SU640217A1 - Способ определени шумового напр жени в полупроводниках - Google Patents

Description

fOT его таким образом, чтобы отклоиелие от единады соотношений сопротивлений областей полупроводника, наход щегос  в состо аии до ,и после фазового перехода, обуслоздивалось тдлько изм;енением «х сопро тивлёйий, вызванных, перемещением граней-цы фазового превращени  при телловой модул 1ЦИИ , а эначени  изменени  сопротивлеиич шри модул ции выбирают значительно меньше значени  сопротивлени  одной из Обла-стей полупроводника, т. е.

,„ 1 + ЬК:К„ при 8/ « ,

где 5 - значение изменени  сопротивлени  низкопровод щей области полупроводника при модул ции; Rn и R,n - сопротивление областей до и после фавового превращени  соответственно .

Способ -может быть осуществлен, например , следующим образом.

Шумовой генератор и исследуемый источник шума в виде тонкой плен-ки VOz последозательно подключают к входу селективного микровольтметра. Один из электродов , испытуемого образца с помющью нагревательнаго зонда на гревают до 76° С и обеспечивают выполнение услови  , т. е. , где 7,- комнатна  температура; Тфт.-температур-а фазового перехода диоксида ванади ; и Т - температура :напревательното зонда. Перепад температур АГ Г2-Г1 56°С моделируют с периодом т- 1 -путем изманеии  температуры Гд - нагревательного З01нда. Амплитуду модул ции выбирают равной ±3°С. Дл -увеличени  точ.ности измерени  уровн  игумозого напр жени  фазового превращени  диоксида ванади  перепад температур выбирают равным 7 56±i3°C, нагреватель при Т 7б±3°С р-асполагают на одном из электродов, на1несан1ных иа пленку диоксида ванади , -и обеспечивают выполнение услоаиД

А - 1 + 1+012

К,п- Rn измерени  уровн-  шумового напр жени  после указанных операщи-й определ ют отклонение по выходному прибору селективного Микровольтметра, которое соответствует шумам фазового превращени . Увеличивают шум шумовото геиератора так, чтобы отклонение прибора микровольтметра удвоилось. Уровень шумового напр жени  фазового превращени  определ ют по индикатору шумового (генератора.

Claims (3)

1.Грехов И. В. и др. Микроплазменные  влени  в кремнии. - «Физика твердого

тела, 1966, т. 8, вып. 1,2, с. 3474.

2.Бан дер Зил А. Флюктуационные  влени  в полупроводниках, М., «Мир, 1961, с. 36-39.

3.Васильев Г. П. и др. Письма в ЖТФ, 1976, вып. 13, с. 604.