этом сдвиг фазы определ етс  вьфажением:

4-2,rcco,,4P

С

где

Тогпа скачок фазы при переключении полупроводниковых шюаов 1 и 2 определитс  выражением

....а.ссо,(

Соз9 (31

и на центральной частоте диапазона Как видно из графиков, приведенных на

фйт, 2, максимальные фазовые ошибки у прототипа в полосе частот, равной октавВс составл ет 20 градусов. Из графиков приведанн.ых на фиг. 3, следует,, что максимальные фазовые ошибки у предложенного сверхвысокочастотного 31 -манипул тора в полосе равной октаве, равны 8 градусов.

Как видно из графиков частотньрс характеристик потерь, приведенных на

фиге 4 и 5, максимальные потери пропускани  в диапазоне частот, равном октаве, у прототипа 12,4 дБ, а у предложенного сверхвьюокочастотного dl -манипул тора 1,5 дБ.

Таким образом, в циапазоне частот шириной в октаву достигаетс  уменьшение фазовых ошибок бопее, чем в два раза, потерь пропускани  более, чем на Ю дБ, и имеет место значительное уменьшение габаритов предложенного устройства по сравнению с прототипом.

Кроме того, по сравнению с широкопопсснымп tf-манипул торами, имеющими волноводный выход, либо выход на изо ированной двухпроводной линии, предложенное устройство имеет более широкую область применени , компактнее, имеет меньшие габариты проще, содерх ит всего два полупроводниковых диода, может использоватьс  в малогабаритной аппаратуре в составе попосковых моноблоков . .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Сверхвысокочастотный И-манипул тор , содержащий два полупроводниковых

   диода, один из которых подключен к двум св занным между собой четвертьволновым проводникам, отличающийс   тем, что, с целью уменьшени  потерь и фазовых ошибок, введены два дополните пьных, св занных .между собой четвертьволновых проводника, причем начапо первого четвертьволнового провоцника ,  вл етс  входом сверхвысокочасготногс ) it-манипуп тора, а конеп его

   через поспецоватепьно включенный первый полупроводниковый пноц соединен с концом первого аопопнитепьного четвертьволнового провоаника, начале которого  вл етс  выходом сверхвысокочастотного и -манипул тора; при этом концы вторых четвертьволновых проводников заземлены, а их начала сбедине 1Ы чероо парпплепьно вкпюченньгй второй полупровоаниковый диод.

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

   i.IEtE Traneoictiohs on Microvwave Ttieora and Tec1iniques.(97O,voe.MTT-i8,

   p..

   41

   3

   Д

   Фиг1

   &tp(tpaSJ

   SO-Чушс