SU649342A3 - Формирователь ступенчатого напр жени - Google Patents

Description

I

Изобретение относитс  к импульсной технике.

Известен формировагель ступенчатого напр жени , содержащий интегральную RC-иепь, два операционных усилител , компенсирующий транзистор, причем а операционным усилител м подключены источники порогового напр жени  ,

Недостатком такого формировател   вл етс  его сложность.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  форм рователь ступенчатого напр жени , содержащий входной биполфный транзистор, база которого через резистор соединена с входной шиной, а коллектор через два последовательно включеш- х peai ;Э- ра соединен с источником i, ,эни , выходной бипол рный транзистор, база которого соединена с эмиттером входного бипол рного транзистора, коллектор через резистор соединен с источником пи- тави , а эмиттер соединен непосредсгвенао .с общей шиной и бипол рный гра8

зистор противоположного упом нутым типа проводимости в цепи обратной св зи, база которого соединена с точкой соединени  резисторов в коллекгорной цепи g входного бипол рного транзистора, а

эмиттер соединен с источником питани  pQ

Недостатком этого формиррвател   вл етс  больит  потребл ема  мощность,

QЦелью изобретени   вл етс  уменьшение погр л емой мощности.

Это достигаетс  тем, что &. формирователь ступенчатого напр жени , содержащий транзистор, база которого через

g резистор соединена со входной шиной, а коллектор через два последовательно включенных резистора соединен с источником питани , выходной бипол рный транзистор, база которого соединена с

Claims (1)

1. 0 эмиттером входного бипол рного транзистора , коллектор которого через резистор соединен с всточником питани , а эмиттер соединен непосредственно собшей шиной и бипол рный, транзистор противоположного упом нутым типа проБО димосг  в цепи обрапюй св зи, база ко- горого соединена с гонкой соединени  резисторов в коллекторнойцепи входного бипол рного гр&нзнсгора, а эмиггер соединен с источником пиганип введен дополнительный бипол рный гранаисгор, коллектор которого соединен с эмнгтером входного бипол рного гранаисгора, амиттер соединен с общей шиной( а база через резистор соединена с коллектором бипол рного транзистора в цепи обратной св зи, На чертеже приведена принципиальна  элекгрическа  схема описываемого ijjopMW ровател  Формирователь содержит входной бипол рный транзистор 1, выход|1ой бнпол р ный транзистор 2, бипоп рр.ый траааисгор 3 противоположного типа проводимости дополнительный бипол рный гранаисгор 4 резйсгоры 5-9. Входной сигнал подай на входную шину Ю, Выходной сигнал снимаетс  с шины 11.(Исгочннки питани  на схеме не показаны),-. Принцип работы формировател  заютючаетс  в следующем, При условии, что на формирователь подано напр жение питани  и что потеН циал на входной шине Ю нулевой, все транзисторы 1 - 4 заперть, так ч го потенциал на шине 11 равен напр жению питани .Когда потенциал на входной шине 10 1 резко возрастает в момент Xi , базовый ток протекает через транзисторы 1 и 2 а в момент t начИЕмет течь коллектор ный ток Часть коллекторного тока тран аис.тора 1 становитс  базовым током транзистора 3 и в момент -Ь возникае коллекторный ток транзистора 3. В момент tj, коллекторный ток приводит транзистор 4 к состо нию насьицени , так что напр жение между эмиттероту и коплекгором становитс  практически нулевым и поэтому эмиттерный ток гран- зистора 1 протекает по коллектору гран анстора 4, а не по базе транзистора 2 8 результате в момент t коллектор ный ток транзистора 2 становитс  нулеым после того, как исчезают неосновые .носители в его базовой частк . Интервал времени между моментами ti и t составл ет обычно несколько икросекунд,- причем, чем выше усиление по току транзистора 2,3 и 4 или чем иихсе их предельна  частота, тем дольше промежуток.между i-rt-H tj , Этот ингервал времени может мен тьс  также с помощью изменени  базового тока каждого КЗ транзис1 оров. Формула изобретени  Формирователь ступенчатого напр жени , содержащий входной бипол рный тран.зистор, база которого через резистор соединена с ВХОДЕЮЙ шиной, а коллектор через два последовательно включенных резистора соединен с источником питани , выходной бипол рный транзистор, база которого соединена с эмиттером входного бипол рного траЕ13Истора, коллектор через резистор соединен с источником питани , а эмиттер соединен непосредственно с общей шиной и бипол рный транзистор -прогивоположного упом нутым типа проводимости в цепи обратной св зи, база которого соединена с точкой соединени  резисторов в коллекторной цепи входного бипол рного транзистора , а эмиттер соединен с источником питани , отличающийс  тем, что, с целью уг еньшени  потребл емой .мощности, в него введен дополнительный бипол рный транзистор, коллектор которого соединен с эмИттером входного бипол рного транзистора, эмиттер соединен с общей шиной, а база через резистор соединена с коллектором бипол рного транзистора в цепи обратной св зи, Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1,За вка Франции Ns 2279263, кл, Н ОЗ , 19,03.76. 2,За вка Франции № 2251191, кл,. Н 03 К 4/50, 11.06,75.